“多级存储器”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果9592965个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]存储器分配-CN200580011189.3无效
发明人：伊万·布勒;皮埃尔·勒贝 -专利权人：扎鲁纳股份有限公司
申请日： 2005-02-14 - 公布日： 2007-04-18 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：本发明公开了存储器分配。提供了一种管理数据存储器以改进对存储器分配请求的处理的方法。将存储器段根据其大小与不同的等级相关联。为每个等级定义2的幂值形式的不同的粒度大小。提供了一种多级位映射，其指示哪个等级包含空闲段以及空闲段的大小。每次当释放或分配存储器段时，更新该位映射。从而，提供了确定性的“最佳适合”方法，该方法允许在任务级别和中断级别下进行存储器段的分配和释放，并且该方法减少了存储器碎片。
存储器分配

[发明专利]一种双栅非易失电荷陷阱存储器及其制备方法-CN201910041497.4在审
发明人：张卫;熊妍;王水源;周鹏 -专利权人：复旦大学
申请日： 2019-01-16 - 公布日： 2019-05-24 - 主分类号： H01L27/11568 文献下载
摘要：本发明属于存储器技术领域，具体为基于双极性二维材料来构筑双栅结构非易失性电荷陷阱存储器。本发明利用双极性二维材料作为沟道材料，应用双栅结构调控沟道载流子的极性，来实现动态可配置的多级单元存储器。本发明通过双栅电压调控实现了动态可配置的多级单元存储，不再受限于传统电荷陷阱存储器固定的器件特性工作模式，在未来的数据存储和神经形态计算的新型领域具有广阔的应用前景。
二维材料双极性存储器电荷陷阱可配置的双栅结构双栅存储器技术领域多级单元存储器化学气相沉积电荷捕获层电荷阻挡层沟道载流子陷阱存储器原子层沉积传统电荷电压调控多级单元非易失性工作模式沟道材料光刻工艺金属电极器件特性神经形态数据存储物理机械制备过程非易失固定的介电层衬底顶栅沟道受限制备应用剥离存储构筑生长调控

[发明专利]具有不同高速缓存结构和支持对不同高速缓存结构的并发查找的存储器控制器的多级系统存储器-CN201780073872.2在审
发明人： I.戴曼德;Z.格林菲尔德;J.Y.曼德尔布拉特;A.鲁宾斯坦 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2017-11-13 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： G06F12/0802 文献下载
摘要：该设备包括通过接口连接到具有第一和第二不同高速缓存结构的多级系统存储器的存储器控制器。存储器控制器具有通过对于由读取请求所针对的高速缓存行在第一和第二不同高速缓存结构中并发执行查找而服务于读取请求的电路。
高速缓存结构存储器控制器读取请求多级系统存储器查找并发执行高速缓存接口连接并发电路服务

[发明专利]一种阻变存储器及制备方法-CN201810459344.7有效
发明人：周晔;韩素婷;吕子玉;陈朦 -专利权人：深圳大学
申请日： 2018-05-15 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种阻变存储器及制备方法，所述阻变存储器包括：底电极、顶电极以及设置在所述底电极与所述顶电极之间的介质层；其中，所述介质层的材料为掺杂量子点的生物基材料。本发明通过将量子点作为光响应单元掺杂在生物基材料中，从而赋予存储器光响应属性。本发明所述阻变存储器具有光响应性好、功耗低、存储密度高、质量轻的特点，而且有利于多级存储体系的开发。
一种存储器制备方法

[发明专利]多级单元存储器-CN201280074302.2在审
发明人： N.穆拉利马诺哈;H.B.庸;N.P.朱皮 -专利权人：慧与发展有限责任合伙企业
申请日： 2012-06-28 - 公布日： 2015-02-25 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：一种多级单元存储器，包括：存储器单元，其存储两个或更多位的信息；感测电路，其耦合到存储器单元；以及行缓冲器结构，其包括分页缓冲器，所述分页缓冲器具有第一页缓冲器和第二页缓冲器。感测电路进行操作以读自和写至存储器设备，将第一位置于第一页缓冲器和第二页缓冲器之一中，并且将第二位置于第一页缓冲器和第二页缓冲器之一中。
多级单元存储器

[发明专利]具有备份电路的存储系统及编程方法-CN200810085674.0有效
发明人：崔珍赫;李奉烈 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2008-01-03 - 公布日： 2008-08-20 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：提供了一种存储系统和编程方法。该存储系统包括闪存和存储器控制器。闪存在多级存储单元中存储第一位数据，然后存储第二位数据。存储器控制器包括临时存储第一位数据和第二位数据的缓冲存储器，以及在闪存存储第二位数据时存储第一位数据的备份存储器。当检测到与存储第二位数据相关联的编程故障时，备份存储器将第一位数据重新编程到闪存中。
具有备份电路存储系统编程方法

[发明专利]用于存储器的错误校正-CN200880102644.4有效
发明人：威廉·亨利·拉德克 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2008-07-09 - 公布日： 2010-07-14 - 主分类号： G06F11/10 文献下载
摘要：本发明揭示操作以在多级非易失性存储器内应用并提供不同等级的错误校正的方法及装置。在实例中，相对于存储在多级单元行内的其它页，在所述同一多级单元行的一个页内提供所述不同等级的错误校正。
用于存储器错误校正

[发明专利]细分曲线数据处理实现方法、系统、介质及矢量图形处理装置-CN202010692835.3在审
发明人：迟丞;李江波;迈克·蔡 -专利权人：芯原微电子（上海）股份有限公司;芯原控股有限公司;芯原微电子（南京）有限公司
申请日： 2020-07-17 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： G06T1/20 文献下载
摘要：本发明提供一种细分曲线数据处理实现方法、系统、介质及矢量图形处理装置，包括以下步骤：针对细分曲线的矢量线与X/Y行相交得到的交叉点的指定坐标设置一级至多级缓存表；将信息表在所述存储器中的地址存储在所述内容表，将所述内容表在所述存储器中的地址存储在所述一级缓存表，将所述一级缓存表在存储器中的地址存储在更上一级缓存表；所述信息表中存储所述指定坐标对应的节点信息。本发明的细分曲线数据处理方法、系统、介质及矢量图形处理装置通过多级查找表的方式基于交叉点的X/Y坐标排序进行有效数据的存储，从而有效地减少了对存储器资源的需求，支持多路细分曲线处理，提升了矢量图形渲染的性能
细分曲线数据处理实现方法系统介质矢量图形处理装置

[发明专利]在基于处理器的设备中优化对页表条目的访问-CN202080058258.0在审
发明人： T·P·施派尔 -专利权人：微软技术许可有限责任公司
申请日： 2020-06-15 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： G06F12/0882 文献下载
摘要：公开了在基于处理器的设备中优化对页表条目的访问。在该方面，基于处理器的设备的执行流水线的指令解码级接收包括虚拟存储器地址的存储器访问指令。基于处理器的设备的页表行走器电路基于存储器访问指令确定要遍历的页表行走级别的数目T，其中T大于零(0)并且小于或等于完全转换虚拟存储器地址所需要的页表行走级别的数目。页表行走器接下来执行多级页表的T个页表行走级别的页表行走，并且标识与第T页表行走级别的页表条目相对应的物理存储器地址。然后，基于处理器的设备使用物理存储器地址执行由存储器访问指令指示的存储器访问操作。
基于处理器设备优化页表条目的访问

[发明专利]用于数据存储的方法和系统-CN201110392683.6无效
发明人： J·B·斯特夫勒 -专利权人：通用电气航空系统有限责任公司
申请日： 2011-11-22 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：本发明名称为“用于数据存储的方法和系统”。提供了一种包括多级单元(MLC)存储器模块(114)(包括第一存储器部分(116))的事故保护存储器(CPM)系统(100)。处理器(112)通信地耦合到MLC存储器模块，该处理器编程为在第一存储器部分中将第一数字值写入第一存储器部分中每个数据存储单元的第一级，并且将第二数字值写入每个数据存储单元的第二级，其中第一数字值和第二数字值相同，该处理器编程为从第一存储器部分中每个数据存储单元的每级读取数字值，并且为每个数据存储单元确定单个数字单元值。
用于数据存储方法系统

[发明专利]包含多用户可选编程模式的非易失存储设备及相关的方法-CN200810095145.9无效
发明人：李奉烈 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2008-01-17 - 公布日： 2008-09-17 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：一种存储器系统，包括闪存，存储器控制器以及MLC模式选择器。该闪存包括至少一个存储器单元，该存储器单元被配置成将多比特数据存储在其内。MLC模式选择器被配置成响应于用户选择而产生一个用以指示在存储器单元中是否存储单比特数据还是多比特数据的模式选择信号。该存储器控制器被配置成根据来自MLC模式选择器的模式选择信号，用于在单级单元(SLC)模式中操作闪存来存储单比特数据，或者在多级单元(MLC)模式中操作闪存来存储多比特数据。该存储器设备可以被配置成存储关于存储器单元的编程模式信息，其中该信息表明在其内存储的是单比特数据还是多比特数据。此外，在这里还论述了相关的系统和操作方法。
包含多用户可选编程模式非易失存储设备相关方法

[发明专利]一种解除存储器读写冲突的方法和装置-CN200610061192.2无效
发明人：潘剑锋 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2006-06-16 - 公布日： 2007-09-26 - 主分类号： H04J14/08 文献下载
摘要：本发明提出了一种解除存储器读写冲突的方法，该方法包括以下步骤：检测存储器是否读写冲突；当发生读写冲突时，调整系统指针，使读、写地址不相同。本发明还提出了一种解除存储器读写冲突的装置。本发明提出的方案无需增加存储器深度，减少了存储器的开销，并且，本发明在调整指针时，读写指针相差在一帧范围内，故时延能减少到小于一帧的时间，特别在有多级这样的传送的系统中，大大减少系统的传输时延。
一种解除存储器读写冲突方法装置

[发明专利]预编码直接写入到多级单元存储器的数据的系统和方法-CN201510631821.X有效
发明人： S.A.戈罗贝茨 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2015-09-29 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：一种用于减少在非易失性存储器中的字线(WL)的编程过程期间存储器控制器和多级单元(MLC)非易失性存储器之间的数据转移的方法和系统。系统包括控制器和非易失性存储器，所述非易失性存储器具有多个WL，每个WL具有多个MLC存储器单元。控制器在易失性存储器中贮存接收的数据，直到接收到目标WL数据量。控制器将接收的数据预编码为直接WL编程数据以用于编程目标MLC WL所必要的每个编程过程。用于所有的编程过程的所有的直接WL编程数据在编程之前被贮存在易失性存储器中。将直接WL编程数据的不同的部分在每个通路上从控制器发送到非易失性存储器。在将至少一部分的直接WL编程数据发送到非易失性存储器之前，可以从易失性存储器删除接收的数据。
非易失性存储器编程数据控制器易失性存储器编程过程贮存多级单元存储器存储器控制器数据预编码编程目标多级单元数据转移数据量预编码字线编程删除写入

[发明专利]一个用于时分复用流水线处理器的指令或数据功能存储器的方法-CN202110434316.1在审
发明人：刘欣 -专利权人：刘欣
申请日： 2021-04-22 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： G06F9/38 文献下载
摘要：一个用于时分复用流水线处理器的指令或数据功能存储器的方法，特征为：处理器使用一个多级流水线，流水线的各级流水部件在同一个流水线时钟周期执行不同线程的操作；所有复用该流水线的线程根据其切入流水线的时间规律，分成多个线程组，指令或数据功能存储器使用多个容量相同或不同的子存储器组合而成，所有线程通过时分复用方式访问一个或多个指令或数据功能存储器的子存储器，一个可行的子存储器实体是单端口的静态随机存储器(SP‑SRAM
一个用于时分流水线处理器指令数据功能存储器方法

[发明专利]一种处理器的指令或数据功能存储器-CN202110773081.9在审
发明人：刘欣 -专利权人：刘欣
申请日： 2021-07-08 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： G06F9/38 文献下载
摘要：一个用于时分复用流水线处理器的指令或数据功能存储器的方法，特征为：处理器使用一个多级流水线，流水线的各级流水部件在同一个流水线时钟周期执行不同线程的操作；所有复用该流水线的线程根据其切入流水线的时间规律，分成多个线程组，指令或数据功能存储器使用多个容量相同或不同的子存储器组合而成，所有线程通过时分复用方式访问一个或多个指令或数据功能存储器的子存储器，一个可行的子存储器实体是单端口的静态随机存储器(SP‑SRAM
一种处理器指令数据功能存储器