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[实用新型]一种易于实现的SOC内置高精度RCOscillator的校准系统-CN201620729880.0有效
发明人：梁步阁;张岩松;张锋;容睿智;赵旸 -专利权人：中南大学
申请日： 2016-07-12 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： G06F1/08 文献下载
摘要：本实用新型涉及集成电路领域，特别是涉及超大规模集成电路(VLSI)领域的设计方法。一种易于实现的SOC内置高精度RC Oscillator的校准系统，其特征在于包括片外基准，以及通过复用IO连接的集成电路，所述的集成电路包括片内时钟校准逻辑，片内时钟校准逻辑与复用IO连接，所述的片内时钟校准逻辑与片内RC振荡电路连接，片内RC振荡电路连接有复用输出端，所述片内RC振荡电路和复用输出端之间反馈信号给片内时钟校准逻辑，所述的片内时钟校准逻辑还连接有片内FLASH。
一种易于实现 soc 内置高精度 rcoscillator 校准系统

[发明专利]采用电感实现的射频信号集成静电释放保护电路-CN200610001709.9有效
发明人：郭慧民;陈杰 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2006-01-23 - 公布日： 2007-08-01 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明属于微电子学与固体电子学领域的超大规模集成电路设计，是一种采用电感实现的射频信号集成静电释放保护电路。这种集成静电释放保护电路中的焊盘里没有传统的静电释放保护电路，静电释放保护由连接在射频输入/输出信号和地之间的电感实现，静电释放保护电感的值由对静电释放抵抗能力的要求和芯片的信号输入频率决定。阻抗匹配电路采用片上电容和片上电感。在设计阻抗匹配电路时，将用作静电释放保护的电感和焊盘引入的寄生电容统一考虑在输入匹配电路中，从而同时实现ESD保护电路和输入输出阻抗匹配。与传统静电释放保护电路相比，采用这种静电释放保护电路可以很大程度的减小静电释放保护电路对射频信号的影响。
采用电感实现射频信号集成静电释放保护电路

[发明专利]具有高频预补偿的集成化光芯片及高速光通信器件-CN201210285929.4有效
发明人：胡朝阳;郑晓锋;刘俊 -专利权人：苏州海光芯创光电科技有限公司
申请日： 2012-08-13 - 公布日： 2012-12-12 - 主分类号： H04B10/00 文献下载
摘要：本发明揭示了一种具有高频预补偿的集成化光芯片，将有源器件（例如激光器、光放大器、探测器和调制器等）、集成电路（IC）单片或混合集成到同一个衬底上（例如硅基片、磷化铟基片或陶瓷基片）。基于不同的应用背景，该可集成化的高频预补偿办法可以通过有源方法实现，也可以通过无源方法实现，从而可达到类似大规模集成电路的优点：低成本、小尺寸、低功耗、灵活扩展和高可靠性等。
具有高频补偿集成化芯片高速光通信器件

[实用新型]具有高频预补偿的集成化光芯片及高速光通信器件-CN201220398395.1有效
发明人：胡朝阳;郑晓锋;刘俊 -专利权人：苏州海光芯创光电科技有限公司
申请日： 2012-08-13 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： H04B10/00 文献下载
摘要：本实用新型揭示了一种具有高频预补偿的集成化光芯片，将有源器件（例如激光器、光放大器、探测器和调制器等）、集成电路（IC）单片或混合集成到同一个衬底上（例如硅基片、磷化铟基片或陶瓷基片）。基于不同的应用背景，该可集成化的高频预补偿办法可以通过有源方法实现，也可以通过无源方法实现，从而可达到类似大规模集成电路的优点：低成本、小尺寸、低功耗、灵活扩展和高可靠性等。
具有高频补偿集成化芯片高速光通信器件

[发明专利]一种分数分频锁相环-CN201210499557.5无效
发明人：不公告发明人 -专利权人：成都锐成芯微科技有限责任公司
申请日： 2012-11-29 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： H03L7/183 文献下载
摘要：在大规模集成电路中，集成了越来越多的IP和数字电路，需要各种不同的精确时钟来实现所需要的功能。那么采用一个外部晶振，内部采用分数倍频实现多个时钟是很有必要的。
一种分数分频锁相环

[发明专利]一种垂直沟道互补场效应晶体管的集成方法-CN202310565733.9在审
发明人：黎明;毕然 -专利权人：北京大学;北京知识产权运营管理有限公司
申请日： 2023-05-19 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明提供了一种垂直沟道互补场效应晶体管的集成方法，属于超大规模集成电路制造技术领域。本发明实现了垂直方向上垂直沟道互补场效应晶体管的集成，能够减小电路单元投影面积，实现进一步微缩，延续摩尔定律。与现有技术相比，本发明能够在相同器件密度下减小互连线长度，降低互连线上延迟和功耗，提升电路单元性能。
一种垂直沟道互补场效应晶体管集成方法

[发明专利]大规模集成电路边界扫描测试系统-CN01128718.7无效
发明人：缪栋;陈斌文;周战馨;王毓政;孙东 -专利权人：中国人民解放军第二炮兵工程学院技术开发中心
申请日： 2001-07-18 - 公布日： 2002-09-18 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明属于电子线路测量中逻辑电路测试技术领域,涉及一种大规模集成电路边界扫描测试系统,该系统通过软件设计和硬件电路两部分来实现,系统软件部分具有类似于C语言的规则,编译程序采用面向对象的方设计,其特征在于包括一个芯片测试的集成开发环境本系统设计新颖、使用方便,整体达到国内领先水平,具有推广应用价值和很高的性能价格比,易于在各集成电路生产厂家推广使用。
大规模集成电路边界扫描测试系统

[发明专利]单阈值CMOS器件六管SRAM单元上电定值输出方法-CN201711362404.5在审
发明人：李瑞 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十七研究所
申请日： 2017-12-18 - 公布日： 2018-06-12 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：本发明涉及单阈值CMOS器件六管SRAM单元上电定值输出方法，通过调节晶体管参数来确定SRAM单元上电后的初值，确保电路的状态的稳定性，增强电路的可靠性的设计。实现带有该SRAM单元的大规模集成电路内部线网建立明确的电位，提升器件的可靠性、稳定性。
上电大规模集成电路电位晶体管参数输出提升器件增强电路初始态管结构线网电路电源

[发明专利]一种高强度钙铝硅微晶玻璃及其制备方法-CN202310946018.X在审
发明人：李波;穆宁波;杨瑞佳 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C03C10/14 文献下载
摘要：通过调控Zn/Ba比，提升了抗弯强度193MPa和杨氏模量79GPa，改善了热膨胀系数5.11ppm/℃，提升了超大规模集成电路封装的可靠性。此外，本发明提供的制备方法具有成本低、工艺简单等优点，有利于工业化生产，对于超大规模集成电路封装基板具有潜在的应用价值。
一种强度钙铝硅微晶玻璃及其制备方法

[发明专利]极大规模集成电路多层布线碱性抛光后防氧化方法-CN201010231676.3有效
发明人：刘玉岭;刘效岩;田军 -专利权人：河北工业大学
申请日： 2010-07-21 - 公布日： 2010-12-01 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及一种极大规模集成电路多层布线碱性抛光后防氧化方法，实施步骤如下(重量％)：(1)制备防氧化液：将FA/OI表面活性剂0.5-1％、FA/OII型螯合剂0.05-0.5％、FA/OII型阻蚀剂1-10％、余量去离子水，搅拌均匀后制备成pH值为6.8-7.5水溶性表面防氧化液；(2)在极大规模集成电路多层布线进行碱性CMP后用清洗液水抛后立即使用步骤(1)中制备的防氧化液进行水抛防氧化，在1000Pa
极大规模集成电路多层布线碱性抛光后防氧化方法

[发明专利]一种二氧化硅基CMP抛光液及其制备方法-CN201210317882.5有效
发明人：高桂花;张兰田 -专利权人：安特迪（天津）科技有限公司
申请日： 2012-08-31 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明提供一种应用于超大规模集成电路硅衬底及层间介质全局平坦化的二氧化硅基CMP抛光液及其制备方法。可以用于超大规模集成电路硅衬底、层间电介质、浅沟槽隔离绝缘体、导体和镶嵌金属的化学机械抛光。
一种二氧化硅 cmp 抛光及其制备方法

[发明专利]高强高导含铬铜合金及其制备方法-CN200810088246.3有效
发明人：张萌;许彪;唐建成 -专利权人：晶能光电（江西）有限公司
申请日： 2008-03-26 - 公布日： 2008-09-03 - 主分类号： C22C9/00 文献下载
摘要：该合金的制备方法主要为母合金熔炼工艺，还可以进一步包括喷铸法制备Cu－Cr₃C₂－Zr－稀土合金工艺和合金喷铸后的处理工艺，来制备符合超大规模集成电路引线框架材料的合金本发明可以实现铜合金的硬度和导电率关系配合良好，同时硬度和电导率可以体现较高的温度稳定性，其具有较高的电学性能和硬度，其综合性能已经达到超大规模集成电路引线框架材料理想的主要性能指标。
高强高导含铬铜合金及其制备方法

[发明专利]大规模集成电路层次树展示系统-CN202211408414.9有效
发明人：杨胜康 -专利权人：北京云枢创新软件技术有限公司;上海合见工业软件集团有限公司
申请日： 2022-11-10 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： G06F30/31 文献下载
摘要：本发明涉及一种大规模集成电路层次树展示系统，实现步骤S1、获取节点展开指令，解析出第一目标节点标识、目标子节点数量X和目标子节点行高h；步骤S2、将第一目标节点状态标注为依赖节点，构建对应的目标子节点的虚拟列表本发明减小了大规模集成电路层次树展示过程中的内存开销，提高了绘制性能和效率。
大规模集成电路层次展示系统

[发明专利]一种化学机械抛光液-CN200310105203.9无效
发明人：张劲松;梁艳;张军旗 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2003-11-26 - 公布日： 2005-06-01 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明属于微电子加工领域中的化学机械抛光技术，具体公开一种超大规模集成电路制作工艺中多层绝缘膜全局平面化加工用的化学机械抛光液。可用于超大规模集成电路制作工艺中的CMP精抛过程以及其他光学材料的精密抛光。
一种化学机械抛光

[发明专利]基于IC－封装－PCB协同设计的PI解决方法-CN200610078217.X有效
发明人：刘海南;周玉梅;吴斌;蒋见花;霍津哲 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2006-05-12 - 公布日： 2007-11-14 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明涉及超大规模集成电路技术领域，特别是解决后端设计中电源完整性问题的IC－封装－PCB协同设计的PI解决方法。方法包括：1)建立适合于VLSI的PI分析的电路模型；2)分析并提取电路模型所对应的寄生参数；3)确定PI设计中的设计指标；4)利用EDA工具和自有算法模型进行精确仿真计算；5)考虑电源完整性的前提下，根据PI设计指标和仿真结果，快速确定合适的电源地IO数目。
基于 ic 封装 pcb 协同设计 pi 解决方法