专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]检查流量测量系统的方法-CN201811009097.7有效
  • 广濑润;网仓纪彦;实吉梨沙子;小野寺忍 - 东京毅力科创株式会社
  • 2018-08-31 - 2020-09-08 - G01F25/00
  • 本发明提供一种检查在累加法中利用的流量测量系统是否处于适合于准确求取气体流量的状态的方法。一个实施方式的方法涉及在基板处理系统中使用的检查流量测量系统的方法。流量测量系统提供基于累加法的流量的计算中使用的气体流路。由基板处理系统的气体供给部的流量控制器输出的气体能够向该气体流路供给。在该方法中,除了气体流路的容积的预先所求取的初始值之外,还在流量测量系统的检查时求取该气体流路的容积。并且,将所求取的容积与初始值进行比较。
  • 检查流量测量系统方法
  • [发明专利]检查气体供给系统的方法-CN201810636726.2有效
  • 实吉梨沙子 - 东京毅力科创株式会社
  • 2018-06-20 - 2020-07-31 - H01J37/32
  • 本发明提供一种检查气体供给系统的方法。本发明的一实施方式中,在基板处理装置的腔室连接有气体供给管路。在气体供给管路连接有气化器。在气体供给管路与气化器并列地经由二级阀连接有流量控制器。在流量控制器的一级侧设置有一级阀。一实施方式的方法包括:在一级阀关闭且二级阀开启并且排气装置动作而将腔室的压力设定为规定压力的状态下,从气化器经由气体供给管路向腔室供给处理气体的工序;及在执行供给处理气体的工序的期间,求出通过流量控制器的压力传感器获取的测定值的时间平均值的工序。
  • 检查气体供给系统方法
  • [发明专利]检查气体供给系统的方法-CN201810636615.1有效
  • 实吉梨沙子 - 东京毅力科创株式会社
  • 2018-06-20 - 2020-06-16 - H01J37/32
  • 本发明提供一种检查气体供给系统的方法。一实施方式中,在基板处理装置的腔室经由气体供给管路及气体导入口连接有气化器。在气体供给管路连接有排气装置。基板处理装置具备获取气体供给管路的压力的测定值的压力传感器。一实施方式的方法包括:从气化器经由气体供给管路向腔室供给处理气体的工序;及在已停止向气体供给管路供给处理气体的状态下,对通过压力传感器获取的测定值的变化进行监控的工序。
  • 检查气体供给系统方法
  • [发明专利]气体供给系统的检查方法、二次基准器的校正方法-CN201710821218.7有效
  • 纲仓纪彦;实吉梨沙子 - 东京毅力科创株式会社
  • 2017-09-13 - 2020-04-21 - G05B23/02
  • 本发明的课题在于以较高的精度检查气体供给系统。本发明的一方式所涉及的方法包括:第1工序,将基准器连接在连接管的另一端;第2工序,从一个流量控制器向配管内供给气体;第3工序,在关闭一个第1阀门之后,获取第1压力检测器及第1温度检测器的测定值;第4工序,打开第3阀门并将配管内的气体的一部分供给至储罐内;第5工序,获取第1压力检测器及第1温度检测器的测定值或第2压力检测器及第2温度检测器的测定值;第6工序,利用波义耳‑查理定律,并根据在第3工序中获取的测定值、第5工序中所获取的测定值及包括第3阀门被关闭时的储罐内的空间的封闭空间的容积,计算配管的容积。
  • 气体供给系统检查方法二次基准校正
  • [发明专利]检查等离子体处理装置的喷淋板的方法-CN201710711805.0有效
  • 网仓纪彦;实吉梨沙子 - 东京毅力科创株式会社
  • 2017-08-18 - 2019-12-17 - H01J37/32
  • 本发明提供一种检查等离子体处理装置的喷淋板的方法。在一个实施方式的方法中被检查的所述等离子体处理装置中,气体排出部具有喷淋板。喷淋板形成有多个气体排出孔。该方法包括:(i)设定从第一流量控制器输出的气体的流量的步骤;和(ii)在将以设定的流量从第一流量控制器输出的气体供给到气体排出部且在第一流量控制器与气体排出部之间分支而供给到压力控制式的第二流量控制器的内部的流路的状态下,利用该第二流量控制器的压力计取得表示该第二流量控制器的内部的所述流路中的压力的测定值的步骤。
  • 检查等离子体处理装置喷淋方法
  • [发明专利]半导体处理装置-CN200810128029.2有效
  • 网仓纪彦;手塚一幸;实吉梨沙子 - 东京毅力科创株式会社
  • 2005-02-04 - 2008-12-24 - H01L21/00
  • 本发明提供一种半导体处理装置(1),包括连接到公用搬运室(8)上的、用于对被处理基板(W)实施处理的多个处理室(2)。附设用于向各处理室(2)供给规定气体的气体供给系统(40)。气体供给系统(40)具有连接到规定气体源上的初级侧连接单元(23)和流量控制单元(13)。初级侧连接单元(23)配置在对应的处理室(2)的下侧。流量控制单元(13)配设到从初级侧连接单元(23)向对应的处理室(2)内供给气体的气体管道上。流量控制单元(13)被配置成至少一部分要重叠到初级侧连接单元(23)的上侧。
  • 半导体处理装置
  • [发明专利]半导体处理装置-CN200580001439.5有效
  • 网仓纪彦;手塚一幸;实吉梨沙子 - 东京毅力科创株式会社
  • 2005-02-04 - 2007-01-31 - H01L21/02
  • 本发明提供一种半导体处理装置(1),包括连接到公用搬运室(8)上的、用于对被处理基板(W)实施处理的多个处理室(2)。附设用于向各处理室(2)供给规定气体的气体供给系统(40)。气体供给系统(40)具有连接到规定气体源上的初级侧连接单元(23)和流量控制单元(13)。初级侧连接单元(23)配置在对应的处理室(2)的下侧。流量控制单元(13)配设到从初级侧连接单元(23)向对应的处理室(2)内供给气体的气体管道上。流量控制单元(13)被配置成至少一部分要重叠到初级侧连接单元(23)的上侧。
  • 半导体处理装置

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