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[发明专利]基板处理方法以及基板处理装置-CN201610512071.9有效
发明人：三浦繁博;佐藤润 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2016-06-30 - 公布日： 2019-08-13 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理方法以及基板处理装置。基板处理方法是使用了处理室的基板处理方法，该处理室具有：第1处理气体供给区域；为了对供给于该第1处理气体供给区域的第1处理气体进行排气而设置的第1排气口；第2处理气体供给区域；为了对供给于该第2处理气体供给区域的第2处理气体进行排气而设置的第2排气口；将所述第1排气口和所述第2排气口连通的连通空间，在该基板处理方法中，使所述第1排气口的排气压力比所述第2排气口的排气压力高出规定压力，防止所述第2处理气体混入所述第1排气口来进行基板处理。
处理方法以及装置

[发明专利]绝热式压缩空气蓄能处理-CN201180046211.3有效
发明人： H·A·基德;H·F·米勒 -专利权人：迪傲公司
申请日： 2011-07-26 - 公布日： 2013-08-07 - 主分类号： F02C6/16 文献下载
摘要：一种压缩气体蓄能系统，包括压缩机，压缩机适于接收处理气体并且输出被压缩的处理气体。热传递单元可以连接于压缩机并且适于接收被压缩的处理气体和热传递介质并且输出被冷却的处理气体和被加热的热传递介质。压缩气体储存单元可以连接于热传递单元并且适于接收并储存被冷却的处理气体。废热回收单元可以连接于热传递单元并且适于接收被加热的热传递介质。
绝热压缩空气蓄能处理

[发明专利]立式成膜装置及其使用方法-CN201010568506.4有效
发明人：松永正信;周保华;米泽雅人;长谷川雅之;长谷部一秀 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2010-11-26 - 公布日： 2011-06-01 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：该立式成膜装置的使用方法在不存在产品用被处理体的状态的处理容器内，进行用覆膜包覆处理容器的内壁的覆膜处理，接着，在收纳有保持了产品用被处理体的状态的保持构件的处理容器内，进行在产品用被处理体上形成规定的膜的成膜处理在覆膜处理中，将第1处理气体和第2处理气体交替地供给到处理容器内且均不将第1处理气体和第2处理气体等离子化就供给到处理容器内。在成膜处理中，一边利用等离子体生成系统将第1处理气体和第2处理气体中的至少一种气体等离子化而供给到处理容器内一边将第1处理气体和第2处理气体交替地供给到处理容器内。
立式装置及其使用方法

[发明专利]用于半导体制造设备的气体管路控制装置-CN201910560512.6有效
发明人：霍冬冬;蔡学权 -专利权人：英特尔半导体（大连）有限公司;英特尔公司
申请日： 2019-06-26 - 公布日： 2020-06-12 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本公开提供了一种用于半导体制造设备的气体管路控制装置，半导体制造设备包括处理气体供给管路、处理气体排出管路和保护气体供给管路，所述气体管路控制装置包括：保护气体供给阀，设置在保护气体供给管路中，被配置为在保护气体供给阀处于打开状态时，使得保护气体供给管路与处理气体排出管路处于连通状态，以向处理气体排出管路供给保护气体，以及在保护气体供给阀处于关断状态时，使得保护气体供给管路与处理气体排出管路处于非连通状态，以禁止向处理气体排出管路供给保护气体；以及第一控制开关，被配置为在接收到保护气体供给信号时，使保护气体供给阀处于打开状态，并且在未接收到保护气体供给信号时，使保护气体供给阀处于关断状态。
用于半导体制造设备气体管路控制装置

[发明专利]一种半导体衬底处理装置-CN202011061636.9在审
发明人：李殷廷;熊文娟;崔恒玮;田光辉;蒋浩杰 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请涉及半导体衬底的处理装置，具体包括：处理室；衬底支承件；向所述处理室供给处理气体的处理气体供给系统，所述处理气体供给系统包括沿垂直方向延伸的管嘴，且所述管嘴上沿垂直方向上至少开设有两列气体喷嘴。本申请通过开设两列气体喷嘴，可以有效改善气体喷洒的均匀性，从而保证被处理衬底表面都能被处理气体均匀喷洒覆盖，从而保证扩散等衬底处理的效果。
一种半导体衬底处理装置

[发明专利]一种用于热式质量流量控制器的气体质量流量校准方法-CN202210339302.6在审
发明人：周璐;孔令伟;董栋;钱伟;窦灏;丁万生;李德安;田红兵;刘文亮;徐军;杨晓明;孟繁杰;刘文芝;刘霞;季德程;梁荣林;刘景超;孙勋松;张亮;成林全;王新 -专利权人：青岛明华电子仪器有限公司
申请日： 2022-04-01 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： G01F25/10 文献下载
摘要：本公开提供了一种用于热式质量流量控制器的气体质量流量校准方法，包括：基于标准质量流量控制值以对某一待处理气体的质量流量进行控制，待处理气体与热式质量流量控制器的标定气体不同；采用体积流量计获取待处理气体的质量流量实测值；基于待处理气体的标准质量流量控制值及质量流量实测值获取质量流量校准模型；采用质量流量校准模型对待处理气体的目标质量流量控制值进行校准以获取待处理气体的实际质量流量控制值，并基于实际质量流量控制值对待处理气体的质量流量进行控制通过本公开提供的方法，有效解决了现有技术中的热式质量流量控制器只能对单一气体的质量流量进行控制的问题。
一种用于质量流量控制器气体校准方法

[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质-CN201811034110.4在审
发明人：镰仓司;盛满和广;板谷秀治;西谷英辅;松井俊 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2018-09-05 - 公布日： 2019-08-13 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。本发明的课题在于提供：在对衬底交替供给第一处理气体和第二处理气体的等离子体的循环处理的情况下，能够良好地实施对该衬底的处理的技术。本发明的解决手段为提供下述技术，该技术具有下述工序：第一工序，向收容有衬底的状态的处理空间供给第一处理气体、并且作为第一处理气体的载气而使用非活性气体；和第二工序，向收容有衬底的状态的处理空间供给第二处理气体的等离子体、并且作为第二处理气体的载气而使用活性辅助气体。
处理气体衬底等离子体衬底处理装置半导体器件处理空间载气收容非活性气体辅助气体交替供给循环处理制造

[发明专利]呼出气体处理装置和方法-CN202010952814.0在审
发明人：张帆;姜峰 -专利权人：天津市三博科技有限公司
申请日： 2020-09-11 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： F24F3/16 文献下载
摘要：本发明提供了呼出气体处理装置和方法，用于对用户呼出的气体进行消毒处理，该呼出气体处理装置包括：集气机构、气体消毒处理机构、气体驱动机构和气体防回流机构；气体防回流机构设置在集气机构与气体消毒处理机构之间；集气机构用于收集用户呼出的待处理气体；气体驱动机构驱动集气机构收集的待处理气体通过气体防回流机构进入气体消毒处理机构；气体消毒处理机构用于对进入其内的待处理气体进行高温消毒灭菌处理，并将经高温消毒灭菌处理的待处理气体排出；气体防回流机构用于阻止气体消毒处理机构内的待处理气体进入集气机构。
呼出气体处理装置方法

[发明专利]衬底处理装置和半导体器件的制造方法-CN201410504987.0有效
发明人：丰田一行;松井俊 -专利权人：株式会社日立国际电气
申请日： 2014-09-26 - 公布日： 2018-07-20 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及衬底处理装置及半导体器件的制造方法，衬底处理装置具有：收纳衬底的处理室；从衬底上方供给第一处理气体的第一处理气体供给部；从衬底上方供给第一反应气体的第一反应气体供给部；从衬底侧方供给第二处理气体的第二处理气体供给部；从衬底侧方供给第二反应气体的第二反应气体供给部；和控制部，其以如下方式控制：在处理气体供给工序和反应气体供给工序中的任一工序或者两个工序中，使向衬底中心侧供给的处理气体供给量与向衬底外周侧供给的处理气体供给量不同、或者使向衬底中心侧供给的反应气体供给量与向衬底外周侧供给的反应气体供给量不同。
衬底处理装置半导体器件制造方法

[发明专利]用于在基板上沉积层的设备-CN201580071268.7有效
发明人： M.朗 -专利权人：艾克斯特朗欧洲公司
申请日： 2015-11-19 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： C23C14/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于在基板上沉积层的设备，基板在覆层时横向于进气机构的延伸方向在处理室中沿运动方向运动，进气机构具有处理气体分配腔，处理气体分配腔具有用于输入原料的输入口和在基板的运动轨道的整个宽度上延伸的、朝向基板的、用于排出包含原料的处理气体流的处理气体排出区，与第一排气区的延伸方向平行地沿基板的运动方向在处理气体排出区的前面布置有第二气体分配腔的第二排气区，并且沿基板的运动方向在处理气体排出区的后面布置有第三气体分配腔的第三排气区第二和第三排气区与处理气体排出区直接相邻地布置。处理气体分配腔具有用于通过输入口可输入的固态或液态的原料的汽化装置。
用于基板上沉积设备

[发明专利]衬底处理装置、金属部件及半导体器件的制造方法-CN201680085927.7在审
发明人：稻田哲明;定田拓也;原大介 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2016-08-10 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明提供下述衬底处理装置，其具备：处理室，其收容衬底；处理气体供给系统，其将包含过氧化氢的处理气体导入处理室内；和排气系统，其对处理室内进行排气，其中，处理室、处理气体供给系统及排气系统中的至少任一者由金属部件构成，暴露于处理气体或处理气体液化而产生的液体的金属部件中的至少任一者由包含铁元素的材料构成，金属部件的暴露于处理气体或液体的面的表面由下述层形成，所述层包含通过对金属部件进行烘烤处理而形成的铁的氧化物。由此可降低衬底处理装置的部件所受到的损伤。
金属部件处理气体衬底处理装置处理气体供给系统排气系统室内半导体器件过氧化氢的烘烤处理铁元素暴露氧化物衬底排气液化收容损伤制造

[实用新型]一种气体处理装置-CN201320397550.2有效
发明人：冈田武将;池野友明;滨松健 -专利权人：东洋纺株式会社
申请日： 2013-07-05 - 公布日： 2014-02-26 - 主分类号： B01D53/02 文献下载
摘要：本实用新型提供一种气体处理装置，其可以利用吸附剂高效而连续地对含有有机溶剂的气体进行吸收和解吸。该气体处理装置具有：处理气体入口管线（32），其导入被处理气体；预处理用吸附槽（29），其设置于所述处理气体入口管线（32），并且容纳预处理用吸附剂30；回流气体管线（28），其使由解吸气体从冷凝器及/或分离器挤出的回流气体返回到处理气体入口管线（32）的预处理用吸附槽（29）的上游侧。
一种气体处理装置

[发明专利]等离子体处理装置及其气体供给方法-CN201210174846.8有效
发明人：加藤义之;网仓纪彦;实吉梨沙子;深泽公博 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2012-05-30 - 公布日： 2012-12-05 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体处理装置及其气体供给方法，在交替切换处理气体的供给时，这些处理气体不会混合，比过去更能抑制过渡现象。在晶片的等离子体处理中交替切换至少两种以上的处理气体（例如C4F6气体与C4F8气体）并供给处理室内时，对于供给所切换的处理气体的各个气体供给路，开启设置于其气体供给路中的质量流量控制器（MFC）的下游侧的开闭阀，在质量流量控制器反复设定规定流量和零流量，由此交替开闭各个处理气体的供给。
等离子体处理装置及其气体供给方法

[实用新型]一种旋转换向阀和旋转蓄热式废气焚烧装置-CN201620110623.9有效
发明人：简甦;刘清城 -专利权人：广东环葆嘉节能科技有限公司
申请日： 2016-02-03 - 公布日： 2016-08-31 - 主分类号： F23G7/06 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种旋转换向阀，其包括阀体和阀芯，阀体与阀芯之间具有一定间隙，阀芯由驱动装置带动转动，阀芯与阀体之间设有进气区、排气区、清扫区和至少两个分配区，阀体上设有多个分别与各区相连通的进出口，分配区分为待处理气体分配区和已处理气体分配区，待处理气体分配区与进气区连通形成待处理气体通道，已处理气体分配区与排气区连通形成已处理气体通道；阀芯为中空结构与清扫区连通形成清扫气体通道，当清扫气体通道处于正压或负压时，清扫区隔断待处理气体通道和已处理气体通道相互连通
一种旋转换向蓄热废气焚烧装置

[发明专利]基板处理装置以及基板处理方法-CN201580060810.9在审
发明人：藤仓序章;今野泰一郎;野中岳宏;沼田隆之 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2015-12-17 - 公布日： 2017-08-01 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提供一种抑制在结束了给定的基板的处理之后进行并未打算进行的基板的处理的技术。本发明具备基板支承部，在处理室内对基板进行支承；处理气体供给部，对处理室内供给；以及移动机构，在处理室内使基板支承部在第一位置与第二位置之间移动，第一位置被喷射从处理气体供给部供给的处理气体，第二位置不被喷射从处理气体供给部供给的处理气体
处理装置以及方法