专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种浮栅存储及其制备和控制方法-CN201610132485.9在审
  • 陈琳;戴亚伟;郑亮;孙清清;张卫 - 复旦大学
  • 2016-03-09 - 2016-07-06 - H01L27/115
  • 本发明属于存储技术领域,具体为一种浮栅存储及其制备方法和控制方法。本发明浮栅存储包括:衬底,位于衬底上的二维材料层,位于二维材料层两侧的源极和漏极,位于二维材料层上的浮栅堆叠(包括隧穿氧化层和电荷俘获层),位于所述浮栅堆叠上的控制栅堆叠(包括栅氧化层和控制栅)。将所述控制栅和所述源极接地,对所述漏极施加编程电压,或者,将所述控制栅和所述漏极接地,对所述源极施加编程电压,浮栅存储以忆阻模式运行。本发明将浮栅存储技术与二维材料相结合,制备出可运行在多模式下的二维浮栅存储,实现器件的性能优化,并且通过调控栅压来控制沟道区载流子的浓度,实现器件多级阻态的精密控制。
  • 一种存储器及其制备控制方法
  • [实用新型]一种便携式多媒体影音播放-CN200520061781.1无效
  • 陈安;罗剑雄 - 中国电子工业深圳总公司
  • 2005-07-15 - 2006-08-30 - G11B31/00
  • 本实用新型涉及一种便携式多媒体影音播放,包括便携式壳体、影音界面、键盘电路、主控制、数模转换、数码功能电路、USB接口和包括若干电源电极的电源电路,还包括硬盘存储和缓冲存储,该缓冲存储的出口与主控制的数据接口相连接,该硬盘存储的数据出口与该缓冲存储的入口相连接或兼与主控制的数据接口相连接;此外还包括具有一条或一条以上控制通路的供电管理电路,每条控制通路包括触发端子和单或多级控制通路,各触发端子与主控制的相应数据接口相连接,其中,硬盘存储的驱动电源引入端子与其电源电极之间的电路中连接有控制通路。本实用新型便携式多媒体影音播放兼具存储容量大、播放功能多样而且电能消耗经济。
  • 一种便携式多媒体影音播放
  • [发明专利]虚拟软件定义网络交换机-CN201510297237.5有效
  • 李丹;余逸荣 - 清华大学
  • 2015-06-03 - 2018-10-02 - H04L12/931
  • 本发明提出一种虚拟软件定义网络交换机,包括:预处理模块,从数据报文中提起头部字段和虚拟交换机编号;多级处理流水级,每级处理流水级包括匹配查询串提取和通配规则表;匹配查询串提取从头部字段中选择多个字段,将多个字段拼接为匹配查询串;通配规则表包括三态内容寻址存储和静态随机寻址存储,三态内容寻址存储存储有多行匹配规则,通配规则表根据匹配查询串从三态内容寻址存储中查询匹配规则,并据此从静态随机寻址存储选择并执行相应的指令本发明的交换机可以根据自身应用需求在物理交换机上灵活定义虚拟交换机的处理逻辑,进而可以灵活调整物理交换机存储资源配置,提高存储资源利用效率。
  • 虚拟软件定义网络交换机
  • [发明专利]一种阻变存储及其制备方法-CN201010193197.7无效
  • 卢敬权 - 中山大学
  • 2010-06-01 - 2010-11-24 - H01L45/00
  • 本发明涉及一种阻变存储及其制备方法,属于信息技术存储领域。所述阻变存储,包括上电极、下电极以及位于所述上电极和下电极之间的阻变材料层,所述上电极和下电极为金属电极或金属化合物电极,所述阻变材料层由经过抛光处理的导电衬底及其上的TiO2薄膜组成,所述导电衬底为本发明阻变存储具有较为稳定的具有实用价值的中间阻态,实现了多级存储,从而提高了阻变存储存储能力;并且本发明克服了现有阻变材料层阻变参数随机性大的问题,提高了阻变材料层的的阻变性能。
  • 一种存储器及其制备方法
  • [发明专利]增加DRAM并行性的系统和方法-CN200680023834.8有效
  • R·特里克 - 英特尔公司
  • 2006-06-30 - 2008-07-02 - G06F13/16
  • 一种用于多级存储协议的方法和装置。在某些实施例中,一种装置可包括存储控制(MC)以及与该MC接口的多个分级的动态随机存取存储(DRAM)设备,其中在MC和多个分级的DRAM设备之间以及在多个分级的DRAM设备之间的操作的定时和启动由在某些实施例中,一种方法可包括将请求寻址至多个分级的动态随机存取存储(DRAM)设备之一;从与多个等级DRAM设备接口的MC发送请求;以及将该请求从MC通过多个分级的DRAM设备传播到被寻址分级的DRAM
  • 增加dram并行系统方法
  • [发明专利]统一的多级单元存储-CN200410078554.X有效
  • H·V·特兰;H·Q·阮;V·萨林;L·B·霍尔恩;I·诺吉马 - 硅存储技术公司
  • 2004-09-09 - 2005-03-16 - G11C7/00
  • 一种统一的存储可包括多种类型的内容,例如数据或快码或慢码。该数据或代码可以存储于单独的阵列中或公用阵列中。在阵列中,标签位可表示内容的类型,例如数据或快码或慢码或单级或多级内容。标签位可表示通信接口或IO驱动类型。感测放大器可基于所读取数据的类型进行配置。使用闪存安全性措施来保护受保护的存储区。使用闪存安全性密钥来鉴别和批准特定的存储区。在统一的存储中包括XCAM(例如,CAM)阵列。包括统一的存储并行性。
  • 统一多级单元存储器
  • [发明专利]存储的数据建立时间的测量电路和测量方法-CN201610242235.0有效
  • 李云艳;杨光华 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2016-04-19 - 2019-10-11 - G11C16/10
  • 本发明公开了一种存储的数据建立时间的测量电路,包括:第一D触发,通过第一时钟信号控制输出数据到存储的数据输入端;存储的数据输出端连接第二D触发的数据输入端并在第三时钟信号的控制下输出;第二时钟信号连接到存储的时钟输入端;第三时钟信号连接到第二D触发的时钟输入端;由多级缓冲串联形成缓冲串联电路输出第一至三时钟信号并能调节第一至三时钟信号之间的上述沿的偏移值;通过对第一至三时钟信号的偏移值的大小设置逐步逼近得到存储的数据建立时间本发明还公开了一种存储的数据建立时间的测量方法。本发明能提高测试精度。
  • 存储器数据建立时间测量电路测量方法

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