专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种网络云服务器用大规模成电路板元件回收处理方法-CN202111065416.8在审
  • 毕晓洋 - 毕晓洋
  • 2021-09-12 - 2021-12-03 - B02C4/08
  • 本发明公开的属于电路板元件回收领域,具体为一种网络云服务器用大规模成电路板元件回收处理方法,包括装置外壳,所述装置外壳的顶端面螺钉连接有投料口,所述装置外壳上焊接固定有第一伺服电机,所述第一伺服电机的输出端连接有固定轴,所述固定轴转动连接在装置外内,所述固定轴上焊接固定有粉碎辊和圆形齿轮,解决了现有的回收处理装置在对废弃的大规模成电路板及其元件进行回收处理工作时,只能够结合使用粉碎组件对废料进行单一的粉碎工作,不能够将废弃的大规模成电路板及其元件中的金属进行高效稳定的分类收集工作
  • 一种网络服务器用大规模集成电路板元件回收处理方法
  • [发明专利]集成电路设计的验证方法及装置-CN200810115592.6无效
  • 杨作兴;刘子熹 - 北京中星微电子有限公司
  • 2008-06-25 - 2008-10-22 - G06F17/50
  • 本发明公开了一种集成电路设计的验证方法及装置,包括:确定出集成电路核心实体模块中在引脚控制模块处不耦合的各子模块;将所述各子模块分成至少两个子模块组;根据所述子模块组,对IC设计的代码文件中包含的集成电路核心实体代码文件、引脚控制代码文件、引脚代码文件和顶层代码文件进行分割;将与同一个子模块组对应的分割后的集成电路核心实体代码文件、分割后的引脚控制代码文件、分割后的引脚代码文件和分割后的顶层代码文件存入同一片现场可编程门阵列FPGA中对IC设计进行验证。上述方法实现了将大于单片FPGA容量的大规模成电路设计的代码文件分割到多片FPGA中进行联合验证。实现简单、成本低。
  • 集成电路设计验证方法装置
  • [发明专利]超晶格超大规模成电路-CN201910372092.9有效
  • 林和 - 林和
  • 2019-05-06 - 2021-10-22 - H01L29/15
  • 本发明提供了一种超晶格超大规模成电路,包括:衬底;过渡层,设置在所述衬底上方;元器件层,设置在所述过渡层上方,元器件层为利用基于超晶格集成电路二维电子气与二维空穴气的特殊性能设计的器件来构建超晶格集成电路在过渡层上方利用基于超晶格集成电路二维电子气与二维空穴气的特殊性能设计的器件来构建超晶格集成电路设计成超晶格超大规模成电路(MDMFSL‑ULSI:Multi‑Dimension Multi‑FunctionalSuperlattice Ultra‑Large Scale Integrated Circuit)是以二维电子气与二维空穴气超晶格与量子井为基础并具有超高速高可靠抗辐射抗高低温等特征,而且设计效率高,制造工艺周期短,成本低,将极大地改进以上传统硅与化合物集成电路的不足之处。
  • 晶格超大规模集成电路
  • [发明专利]超晶格超大规模成电路-CN202111129571.1有效
  • 林和 - 林和
  • 2019-05-06 - 2023-08-22 - H01L29/15
  • 本发明提供了一种超晶格超大规模成电路,包括:衬底;过渡层,设置在所述衬底上方;元器件层,设置在所述过渡层上方,元器件层为利用基于超晶格集成电路二维电子气与二维空穴气的特殊性能设计的器件来构建超晶格集成电路在过渡层上方利用基于超晶格集成电路二维电子气与二维空穴气的特殊性能设计的器件来构建超晶格集成电路设计成超晶格超大规模成电路(MDMFSL‑ULSI:Multi‑Dimension Multi‑Functional Superlattice Ultra‑Large Scale Integrated Circuit)是以二维电子气与二维空穴气超晶格与量子井为基础并具有超高速高可靠抗辐射抗高低温等特征,而且设计效率高,制造工艺周期短,成本低,将极大地改进以上传统硅与化合物集成电路的不足之处。
  • 晶格超大规模集成电路
  • [发明专利]超晶格超大规模成电路-CN202111131216.8有效
  • 林和 - 林和
  • 2019-05-06 - 2023-09-12 - H01L29/15
  • 本发明提供了一种超晶格超大规模成电路,包括:衬底;过渡层,设置在所述衬底上方;元器件层,设置在所述过渡层上方,元器件层为利用基于超晶格集成电路二维电子气与二维空穴气的特殊性能设计的器件来构建超晶格集成电路在过渡层上方利用基于超晶格集成电路二维电子气与二维空穴气的特殊性能设计的器件来构建超晶格集成电路设计成超晶格超大规模成电路(MDMFSL‑ULSI:Multi‑Dimension Multi‑Functional Superlattice Ultra‑Large Scale Integrated Circuit)是以二维电子气与二维空穴气超晶格与量子井为基础并具有超高速高可靠抗辐射抗高低温等特征,而且设计效率高,制造工艺周期短,成本低,将极大地改进以上传统硅与化合物集成电路的不足之处。
  • 晶格超大规模集成电路
  • [发明专利]超晶格超大规模成电路-CN202111131217.2有效
  • 林和 - 林和
  • 2019-05-06 - 2023-09-12 - H01L29/15
  • 本发明提供了一种超晶格超大规模成电路,包括:衬底;过渡层,设置在所述衬底上方;元器件层,设置在所述过渡层上方,元器件层为利用基于超晶格集成电路二维电子气与二维空穴气的特殊性能设计的器件来构建超晶格集成电路在过渡层上方利用基于超晶格集成电路二维电子气与二维空穴气的特殊性能设计的器件来构建超晶格集成电路设计成超晶格超大规模成电路(MDMFSL‑ULSI:Multi‑Dimension Multi‑Functional Superlattice Ultra‑Large Scale Integrated Circuit)是以二维电子气与二维空穴气超晶格与量子井为基础并具有超高速高可靠抗辐射抗高低温等特征,而且设计效率高,制造工艺周期短,成本低,将极大地改进以上传统硅与化合物集成电路的不足之处。
  • 晶格超大规模集成电路
  • [发明专利]超晶格超大规模成电路-CN202111131222.3有效
  • 林和 - 林和
  • 2019-05-06 - 2023-09-12 - H01L29/15
  • 本发明提供了一种超晶格超大规模成电路,包括:衬底;过渡层,设置在所述衬底上方;元器件层,设置在所述过渡层上方,元器件层为利用基于超晶格集成电路二维电子气与二维空穴气的特殊性能设计的器件来构建超晶格集成电路在过渡层上方利用基于超晶格集成电路二维电子气与二维空穴气的特殊性能设计的器件来构建超晶格集成电路设计成超晶格超大规模成电路(MDMFSL‑ULSI:Multi‑Dimension Multi‑Functional Superlattice Ultra‑Large Scale Integrated Circuit)是以二维电子气与二维空穴气超晶格与量子井为基础并具有超高速高可靠抗辐射抗高低温等特征,而且设计效率高,制造工艺周期短,成本低,将极大地改进以上传统硅与化合物集成电路的不足之处。
  • 晶格超大规模集成电路

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