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[实用新型]一种快速换钥的密码芯片-CN02245138.2无效
发明人：吕永其;尤坤;王辉;陆建 -专利权人：中国电子科技集团公司第三十研究所
申请日： 2002-12-16 - 公布日： 2004-03-31 - 主分类号： H04L9/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种快速换钥的密码芯片，在数据输入端和加解密结果输出端间，设置多级串联的密码轮函数运算模块，每级密码轮函数算法模块，都串接有存有密钥数据的工作密钥存储器，其特征是：每级工作密钥存储器都通过所连接的选择输出器，分别与存储器读地址A和B相连接，各级选择输出器由算法级控制电路控制，换钥命令通过电路分别控制各级存储器读地址B；具有更换密钥速度快，可随时进行更换，且可在流水线上进行加解密运算等突出优点。
一种快速密码芯片

[发明专利]专注于延时的读取操作和专注于带宽的读取操作之间的动态改变-CN202010591818.0在审
发明人： S·哈利利;Z·格林菲尔德;S·贾亚钱德兰;R·J·小罗耶;D·帕特尔 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2020-06-24 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：多级存储器子系统包括持久性存储器设备，该持久性存储器设备可以顺序地或随机地访问数据块以改善读取延时，或者可以预取数据区块以改善读取带宽。介质控制器在顺序地或随机地访问数据块的第一读取模式与预取数据区块的第二读取模式之间动态切换。介质控制器基于命令队列中未决的读取命令的数量来在第一读取模式和第二读取模式之间切换。
专注延时读取操作带宽之间动态改变

[发明专利]一种制备水热法MoS2-CN201910767947.8有效
发明人：坚佳莹;冯浩;董芃凡;常洪龙;坚增运 -专利权人：西安工业大学
申请日： 2019-08-20 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备水热法MoS2多级阻变存储器的方法。该阻变存储器由玻璃基底、Cu底电极、MoS2阻变层和Ag顶电极依次叠加的三明治结构组成。通过对存储器在不同的限流下进行阻变特性测试，器件表现出不同的低阻态，在一个存储单元中实现了多级存储。
一种制备水热法 mos base sub

[发明专利]用于执行具有多位输入矢量的矩阵计算的多级单元(MLC)非易失性(NV)存储器(NVM)矩阵电路-CN201880045785.0有效
发明人：李夏;康相赫;W-C·陈 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2018-06-22 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： G11C11/54 文献下载
摘要：公开了用于执行具有多位输入矢量的矩阵计算的多级单元(MLC)非易失性(NV)存储器(NVM)矩阵电路。MLC NVM矩阵电路包括多个NVM存储串电路，每个NVM存储串电路包括多个MLC NVM存储电路，每个MLC NVM存储电路包括多个NVM位单元电路，每个NVM位单元电路被配置为存储1位存储器状态。因此，每个MLC NVM存储电路根据其相应NVM位单元电路的存储器状态来存储多位存储器状态。每个NVM位单元电路包括晶体管，该晶体管的栅极节点被耦合到被配置为接收输入矢量的多个字线中的字线。MLC NVM存储电路中的给定NVM位单元电路的栅极节点的激活控制其电阻是否对耦合到相应源极线的MLC NVM存储电路的总电阻做出贡献。
用于执行具有输入矢量矩阵计算多级单元 mlc 非易失性 nv 存储器 nvm 电路

[发明专利]多级IDWT并行处理方法及系统-CN201510823481.0有效
发明人：白云祥;赵中伟;李海洲 -专利权人：北京优素科技有限公司
申请日： 2015-11-24 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： H04N19/63 文献下载
摘要：本发明公开一种多级IDWT并行处理方法及系统，多级IDWT并行处理系统包括小波系数存储器、小波系数分配器、至少一个小波系数行缓存和至少一个IDWT计算引擎，所述方法包括：小波系数分配器从小波系数存储器中按照小波系数分配策略提取各个小波分解级的小波系数，并存储到对应的小波系数行缓存中；IDWT计算引擎按照小波系数分配策略提供的顺序，从小波系数行缓存中顺次读取小波系数行进行IDWT处理，通过至少一个IDWT计算引擎实现多级IDWT并行处理。本发明降低了存储容量和存储带宽，节省了存储资源，并极大地降低处理延时，具有扩展性好、效率高的优点。
多级 idwt 并行处理方法系统

[发明专利]一种基于共价有机聚合物薄膜材料的可调电阻开关行为的多级阻变存储器及制备方法-CN202310255515.5在审
发明人：王心晨;陈雄;周攀科;余洪铃;于泓 -专利权人：福州大学
申请日： 2023-03-16 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H10B63/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于共价有机聚合物薄膜材料的可调电阻开关行为的多级阻变存储器及其制备方法。该可调电阻开关行为的多级阻变存储材料为一种共价有机聚合物薄膜，其是以1,3,6,8‑四（4‑氨基苯基）芘和三醛基间苯三酚为反应单体，通过希夫碱缩合反应制备。并制备了ITO/2DPPyTTA+Tp‑n/Ag三明治夹心结构存储器件。在反应过程中，通过调整混合溶剂体积比例，其显示出可调电阻开关行为存储性能。该共价有机聚合物薄膜可作为一种新型的可调电阻开关行为的多级阻变存储材料。在器件制备和性能方面表现出灵活性、低成本、高开关电流比、低开启电压、高稳定性等特点，适应于广泛条件的存储器件。
一种基于共价有机聚合物薄膜材料可调电阻开关行为多级存储器制备方法

[发明专利]浮栅存储器及其制备方法-CN202210995755.4在审
发明人：左成杰;苏子佳 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2022-08-17 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L29/788 文献下载
摘要：本公开一方面提供一种浮栅存储器及制备方法，浮栅存储器包括：栅层，栅层上依次叠设有绝缘层、浮栅层、阻挡层及沟道层，沟道层包括n型沟道层和p型沟道层，n型沟道层和p型沟道层构成p‑n结；其中，通过向栅层施加偏压，以控制沟道层和浮栅层共同实现存储电子和释放电子。该浮栅存储器通过施加不同个数的脉冲序列，能够选择性地对沟道层总的电阻进行改写，结合浮栅层实现浮栅存储器的多级存储功能。
存储器及其制备方法

[发明专利]多级闪存的部分页编程-CN03803612.6有效
发明人： A·帕克;G·拉姆 -专利权人：先进微装置公司
申请日： 2003-02-05 - 公布日： 2005-06-22 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：本发明揭露出一种用于多级单元闪存装置的部分页编程的方法与装置。在一多级单元闪存中，新部分页编程信息可被存取(510)。先前储存在存储器中的信息可被存取(520)。新的与先前的信息可结合于一闪存装置的一页缓冲器中(530)。可选择地，新的与先前的信息可结合于闪存装置外部的存储器中(530)。所结合的信息可用于编程闪存的单元(540)。以此新的方式，部分页编程的优点可被实现，以用于多级单元闪存装置。
多级闪存部分编程

[发明专利]用于多级门架叉车的负载重量测量装置-CN200910203458.6有效
发明人：山田忠;深津利成;冈秀顺;牧国夫;岩濑成纪 -专利权人：株式会社丰田自动织机
申请日： 2009-05-21 - 公布日： 2009-12-02 - 主分类号： B66F9/24 文献下载
摘要：一种用于多级门架叉车的负载重量测量装置，其具有门架组件、油路、流量调节阀、压力传感器、检测装置、存储器、选择器和计算器。所述门架组件具有用于接收负载重量的叉架、包含门架的多级门架单元以及包含起升缸的用于沿所述门架提升所述叉架的多级起升缸单元，其中所述每个起升缸都具有油室。液压油在所述油路中流动。所述压力传感器检测液压油的压力并输出压力信号。所述检测装置检测所述起升缸提升所述叉架的级别状态并输出检测信号。所述存储器存储预定的参数，所述选择器基于所述检测信号从所述预定的参数中选择参数。所述计算器基于选择出的参数和所述压力信号计算负载重量。
用于多级叉车负载重量测量装置

[发明专利]具有直接存取的多级存储器-CN201610912901.7有效
发明人： B.芬宁;S.卡瓦米;R.S.特特里克;F.T.哈迪 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2011-12-29 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：本发明公开了用于实现具有直接存取的多级存储器的方法、设备以及系统的实施例。在一个实施例中，该方法包括在计算机系统中将某一量的非易失性随机存取存储器（NVRAM）指定为用作可替换于动态随机存取存储器（DRAM）的存储器。该方法通过将第二量的NVRAM指定为用作可替换于大容量存储设备的存储装置而继续。然后，该方法在计算机系统的操作期间将第一量的NVRAM的至少第一部分从存储器可替换指定重新指定为存储装置可替换指定。最后，该方法在计算机系统的操作期间将第二量的NVRAM的至少第一部分从存储装置可替换指定重新指定为存储器可替换指定。
具有直接存取多级存储器

[发明专利]一种动态测试设备高可靠性触发及数据采集存储方法-CN202010317651.9有效
发明人：陈晋央;余尚江;陈显;周会娟;郭士旭 -专利权人：中国人民解放军军事科学院国防工程研究院工程防护研究所
申请日： 2020-04-21 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种动态测试设备高可靠性触发及数据采集存储方法，所述动态测试设备具有嵌入式处理器，并配备有易失存储器、非易失存储器和地址信息存储器，所述的非易失存储器具有异常过程数据恢复功能，所述动态测试设备触发及数据采集存储方法通过触发条件的灵活设置、实时写入非易失存储、多级存储冗余备份、异常数据恢复等策略，提高动态测试的可靠性。本发明适合于现场条件复杂、恶劣环境等场合中动态参数的测量，条件组合触发及无人值守多次触发模式降低了触发条件不可控带来的无法有效触发的风险；采样数据同时写入易失存储器和高速写入非易失存储器的方法降低了设备突发断电情况下测试数据丢失的风险
一种动态测试设备可靠性触发数据采集存储方法

[发明专利]具有直接存取的多级存储器-CN201180075995.2有效
发明人： B.芬宁;S.卡瓦米;R.S.特特里克;F.T.哈迪 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2011-12-29 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： G06F12/00 文献下载
摘要：本发明公开了用于实现具有直接存取的多级存储器的方法、设备以及系统的实施例。在一个实施例中，该方法包括在计算机系统中将某一量的非易失性随机存取存储器（NVRAM）指定为用作可替换于动态随机存取存储器（DRAM）的存储器。该方法通过将第二量的NVRAM指定为用作可替换于大容量存储设备的存储装置而继续。然后，该方法在计算机系统的操作期间将第一量的NVRAM的至少第一部分从存储器可替换指定重新指定为存储装置可替换指定。最后，该方法在计算机系统的操作期间将第二量的NVRAM的至少第一部分从存储装置可替换指定重新指定为存储器可替换指定。
具有直接存取多级存储器

[发明专利]一种光存储器及其控制方法-CN201480040861.0有效
发明人：刘晓颖;宋亮;张滨 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2014-12-18 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： G02B6/26 文献下载
摘要：本发明提供一种光存储器及其控制方法，该光存储器包括多级存储单元，而且每级存储单元包括第一相位调制单元、第二相位调制单元和输出端口。第一相位调制单元用于根据控制信号改变环A上的两支光信号数据包之间的第一相位差；第二相位调制单元用于根据控制信号改变从光耦合器输出至第二端的两支光信号数据包之间第二相位差。换言之，本发明实施例中的光存储器能够实现多级存储，且每一级都能够直接输出光信号数据包。
一种存储器及其控制方法

[发明专利]奇偶校验码编码器-CN201610045992.9在审
发明人：马旭东 -专利权人：英派尔科技开发有限公司
申请日： 2016-01-22 - 公布日： 2016-08-03 - 主分类号： H03M13/11 文献下载
摘要：可根据该更小的LDPC码图G(k‑n)对将被存储的数据进行编码以产生编码消息。其后可将编码消息存储在存储器装置(诸如多级单元存储器装置)中。
奇偶校验码编码器

[发明专利]多级存储器层级结构-CN201910840764.4有效
发明人：金向东;周芬;熊成玉 -专利权人：黑芝麻智能科技（上海）有限公司
申请日： 2019-09-06 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： G06F12/0811 文献下载
摘要：一种在卷积神经网络中分层构造多级存储器的方法，包括：将存储器划分为多个部分，将该多个部分划分为多个条带，在MAC阵列中利用来自所述多个条带的输入数据，将中间结果从MAC阵列输出到结果缓冲器的多个条带中的至少一个条带，将中间结果从结果缓冲器的多个条带中的至少一个条带回送到输入数据缓冲器的多个条带中的至少一个条带，并且将最终结果从结果缓冲器的多个条带中的至少一个条带输出到输出缓冲器的多个条带中的至少一个条带。
多级存储器层级结构

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