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[实用新型]具有呼出气体处理功能的隔离罩-CN202021989793.1有效
发明人：张帆;姜峰 -专利权人：天津市三博科技有限公司
申请日： 2020-09-11 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： A61L9/16 文献下载
摘要：本实用新型提供了具有呼出气体处理功能的隔离罩，包括：隔离罩本体、高温加热管和气体驱动机构；所述高温加热管和所述气体驱动机构均设置在所述隔离罩本体的外部；所述隔离罩本体，用于装容目标用户，并收集所述目标用户呼出的待处理气体；所述气体驱动机构，用于驱动所述隔离罩本体内的所述待处理气体进入所述高温加热管；所述高温加热管，用于对进入的所述待处理气体进行高温消毒处理，并将经高温消毒处理的所述待处理气体排出。
具有呼出气体处理功能隔离

[发明专利]一种深冷油吸收回收炼厂干气的工艺方法-CN202111134905.4在审
发明人：胡志彦;刘智信;田峻;过良;李琰;张敬升;刘莹;王燕娜;张伟宏 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司北京化工研究院
申请日： 2021-09-27 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： C07C7/148 文献下载
摘要：本发明涉及炼厂干气处理领域，公开了一种深冷油吸收法回收炼厂干气的方法，该方法包括：(1)将炼厂干气进行酸性气体脱除处理，得到第一处理气体；(2)将所述第一处理气体进行脱氧处理，得到第二处理气体；(3)将所述第二处理气体依次进行冷却和气液分离，得到第三处理气体；(4)将所述第三处理气体引入至脱甲烷塔中进行第一分离处理，得到塔釜液相I；(5)将所述塔釜液相I引入至脱乙烷塔中进行第二分离处理，得到塔釜液相II；(6)将所述塔釜液相II引入至脱丙烷塔中进行第三分离处理
一种深冷油吸收回收炼厂干气工艺方法

[发明专利]等离子体处理方法及等离子体处理装置-CN201510250345.7有效
发明人：三浦繁博;加藤寿;佐藤润;中坪敏行;菊地宏之 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2015-05-15 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体处理方法及等离子体处理装置。向预定的等离子体处理区域内供给处理气体，在等离子体产生区域使所述处理气体等离子体化而对已形成在基板(W)上的膜实施等离子体处理。获取已形成在基板上的膜的基于等离子体处理的面内处理量的分布。接着，根据获取的所述面内处理量的分布，以这样的方式调整所述处理气体的流速：使向欲增加所述等离子体处理的处理量的区域供给的所述处理气体的流速相对升高，或者，使向欲减少所述等离子体处理的处理量的区域供给的所述处理气体的流速相对降低然后，向所述预定的等离子体处理区域内供给流速被调整了的所述处理气体，对已形成在所述基板上的膜实施所述等离子体处理。
等离子体处理方法装置

[发明专利]成膜装置和成膜方法-CN201510726329.0有效
发明人：加藤寿;三浦繁博;菊地宏之;相川胜芳 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2015-10-30 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： C23C16/52 文献下载
摘要：在用于向基板供给处理气体并获得薄膜的成膜装置中，包括：旋转台，其配置在真空容器内，用于在设于其一面侧的载置区域载置基板并使该基板公转；旋转机构，其以所述基板自转的方式使所述载置区域旋转；处理气体供给机构，其用于向所述旋转台的一面侧的处理气体供给区域供给所述处理气体，并在通过所述公转而反复多次通过该处理气体供给区域的基板上进行成膜；以及控制部，其为了在基板每次位于所述处理气体供给区域时改变该基板的方向而根据包括所述旋转台的转速在内的参数计算所述基板的自转速度
装置方法

[发明专利]形成硅氧化膜的成膜方法和装置-CN200710192997.5有效
发明人：长谷部一秀;石田义弘;藤田武彦;小川淳;中岛滋 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2007-09-28 - 公布日： 2008-04-02 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜方法和成膜装置，在能够选择地供给包括硅源气体的第一处理气体和包括氧化气体的第二处理气体的处理区域内，通过CVD在被处理基板上形成氧化膜。第一工序，供给第一处理气体，在被处理基板的表面上形成含硅的吸附层。第二工序，供给第二处理气体，对被处理基板的表面上的吸附层进行氧化。使用1价或2价的氨基硅烷气体作为硅源气体，相比于使用3价氨基硅烷气体作为硅源气体的情况，较低地设定循环中的处理温度。
形成氧化方法装置

[发明专利]半导体器件的制造方法及衬底处理装置-CN201710166926.1有效
发明人：渡桥由悟;森谷敦 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2017-03-20 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件的制造方法及衬底处理装置。提高形成于衬底上的膜的膜品质。具有通过将下述循环进行规定次数，从而在衬底上形成膜的工序，所述循环为交替进行对处理室内的衬底供给卤系的第一处理气体的工序、和对处理室内的衬底供给非卤系的第二处理气体的工序，使供给第一处理气体的工序中的处理室内的压力大于供给第二处理气体的工序中的处理室内的压力
半导体器件制造方法衬底处理装置

[发明专利]制造半导体器件的装置、控制方法及制造方法-CN200610005876.0有效
发明人：元皙俊;刘龙珉;金大渊;金永勋;权大振;金元洪 -专利权人：三星电子株式会社;ASM吉尼泰克韩国株式会社
申请日： 2006-01-19 - 公布日： 2006-08-30 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：提供了一种装置和一种制造半导体器件的方法，其采用4通阀，通过防止死容积的产生，改善了气体阀系统，从而提高了吹扫效率。所述装置包：反应室，在其中对衬底进行处理以制造半导体器件；第一处理气体供应管，其将第一处理气体提供至反应室；具有第一入口、第二入口、第一出口和第二出口的4通阀，其安装在所述第一处理气体供应管处，使所述第一入口和第一出口连接至所述第一处理气体供应管；第二处理气体供应管，其连接至4通阀的第二入口，以提供第二处理气体；连接至所述4通阀的第二出口的支管；以及安装在所述支管处的闸阀。
制造半导体器件装置控制方法

[发明专利]蚀刻方法和蚀刻装置-CN201810567822.6有效
发明人：神户乔史 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-06-05 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L21/44 文献下载
摘要：在搬入工序中，设置有多个包括第一Ti膜、Al膜和第二Ti膜的电极层形成于半导体层上的多个元件的被处理基片被搬入腔体内。在供给工序中，向腔体内供给第一处理气体。在第一蚀刻工序中，利用第一处理气体的等离子体，对包含于各个元件的电极层中的第二Ti膜进行蚀刻，进而对包含于各个元件的电极层中的Al膜进行蚀刻直至在任一个元件中第一Ti膜露出。在切换工序中，将向腔体内供给的处理气体从第一处理气体切换成包含N2气体的第二处理气体。在第二蚀刻工序中，利用第二处理气体的等离子体，重新开始对各个元件的电极层进行蚀刻。
蚀刻方法装置

[发明专利]用于利用羰基金属前驱体沉积金属层的方法-CN200580040101.0无效
发明人：铃木健二 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2005-10-03 - 公布日： 2007-11-14 - 主分类号： C23C16/16 文献下载
摘要：该方法(300)包括在处理系统(1、100)的处理室(10、110)中提供衬底(25、125、400、402)，形成包含羰基金属前驱体蒸汽和CO气体的处理气体，在处理室(10、110)中稀释处理气体，以及将衬底(25、125、400、402)暴露于经稀释的处理气体以通过热化学气相沉积工艺在衬底(25、125、400、402)上沉积金属层(440、460)。沉积系统(1、100)包含衬底夹持器(20、120)、前驱体传输系统(105)、稀释气体源(37、137)和控制器(165)，其中衬底夹持器(20、120)被配置用于在具有蒸汽分配系统(30、130)的处理室(10、110)中支撑并加热衬底(25、125、400、402)，前驱体传输系统(105)被配置用于形成包含羰基金属前驱体蒸汽和CO气体的处理气体并将处理气体引入蒸汽分配系统(30、130)，稀释气体源(37、137)被配置用于在处理室(10、110)中向处理气体添加稀释气体，控制器(165)被配置用于在将衬底(25、125、400、402)暴露于经稀释的处理气体以通过热化学气相沉积工艺在衬底(25、
用于利用羰基金属前驱沉积方法

[发明专利]硅外延层的形成方法-CN200310115692.6有效
发明人：田村明威;冈哲史 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2003-10-16 - 公布日： 2005-04-20 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：在处理室(2)内的被处理基板(W)的半导体基底层上形成硅外延层。这种形成方法包括：在容纳被处理基板(W)的处理室(2)内进行减压的减压工序，向处理室(2)内导入含有硅烷气体的成膜气体，在半导体基底层上气相生长硅外延层的气相生长工序，其间包含氯化氢处理工序和氢气热处理工序在氯化氢处理工序中，向处理室(2)内导入含有氯化氢气体的第1预处理气体，用第1预处理气体对处理室(2)的环境进行处理。在氢气热处理工序，向处理室(2)内导入含有氢气的第2预处理气体，用第2预处理气体对半导体基底层表面进行处理。
外延形成方法

[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法及程序-CN201980057746.7在审
发明人：竹田刚 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2019-03-11 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明提供一种技术，具有：处理室，其对基板进行处理；气体供给系统，其对处理室内供给处理气体；第一等离子体单元，其设置为卷绕在处理室的外周，并在处理室内生成处理气体的等离子体；以及第二等离子体单元，其设置为在处理室的上部向内部突出，并在处理室内生成处理气体的等离子体。
处理装置半导体制造方法程序

[发明专利]成膜装置和成膜方法-CN201310279578.0在审
发明人：加藤寿;三浦繁博 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2013-07-04 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：成膜装置在真空容器内利用旋转台使配置在该旋转台的一面侧的基板公转，多次重复依次供给相互不同的处理气体的循环来层叠反应产物的层而获得薄膜，其包括：第1处理气体供给部；第2处理气体供给部；分离区域；主加热机构，其隔着该旋转台从下方侧对基板进行加热；以及辅助加热机构，其由加热灯构成，用于向由上述主加热机构加热的基板照射基板的吸收波长区域的光而利用辐射热量将该基板直接加热到臭氧气体热分解的温度以上的处理温度，在装置的性能方面容许的旋转台的最高温度是比臭氧气体热分解的温度低的温度，在上述处理温度下，上述第1处理气体吸附于基板，所吸附的第1处理气体被第2处理气体氧化。
装置方法

[实用新型]一种废气处理系统-CN202220638459.4有效
发明人：尹向亚;胡天保 -专利权人：长兴化学（天津）有限公司
申请日： 2022-03-22 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： B01D5/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及废气的处理技术领域，公开一种废气处理系统，包括罐体组件、冷却组件及废气炉，罐体组件能够产生待处理气体，冷却组件与罐体组件连通，温度低于‑18℃的冷却液和罐体组件产生的待处理气体能够分别进入冷却组件进行换热，降温后的待处理气体能够分离成液体和废气，液体能够返回罐体组件，废气炉与冷却组件连通，废气炉用于处理废气。本实施例提供的废气处理系统，冷却组件能够将待处理气体分离成液体和废气，分离出来的液体能够返回罐体组件进行再次利用，实现了原料的回收，减少了原料的浪费，增加了对待处理气体的处理速度，使得废气炉能够处理更多的废气，废气炉处理后的气体能够达到环保排放要求。
一种废气处理系统

[发明专利]旋风集尘装置及使用旋风集尘装置的集尘方法-CN202280013530.2在审
发明人：川岛知之;小林祥大;小泽典子 -专利权人：杰富意钢铁株式会社
申请日： 2022-03-25 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： B04C3/00 文献下载
摘要：旋风集尘装置1从包含粉尘DT的被处理气体TG对粉尘DT进行集尘，前述旋风集尘装置具备：以横向为回旋轴使被处理气体TG回旋，将粉尘从被处理气体TG分离的粉尘分离部3；连结于粉尘分离部3的出口侧，对通过由粉尘分离部3引起的被处理气体TG的回旋而分离的粉尘DT进行回收的粉尘回收部4；和入口设置于粉尘回收部4内，对分离粉尘DT后的被处理气体TG进行回收的气体回收部5，从粉尘分离部3的出口至气体回收部5的入口的距离L与粉尘分离部
旋风集尘装置使用方法

[发明专利]基板处理用密闭型热处理装置及方法-CN202110887653.6在审
发明人：许埈诱 -专利权人：韩华株式会社
申请日： 2021-08-03 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： F27B17/00 文献下载
摘要：本发明作为热处理装置，可以包括：热处理炉，用于对基板进行热处理；冷却器，用于对供应到热处理炉内部并排出的处理气体进行冷却；气体提纯器，用于对通过冷却器的处理气体进行提纯；以及，加热器，用于对通过气体提纯器的处理气体进行加热升温之后供应到上述热处理炉本发明的热处理方法，可以包括：净化步骤、提纯步骤、正常运行步骤以及急净化步骤。
处理密闭热处理装置方法

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