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[发明专利]超细化SLM成形CuAlFe形状记忆合金组织的方法-CN202310949882.5在审
发明人：坚佳莹;高云鹏;王博;党博;高谦;坚增运 -专利权人：西安工业大学
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： B22F10/28 文献下载
摘要：本发明属于形状记忆合金领域，尤其涉及一种超细化SLM成形CuAlFe形状记忆合金组织的方法，金属元素粉末混匀后由SLM成形，包括以下质量百分含量的组分:基体为81wt％‑83wt％的Cu和12wt％‑14wt％的Al，晶粒细化剂为4wt％‑6wt％的Fe；粉末粒径为：Cu 20‑40μm、Al 20‑40μm、Fe 3‑8μm。制备步骤：金属元素粉末称量后加入球磨罐内，将球磨罐中加入不同大小的不锈钢球进行球磨，实现金属元素粉末混合均匀，干燥处理；最后进行SLM成形。本发明能够生成更多的马氏体相；能够调整激光的能量密度和金属粉末粒径，实现铁粉的不完全熔化；能够大幅度细化合金的组织，使合金拥有优异的力学性能和记忆性能。
细化 slm 成形 cualfe 形状记忆合金组织方法

[发明专利]通过调控锆和碳组分含量制备的改性的高温合金及方法-CN202210442992.8有效
发明人：介子奇;张军;郭敏;徐涛;坚增运 -专利权人：西安工业大学;西北工业大学
申请日： 2022-04-25 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： C22C19/05 文献下载
摘要：本公开提供了一种通过调控锆和碳组分含量制备的改性的高温合金及方法，其中，改性的高温合金包括：改性的IN939高温合金；改性的IN939高温合金的组分以质量百分比计包括：C为0.15‑0.16％、Zr为0.09‑0.18％。该改性的IN939高温合金的组分包括：Cr为22.24％，Co为18.73％、W为1.97％、Nb为0.89％、Ta为1.24％、Ti为3.66％、Al为1.90％、Mo为0.0063％、P为0.0015％、Mn为0.0035％、C为0.15‑0.16％、Zr为0.09‑0.18％、B为0.0042％、Hf为0.019％、V为0.006％、Fe为0.03％、杂质≤0.01％、余量为Ni，其中，各组分的百分比为质量百分比。
通过调控组分含量制备改性高温合金方法

[发明专利]一种具有择优取向的大尺寸高质量辐射探测器用甲胺基金属卤化物钙钛矿单晶及其制备方法-CN202210418717.2有效
发明人：南瑞华;武春燕;王恒;张曦;靳长清;坚增运 -专利权人：西安工业大学
申请日： 2022-04-20 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： C30B29/54 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有择优取向的大尺寸高质量辐射探测器用甲胺基金属卤化物钙钛矿单晶及其制备方法，其化学式为CH3NH3PbCl3，在晶体制备过程中引入高质量籽晶，通过籽晶并在制备中采用逆温差结晶法制备CH3NH3PbCl3单晶，该方法工艺简单，晶体生长温度较低，过程可控，晶体质量高，单晶尺寸可达厘米级，且单晶具有高度的择优取向，具有良好的光电性能、大的禁带宽度、好的耐辐照特性，可以更好满足辐射探测器的应用要求，在强辐射场环境使用更具有优势。
一种具有择优取向尺寸质量辐射探测器用胺基金属卤化物钙钛矿单晶及其制备方法

[发明专利]一种激光增材制造钛合金具有梯度组织特征的方法-CN202010840590.4有效
发明人：任永明;刘永勤;彭浩然;坚增运 -专利权人：西安工业大学
申请日： 2020-08-20 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： B22F3/105 文献下载
摘要：本发明属于金属增材制造技术领域，具体提供了一种激光增材制造(LAM)钛合金具有梯度组织的方法，该方法通过调控LAM参数中相邻道次的扫描速度(最外层采用高扫描速度，最内层采用低扫描速度)及特定扫描路径直接获得梯度组织，即最外层为细小的初生β柱状晶，最内层为粗大的初生β柱状晶，β柱状晶内部为层片状(α+β)或网篮状α相，来获得具有高强度、高塑性的LAM钛合金成形件；该发明是对LAM钛合金成形件微观组织的一种优化方法，可以解决目前LAM钛合金成形件强度与塑性不匹配的难题，本发明的思路同样适用于其他类型合金(包括钛合金、高温合金、钢铁材料、铝合金等)的成形件获得梯度组织的制备。
一种激光制造钛合金具有梯度组织特征方法

[发明专利]一种Ag/MoSe2-CN202110411575.2有效
发明人：坚佳莹;冯浩;张文力;董芃凡;常洪龙;坚增运 -专利权人：西安工业大学
申请日： 2021-04-16 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种Ag/MoSe2‑PMMA/Cu阻变存储器的制备方法，具体为：采用水热法合成麻团状单层MoSe2团簇，将其采用真空抽滤法制备MoSe2薄膜，并将该薄膜与PMMA薄膜复合形成MoSe2‑PMMA薄膜作为阻变功能层材料制备Ag/MoSe2‑PMMA/Cu阻变存储器。发明将单层MoSe2团簇与PMMA形成复合功能层制备Ag/MoSe2‑PMMA/Cu阻变存储器，PMMA薄膜可以将MoSe2薄膜封装在衬底上，使MoSe2薄膜不易被氧化，并且旋涂制备PMMA薄膜时会将MoSe2薄膜凹陷部分填满，使MoSe2‑PMMA复合薄膜厚度均匀且表面光滑，从而提高了阻变存储器的耐受性。
一种 ag mose base sub

[发明专利]一种柔性Ag/MoS2-CN201910767980.0有效
发明人：坚佳莹;冯浩;董芃凡;常洪龙;坚增运 -专利权人：西安工业大学
申请日： 2019-08-20 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供了一种柔性Ag/MoS2/Cu阻变式存储器的制备方法，该存储器包括从下往上依次设置的基片、牺牲层、底电极、阻变层和顶电极；基片为玻璃片，牺牲层为可溶性淀粉，阻变层为水热法制备的MoS2纳米球，顶底电极分别为金属银和铜。本发明的制备方法通过在玻璃片与底电极之间旋涂一层可溶性淀粉薄膜，最后将淀粉薄膜在去离子水中溶解，使Ag/MoS2/Cu阻变存储器和玻璃片分离，可将器件转移到任意衬底上。本发明所选用的牺牲层材料成本低、无毒性，转移过程简单，转移后的器件表现出了非易失性双极阻变存储特性，转移过程对器件的阻变特性没有影响，为MoS2在柔性新型二维材料阻变存储器的制备提供了可能性。
一种柔性 ag mos base sub

[发明专利]一种低功耗纳米SnS2-CN202110861108.X有效
发明人：坚佳莹;苗晨;赵婷;龙伟;董芃凡;常洪龙;坚增运 -专利权人：西安工业大学
申请日： 2021-07-29 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明属于二维材料与器件领域，公开了一种低功耗纳米SnS2柔性阻变存储器及其制备方法，具体技术方案为：首先水热法合成SnS2花状微米球，将其通过液相剥离法制备SnS2纳米片，并将纳米片与聚甲基丙烯酸甲酯PMMA高分子材料复合制备SnS2/PMMA薄膜，将复合薄膜作为阻变介质层材料制备Ag/[SnS2/PMMA]/Cu柔性阻变存储器。其开关比和耐受性两项参数在二维材料阻变存储器中已达到较优水平，Set/Reset电压远低于现有技术制备出的RRAM,有利于其未来在可穿戴设备方面的应用。当器件从高阻转变为低阻时，此器件的功耗极低。SnS2层的厚度约为80 nm，本发明制备的导电细丝型阻变存储器的小型化具有很大潜力。
一种功耗纳米 sns base sub

[发明专利]一种制备水热法MoS2-CN201910767947.8有效
发明人：坚佳莹;冯浩;董芃凡;常洪龙;坚增运 -专利权人：西安工业大学
申请日： 2019-08-20 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备水热法MoS2多级阻变存储器的方法。该阻变存储器由玻璃基底、Cu底电极、MoS2阻变层和Ag顶电极依次叠加的三明治结构组成。其中阻变层MoS2首先是采用钼酸铵、硫脲、盐酸羟胺为原料，通过水热法制备的MoS2花状纳米球；接着采用NN‑二甲基甲酰胺为分散剂对MoS2纳米球进行超声分散；最后用抽滤的方法制备MoS2阻变层薄膜。通过对存储器在不同的限流下进行阻变特性测试，器件表现出不同的低阻态，在一个存储单元中实现了多级存储。
一种制备水热法 mos base sub

[发明专利]一种Ag/[SnS2-CN202110556536.1有效
发明人：坚佳莹;赵婷;常洪龙;董芃凡;冯浩;坚增运 -专利权人：西安工业大学
申请日： 2021-05-21 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及二维材料与器件技术领域，具体涉及一种Ag/[SnS2/PMMA]/Cu低功耗阻变存储器及其制备方法。其公开了一种水热法合成SnS2六方结构纳米片，并将其与PMMA高分子材料复合制备SnS2/PMMA薄膜，将复合薄膜作为阻变功能层材料制备Ag/[SnS2/PMMA]/Cu阻变存储器的方法。其开关比约为106，耐受性达到了104，上述两项参数在二维材料阻变存储器中已达到较优水平的基础上，Set/Reset电压只有‑0.1V/0.14V，远低于现有技术制备出的RRAM,有利于其未来在可穿戴设备方面的应用，当器件从高阻转变为低阻时对应的Set电流为2.6×10‑9A，Set功率仅为3.6×10‑10W,因此器件的功耗极低。
一种 ag sns base sub

[发明专利]一种柔性二维TMDs光电探测器的制备方法-CN202010807246.5有效
发明人：坚佳莹;白泽文;龙伟;常洪龙;坚增运 -专利权人：西安工业大学
申请日： 2020-08-12 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及光电子技术领域，公开了一种柔性二维TMDs光电探测器的制备方法。所述方法包括如下步骤：首先采用CVD法在生长衬底上制备出二维TMDs薄膜；接着在生长衬底上旋涂一层PI溶液并加热固化形成PI固体薄膜。将固化后的PI薄膜从生长衬底上撕下，二维TMDs薄膜与生长衬底分离并贴附在PI薄膜上；最后采用真空热蒸发镀膜法,在粘贴有二维TMDs薄膜的柔性PI基底上制备图形化的金属电极。本发明提出了一种制备柔性二维TMDs光电探测器的新方法，该方法简化了二维TMDs光电探测器制备过程中的二维TMDs材料转移工艺，保证了转移前后二维TMDs材料的完整性及均匀性，具有环境友好性。
一种柔性二维 tmds 光电探测器制备方法

[发明专利]一种微合金化的脆性耐蚀高熵非晶合金及其制备方法-CN202110868073.2有效
发明人：徐涛;坚增运;常芳娥 -专利权人：西安工业大学
申请日： 2021-07-30 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： C22C45/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种微合金化的脆性耐蚀高熵非晶合金及其制备方法，其化学式为AaDbEcFdPeBfCgSnh，其中Sn为微合金化元素，式中各元素的含量以原子百分比(at.％)计，具体如下：a为18～23，b为18～23，c为18～23，d为18～23，e为6～12，f为2～6，g为5～10，h为0.5～3，且a+b+c+d+e+f+g+h＝100、e+f+g的和为18～23。同时，A、D、E和F为V、Cr、Mn、Fe、Co和Ni中的一种，且A、D、E和F各不相同。该高熵非晶合金性能的可调控性较高、制备工艺简单，具有较高脆性与易破碎性、耐蚀和较高硬度的特点。此外，通过调控成分还能使该合金具有较好的磁性能。本发明对丰富现有高熵非晶合金体系，开发更多具有可调控的优良综合性能的高熵非晶合金。
一种合金脆性耐蚀高熵非晶及其制备方法

[发明专利]一种有机g-CNQDs修饰CVD单层TMDs光电探测器及其制备方法-CN202210039010.0在审
发明人：坚佳莹;南亚新;董芃凡;龙伟;张曦;冯浩;坚增运 -专利权人：西安工业大学
申请日： 2022-01-13 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机g‑CNQDs修饰CVD单层TMDs光电探测器，它包括CVD单层TMDs薄膜以及覆盖在TMDs薄膜表面的g‑CNQDs，单层TMDs薄膜为二维材料，g‑CNQDs为零维材料，二者通过形成异质结，构建形成TMDs/g‑CNQDs异质结构的光电探测器；本发明还提供了上述g‑CNQDs修饰CVD单层TMDs光电探测器的制备方法，依次通过清洗、掺杂和干燥步骤制备而成，制备方法简单，过程易于控制，环境友好且性能优异，g‑CNQDs修饰CVD单层TMDs光电探测器较未修饰之前不仅光谱响应范围得到了拓宽，光响应度也得到了较大的提升。
一种有机 cnqds 修饰 cvd 单层 tmds 光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种稀土掺杂辐射探测器用双卤素杂化钙钛矿晶体材料及其制备方法-CN202110243322.9有效
发明人：南瑞华;王恒;申红霞;王吉;扈琳;靳长清;坚增运;魏永星 -专利权人：西安工业大学
申请日： 2021-03-05 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： C30B29/54 文献下载
摘要：本发明公开了一种稀土掺杂辐射探测器用双卤素杂化钙钛矿晶体材料，其化学式为CH3NH3(PbxTm1‑x)(BryI1‑y)3，其中，x＝0.91，y＝0.451‑1，该材料性能稳定，具有较好的电阻率和较低的漏电流，电阻率可达4.79×108Ω·cm，漏电流可达56nA；本发明还提供了该晶体材料的制备方法，配置含有溴元素和碘元素的前驱液并将其混合形成混合液，将稀土氧化物Tm2O3混合至该混合液中，过滤后将其置于加热水箱中加热使晶体生长，干燥后即得到晶体材料，制备工艺简单，过程易于控制，在晶体生长过程中通过三段升温控制方法使得晶体生长过程稳定，生长的晶体质量较高，性能好，成本低。
一种稀土掺杂辐射探测器用卤素杂化钙钛矿晶体材料及其制备方法

[发明专利]一种陶瓷颗粒原位增强高熵合金及其制备方法-CN202110652317.3在审
发明人：朱满;姚丽娟;李坤;张弛;刘永勤;坚增运 -专利权人：西安工业大学
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： C22C30/00 文献下载
摘要：本发明涉及合金制备技术领域，具体涉及一种陶瓷颗粒原位增强高熵合金及其制备方法。该的合金表达式为CoFeNiMn(NbC)x，式中的x为摩尔分数，0.4≤x≤1.2。该合金的制备过程如下：按照化学计量比称量高纯度的Co、Fe、Ni、Mn、Nb和C，采用真空电弧熔炼成母合金得到CoFeNiMn(NbC)x高熵合金。本发明的CoFeNiMn(NbC)x高熵合金中NbC颗粒细小、均匀分布于基体内，且NbC颗粒与基体之间界面结合良好；同时，通过调控(Nb+C)含量可以精确控制NbC颗粒的尺寸及含量，获得兼具高强度和良好的压缩塑性的高熵合金。本发明提供了微米级NbC颗粒原位增强CoFeNiMn高熵合金，该合金具有高强度、良好塑性的特性，且制备工艺简单。
一种陶瓷颗粒原位增强合金及其制备方法

[发明专利]基于层状过渡金属硫化物的柔性光电探测器及其制备方法-CN201910864259.3有效
发明人：坚佳莹;董芃凡;常洪龙;坚增运 -专利权人：西安工业大学
申请日： 2019-09-12 - 公布日： 2021-07-02 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明涉及微电子技术领域，具体涉及一种基于层状过渡金属硫化物的柔性光电探测器及其制备方法。本发明光电探测器由柔性衬底、过渡金属硫化物薄膜和金属电极由下而上依次叠加组成；其制备方法为：过渡金属硫化物是通过低成本、可大批量生产的水热法或物理气相沉积法制备而成，在过渡金属硫化物加入分散剂和增稠剂，采用球磨法分散材料形成过渡金属硫化物分散液，并采用旋涂法在柔性衬底上形成一层过渡金属硫化物纳米薄膜，最后以铜网为硬质掩膜版，采用真空镀膜法制备金属电极。本发明的柔性光电探测器制备工艺简单、产量高、成本低、柔性好。
基于层状过渡金属硫化物柔性光电探测器及其制备方法

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