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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]具有直接存取的多级存储器-CN201610912901.7有效
发明人： B.芬宁;S.卡瓦米;R.S.特特里克;F.T.哈迪 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2011-12-29 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：本发明公开了用于实现具有直接存取的多级存储器的方法、设备以及系统的实施例。在一个实施例中，该方法包括在计算机系统中将某一量的非易失性随机存取存储器（NVRAM）指定为用作可替换于动态随机存取存储器（DRAM）的存储器。该方法通过将第二量的NVRAM指定为用作可替换于大容量存储设备的存储装置而继续。然后，该方法在计算机系统的操作期间将第一量的NVRAM的至少第一部分从存储器可替换指定重新指定为存储装置可替换指定。最后，该方法在计算机系统的操作期间将第二量的NVRAM的至少第一部分从存储装置可替换指定重新指定为存储器可替换指定。
具有直接存取多级存储器

[发明专利]相变存储器与开关（PCMS）写错误检测-CN201180076016.5有效
发明人： S.卡瓦米;R.森达拉姆 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2011-12-30 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： G11C29/00 文献下载
摘要：描述了涉及PCMS（相变存储器与开关）写错误检测的方法和设备。在一个实施例中，第一存储单元存储单个位以指示与一个或多个PCMS装置的任何PCMS装置中写操作相对应的错误是否已发生。此外，一个或多个存储单元各自存储多个位以指示与写操作相对应的错误是否已在一个或多个PCMS装置的多个分区的分区中发生。还公开并要求保护其它实施例。
相变存储器开关 pcms 错误检测

[发明专利]减少的不可校正的存储器错误-CN201480008297.4有效
发明人： K.潘加;P.S.达姆勒;R.森达拉姆;S.卡瓦米;J.M.瓦克;D.里维斯 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2014-03-05 - 公布日： 2017-01-18 - 主分类号： G06F11/16 文献下载
摘要：不可校正的存储器错误可以通过确定用于存储器阵列的集合的逻辑阵列地址并且至少部分地基于存储器阵列的集合内的至少两个存储器阵列的逻辑位置将逻辑阵列地址变换成至少两个唯一阵列地址来减少。然后分别使用至少两个唯一阵列地址来访问至少两个存储器阵列。
减少不可校正存储器错误

[发明专利]具有直接存取的多级存储器-CN201180075995.2有效
发明人： B.芬宁;S.卡瓦米;R.S.特特里克;F.T.哈迪 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2011-12-29 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： G06F12/00 文献下载
摘要：本发明公开了用于实现具有直接存取的多级存储器的方法、设备以及系统的实施例。在一个实施例中，该方法包括在计算机系统中将某一量的非易失性随机存取存储器（NVRAM）指定为用作可替换于动态随机存取存储器（DRAM）的存储器。该方法通过将第二量的NVRAM指定为用作可替换于大容量存储设备的存储装置而继续。然后，该方法在计算机系统的操作期间将第一量的NVRAM的至少第一部分从存储器可替换指定重新指定为存储装置可替换指定。最后，该方法在计算机系统的操作期间将第二量的NVRAM的至少第一部分从存储装置可替换指定重新指定为存储器可替换指定。
具有直接存取多级存储器

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