“齐林喜”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果67个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]多晶硅生产的渣浆处理系统-CN201611063705.3有效
发明人： 齐林喜;赵亮;陈建宇;吉佳佳 -专利权人：巴彦淖尔聚光硅业有限公司
申请日： 2016-11-28 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：一种多晶硅生产的渣浆处理系统，包括第一沉降罐、旋转搅拌蒸发釜、换热器、残液塔及氯硅烷储罐，其中，第一沉降罐用于接收来自于冷氢化粗馏塔的渣浆，第一沉降罐、换热器、残液塔、氯硅烷储罐依次相连，旋转搅拌蒸发釜同时与第一沉降罐、换热器和残液塔相连。第一沉降罐用于沉降冷氢化粗馏塔的渣浆，换热器用于将第一沉降罐中沉降后的上层清液换热后送入残液塔提纯，残液塔用于将提纯后的氯硅烷送入氯硅烷储罐，旋转搅拌蒸发釜用于将第一沉降罐中沉降后的下层渣浆和来自于残液塔的杂质搅拌加热蒸发分离，分离后的氯硅烷送入换热器换热，固体干硅固渣粉末排出。本发明的多晶硅生产的渣浆处理系统，可以提高回收物质量并减少生产成本。
多晶生产处理系统

[发明专利]多晶硅生产工艺-CN201610092668.2有效
发明人： 齐林喜;郭金强 -专利权人：巴彦淖尔聚光硅业有限公司
申请日： 2016-02-19 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： C01B33/03 文献下载
摘要：一种多晶硅生产工艺，包括如下步骤：硅棒初步生长步骤：在还原炉里通入氢气和二氯二氢硅，在硅芯表面生成多晶硅使硅棒生长到预定尺寸；硅棒完整生长步骤：通入三氯氢硅、二氯二氢硅和氢气的混合气体，完成硅棒生长；开炉步骤:待硅棒生长完成后，打开还原炉，取出硅棒。本发明的多晶硅生产工艺，采用两段生长的方式，开始采用二氯二氢硅和氢气反应的方式，比常规氢气还原三氯氢硅的方式生长速度快，一般倒棒的事故多发生在晶棒生长的前期，这就减少倒棒发生的可能，本发明的多晶硅生产工艺，能够减少倒棒率，降低生产成本。硅棒完整生长阶段，加入有部分二氯二氢硅，可以有效地增加硅的生成率，提高原料的转化效率10%到15%。
多晶生产工艺

[发明专利]多晶硅还原炉调功柜控制系统-CN201511009524.8有效
发明人： 齐林喜;吉佳佳;陈建宇;赵亮;郑泽飞;高晶 -专利权人：巴彦淖尔聚光硅业有限公司
申请日： 2015-12-30 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： G05B19/04 文献下载
摘要：本发明揭示了一种多晶硅还原炉调功柜控制系统，包括由绕组线圈和晶闸管构成的输入端以及由零线和火线构成的输出端以及与绕组线圈一端电性连接的主快速熔断器，所述输出端包括跨接在零线与火线上的电压传感器，绕组线圈一端与零线连接，另一端分别经过所述主快速熔断器、电容、电阻及电流感应器后与火线连接，所述电容及电阻串联构成一电子组件，所述控制系统还包括并联在电子组件两端的晶闸管以及与晶闸管的门极电性连接的控制模块，所述电流感应器及电压感应器分别向控制模块馈入信号。
多晶还原炉调功柜控制系统

[发明专利]多晶硅的还原生产-CN201810370079.5在审
发明人： 齐林喜;陈建宇;郝爱科;赵亮 -专利权人：内蒙古盾安光伏科技有限公司
申请日： 2018-04-24 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：多晶硅的还原生产方法，包括：提供还原炉；将多个硅芯棒安装在还原炉中，控制炉内有效单位体积内硅芯生长表面面积；向还原炉中通入氢气和三氯氢硅混合气体原料；控制还原炉内温度；在硅芯棒上生长多晶硅体，控制炉内有效单位体积内最终长成的多晶硅体表面积；停止通入混合气体原料，并切换为通入氢气，直至还原炉内温度降低至预定值。
还原炉多晶硅混合气体原料有效单位氢气硅芯棒控制炉还原多晶硅体三氯氢硅生长表面温度降低硅芯生长生产

[发明专利]太阳能级多晶硅产品及其生产方法-CN201810335325.3在审
发明人： 齐林喜;陈建宇;郝爱科;赵亮 -专利权人：内蒙古盾安光伏科技有限公司
申请日： 2018-04-16 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：太阳能级多晶硅产品及其生产方法。该多晶硅产品包括硅芯和围绕硅芯长成的多晶硅体。在该多晶硅棒产品的横截面上，多晶硅体形成大致椭圆形，硅芯则形成基本居中位于椭圆形内的大致矩形。本发明的椭圆棒多晶硅产品物理性能好，有利于后续高效运输，并能以更经济的方式生产。
硅芯太阳能级多晶硅多晶硅产品多晶硅体大致矩形多晶硅棒物理性能椭圆生产运输

[发明专利]多晶硅还原炉的电极组件-CN201610701645.7有效
发明人： 齐林喜;喻波;陈建宇;赵亮;郝爱科 -专利权人：内蒙古盾安光伏科技有限公司
申请日： 2016-08-23 - 公布日： 2019-07-30 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：一种多晶硅还原炉的电极组件，包括石墨支撑底座，石墨支撑底座包括第一导电臂和第二导电臂，第一导电臂上设置有安装硅芯的第一安装部，第二导电臂上设置有安装硅芯的第二安装部。本发明的多晶硅还原炉电极组件，将硅芯的密度增加一倍，在还原炉发生还原反应的时候，热量、物料利用率提高，成本降低。
多晶还原电极组件

[发明专利]多晶硅生产用的硅芯结构-CN201711460315.4在审
发明人： 齐林喜;陈建宇;赵亮;郝爱科 -专利权人：内蒙古盾安光伏科技有限公司
申请日： 2017-12-28 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： C01B33/021 文献下载
摘要：一种多晶硅生产用的硅芯结构，其包括第一硅芯、第二硅芯和搭接第一硅芯和第二硅芯的横梁，还包括石墨连接件，石墨连接件包括固定第一硅芯的硅芯搭接部和固定横梁的横梁搭接部。本发明的多晶硅生产用的硅芯结构采用石墨连接件连接第一硅芯和横梁，石墨连接件包括固定第一硅芯的硅芯搭接部和固定横梁的横梁搭接部，石墨连接件可以将第一硅芯和横梁稳定固定在一起，而且石墨连接件可以导电，保持多晶硅生产用的硅芯结构使用过程中的电流通过，减少倒棒率。
硅芯石墨连接件横梁多晶硅生产硅芯结构搭接部固定横梁电流通过搭接倒棒导电

[实用新型]一种四氯化硅电加热器-CN201821402574.1有效
发明人：喻波;齐林喜;陈阿龙;赵亮 -专利权人：内蒙古盾安光伏科技有限公司
申请日： 2018-08-29 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： F24H9/18 文献下载
摘要：本实用新型提供一种四氯化硅电加热器，包括安装座、安装在安装座上的若干压力容器以及设置在每个压力容器内部的电加热管，所述每个压力容器是竖直地安装在安装座上，所述电加热管沿着每个压力容器纵向分布，所有的压力容器形成串联连接，在串联连接的压力容器中且位于两端的压力容器分别设有进口和出口，所述每个压力容器均设有排污口，本实用新型的电加热器竖直安装，四氯化硅加热后产生的部分硅粉及不定性硅因受重力的作用沉积在压力容器的底部，检修时可以定期清理，直接延长了电加热器的使用周期。
压力容器电加热器四氯化硅安装座本实用新型电加热管进口和出口定期清理使用周期竖直安装纵向分布排污口沉积硅粉竖直加热检修

[发明专利]多晶硅还原炉的硅芯结构-CN201710285198.6有效
发明人： 齐林喜;赵波 -专利权人：内蒙古盾安光伏科技有限公司;宜阳天择加工有限公司
申请日： 2017-04-27 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：一种多晶硅还原炉的硅芯结构，其包括第一硅芯、第二硅芯和搭接第一硅芯和第二硅芯的横梁。第一硅芯、第二硅芯和横梁其中之一至少有一部分为石墨材料制作。一种多晶硅还原炉的硅芯结构，其包括第一硅芯、第二硅芯和搭接第一硅芯和第二硅芯的横梁。第一硅芯包括晶硅部与晶硅部连接的石墨部。本发明的多晶硅还原炉的硅芯结构，在硅芯材料上至少部分选用了石墨材料，材料成本和加工成本都较低。
多晶还原结构

[发明专利]污水处理工艺及系统-CN201510278349.6有效
发明人： 齐林喜;杨智盼 -专利权人：内蒙古盾安光伏科技有限公司
申请日： 2015-05-28 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： C02F9/10 文献下载
摘要：本发明提供污水处理工艺及系统，该系统包括处理生产污水且依次连接的水站、脱盐水站、二回水站、三废处理站、三废排污池、第一提升泵、机械过滤器以及三效蒸发器，所述二回水站和三效蒸发器均循环连接水站，所述二回水站包括依次连接的空气气浮器、第一加药泵、一体净水器、超级过滤器与RO反渗透器；该系统还包括预处理生活污水且依次连接的地埋式污水处理器、第二提升泵、第二加药泵、管道混合器、多介质过滤器和超滤器，所述多介质过滤器和超滤器均循环连接地埋式污水处理器，所述超滤器与水站连接，该污水处理方法可以防止污染环境，节省生产成本。
污水处理工艺系统

[实用新型]椭圆棒多晶硅-CN201820530505.2有效
发明人： 齐林喜;陈建宇;郝爱科;赵亮 -专利权人：内蒙古盾安光伏科技有限公司
申请日： 2018-04-16 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： C01B33/021 文献下载
摘要：椭圆棒多晶硅，包括硅芯和围绕硅芯长成的多晶硅体。在该椭圆棒多晶硅的横截面上，多晶硅体形成大致椭圆形，硅芯则形成基本居中位于椭圆形内的大致矩形。硅芯表面积与硅芯重量之比在0.5cm²/g至1.8cm²/g之间。在该椭圆棒多晶硅的横截面上的多晶硅体所形成的大致椭圆形与硅芯所形成的大致矩形的面积之比在10至180之间。本实用新型的椭圆棒多晶硅物理性能好，有利于后续高效运输，并能以更经济的方式生产。
硅芯多晶硅椭圆多晶硅体大致矩形本实用新型物理性能运输生产

[发明专利]多晶硅生产工艺及系统-CN201510281151.3有效
发明人： 齐林喜;陈杰;赵亮 -专利权人：内蒙古盾安光伏科技有限公司
申请日： 2015-05-28 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明揭示了一种多晶硅生产工艺，该工艺包括如下步骤：将原料四氯化硅加热汽化并与原料氢气按比例混合成汽化处理后气体；将汽化处理后气体注入氢化反应装置中使四氯化硅与氢气在氢化反应装置中进行冷氢化反应，生成包含有三氯氢硅的总反应生成气；将总反应生成气中的三氯氢硅冷凝分离出来；其中，所述氢化反应装置包括用于接收汽化处理后气体的第一级氢化反应器，及与第一级氢化反应器串联的次级氢化反应器，所述工艺还包括将汽化后的四氯化硅直接补充到次级氢化反应器中的步骤，该工艺有效提高了三氯氢硅的产出率。
多晶生产工艺系统

[发明专利]多晶硅还原炉的电极组件-CN201610766663.3有效
发明人： 齐林喜;喻波;陈建宇;赵亮;郝爱科;高礼强 -专利权人：内蒙古盾安光伏科技有限公司
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2018-12-07 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：一种多晶硅还原炉的电极组件，安装在还原炉底盘上，包括与电极配合的第一卡座及安装在第一卡座上的第二卡座，第一卡座上设置有用于安装硅芯的第一安装部，第二卡座上设置有用于安装硅芯的第二安装部。本发明的多晶硅还原炉的电极组件，采用多个卡座套接、嵌合的方式，增加硅芯的密度，降低生产成本，而且不改变还原炉底盘等原有的还原炉结构，可以在原有的设备上完成改造，改造成本较低。
多晶还原电极组件

[发明专利]多晶硅生产系统-CN201510324789.0有效
发明人： 齐林喜;陈建宇;吉佳佳 -专利权人：内蒙古盾安光伏科技有限公司
申请日： 2015-06-15 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： C01B33/03 文献下载
摘要：一种多晶硅生产系统，包括还原装置、为还原装置供应蒸汽的蒸汽锅炉及为还原装置供应氢气的氢氧站，该蒸汽锅炉包括锅炉体及加热锅炉体的燃烧器。多晶硅生产系统还包括把氢氧站的氧气导入到燃烧器的输氧管。本发明的多晶硅生产系统，将氢氧站电解后的氧气通入蒸汽锅炉的燃烧器助燃，可以使燃料燃烧更为充分，起到节约燃料的效果，从而降低了生产成本。
多晶生产系统

[发明专利]多晶硅生产工艺-CN201510276738.5有效
发明人： 齐林喜;赵亮 -专利权人：内蒙古盾安光伏科技有限公司
申请日： 2015-05-27 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： C01B33/03 文献下载
摘要：本发明提供多晶硅生产工艺，将精三氯氢硅和氢气按比例混合作为原料依次通过鼓泡汽化器、出入气换热器和CVD还原炉主炉；然后将精三氯氢硅和二氯二氢硅按比例混合作为辅料通过氯硅烷汽化器生产辅料气体；经过鼓泡汽化器生成的原料气体在CVD还原炉主炉内生成多晶硅，其副产物为中间尾气与辅料气体在静态混合器中混合后通入CVD还原炉辅炉；中间尾气与辅料气体在CVD还原炉辅炉内的硅芯表面发生反应生成多晶硅，其副产物为终极尾气与原料气体在出入气换热器内换热后再通入还原尾气回收系统，本发明可以提高多晶硅的生成率和沉积速率，也可以降低终极尾气的物料总量。
多晶生产工艺

1
2
3
4
5
下一页»
尾页
共 67 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top