“基肖特基”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果602248个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]碳化硅肖特基接触的制备方法及碳化硅肖特基二极管-CN201811391541.6在审
发明人：崔玉兴;刘佳佳;付兴中;王川宝;胡多凯 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2018-11-21 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明提供了一种碳化硅肖特基接触的制备方法及碳化硅肖特基二极管，属于半导体制备领域，包括：在碳化硅圆片表面沉积介质保护层；在介质保护层上涂覆一层光刻胶，对肖特基接触区域进行光刻，露出需要蒸发的肖特基接触金属区域；在碳化硅圆片表面沉积多层金属，所述多层金属为先沉积金属铌，再沉积铝、镍、银、金中一种、两种或三种或其组合；金属剥离，去除非肖特基接触区域的金属，保留肖特基接触区域的金属；快速退火，形成肖特基接触。本发明提供的碳化硅肖特基接触的制备方法，能够解决现有技术中存在的肖特基接触形成的势垒高度大、损耗大等技术问题。
肖特基接触碳化硅制备肖特基二极管介质保护层多层金属圆片表面沉积半导体制备金属沉积金属金属剥离金属区域快速退火光刻胶再沉积光刻势垒涂覆蒸发保留

[发明专利]一种基于MoN合金的肖特基势垒二极管及其制作方法-CN202110954158.2在审
发明人：徐洋喜 -专利权人：江苏芯唐微电子有限公司
申请日： 2021-08-19 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于MoN合金的肖特基势垒二极管及其制作方法，涉及肖特基势垒二极管领域，该肖特基势垒二极管的N型半导体衬底的正面设置开设有肖特基窗口的钝化层，肖特基窗口处设置有金属场板终端，金属场板终端包括在N型半导体衬底的表面从下至上依次层叠的MoN合金膜、Mo金属层和Al金属层，利用MoN合金可以改善肖特基接触中存在的势垒非均匀现象，使得该肖特基势垒二极管在不同测试温度下，肖特基势垒几乎不发生变化，势垒的非均匀性得到明显的改善，从而提高肖特基二极管的电学性能。
一种基于 mon 合金肖特基势垒二极管及其制作方法

[发明专利]氮化镓肖特基二极管的制备方法-CN201610099349.4有效
发明人：刘美华;孙辉;林信南;陈建国 -专利权人：北京大学;北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2016-02-23 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明提供的一种氮化镓肖特基二极管的制备方法，通过在氮化镓外延片的表面沉积钝化层；制备氮化镓肖特基二极管的阴极；在该钝化层的中心进行干法刻蚀，形成肖特基接触孔；在该肖特基接触孔内，该钝化层的表面和该阴极的表面沉积金属钛，形成欧姆金属层；对该欧姆金属层进行光刻，刻蚀和退火处理，形成呈栅状结构的欧姆金属结构；制备氮化镓肖特基二极管的阳极；其中，欧姆金属结构呈栅状结构，且被阳极包裹。从而实现在不影响氮化镓肖特基二极管输出性能的情况下，减小肖特基结面积，从而减小肖特基接触电阻，提高氮化镓肖特基二极管的器件性能和寿命。
氮化镓肖特基二极管制备方法

[发明专利]肖特基势垒二极管-CN201310306272.X无效
发明人：堀井拓;宫崎富仁;木山诚 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2009-07-23 - 公布日： 2013-12-11 - 主分类号： H01L29/47 文献下载
摘要：本发明涉及肖特基势垒二极管。所述肖特基势垒二极管包括：GaN层（3）和肖特基电极（4），所述肖特基电极（4）形成在所述GaN层（3）上，其中，使与所述肖特基电极（4）相接触的所述GaN层（3）的区域（3c）的位错密度为1×108cm-2或更小以减小反向泄漏电流，通过使所述肖特基电极（4）中与所述GaN层（3）相接触的部分由Ni或Ni合金构成来增加势垒高度。由于在肖特基势垒二极管反向偏置时，由位错导致的反向泄漏电流小，所以由于肖特基电极的势垒高度增加而可以增强肖特基势垒二极管的耐受电压。
肖特基势垒二极管

[实用新型]一种便于清理的肖特基功率器件-CN201921939258.2有效
发明人：薛芳峰;吴方军;乔德定;严建华;喻建华;吴恒华 -专利权人：德兴市意发功率半导体有限公司
申请日： 2019-11-12 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种便于清理的肖特基功率器件，包括底座，所述底座的顶部固定连接有肖特基功率器件，所述肖特基功率器件的顶部固定连接有四个连接件，所述肖特基功率器件的两侧滑动连接有传动柱，所述传动柱的外侧固定连接有透明壳本实用新型通过设置底座、肖特基功率器件、连接件、传动柱、透明壳、清洁机构、固定板、主毛刷、副毛刷、固定座和吹风机配合使用，解决了现有市面上大多数的功率肖特基器件不具备清洁机构，导致功率肖特基器件表面会附着很多灰尘，如果不及时清理，会导致灰尘进入连接件的内部，从而对功率肖特基器件造成损害，从而降低了功率肖特基器件的实用性的问题。
一种便于清理肖特基功率器件

[发明专利]一种肖特基二极管的制造方法-CN202211153541.9在审
发明人：穆成星;周静涛;金智;苏永波;韩超;蒋文静;刘志成;武楠 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-09-21 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种肖特基二极管的制造方法，涉及二极管技术领域，用于减小肖特基结与N型轻掺杂层之间的接触面积，降低肖特基接触部分的结电容，进而提高肖特基二极管的器件耐压特性，降低肖特基二极管在超高频的工作环境下击穿的风险所述肖特基二极管的制造方法包括：提供一半导体基底。半导体基底包括衬底、N型重掺杂层和N型轻掺杂层。沿远离衬底的方向，N型重掺杂层和N型轻掺杂层依次层叠设置在衬底的一侧。在部分N型轻掺杂层上形成肖特基接触层，以获得肖特基结。在肖特基接触层的掩膜作用下，至少对部分N型轻掺杂层进行回刻处理和钻刻处理，以至少使得N型轻掺杂层与肖特基接触层接触的部分的侧壁相对于肖特基接触层的侧壁向内凹入。
一种肖特基二极管制造方法

[发明专利]一种氮化镓微波整流肖特基二极管及制备方法-CN202011324390.X有效
发明人：李杨;敖金平 -专利权人：宁波铼微半导体有限公司
申请日： 2020-11-23 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L29/41 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮化镓微波整流肖特基二极管及制备方法，该肖特基二极管包括：肖特基阳极，肖特基阳极包括至少两个并列的指型结构及至少一个肖特基金属连接部，相邻两个指型结构的同一侧端部通过肖特基金属连接部相连接，指型结构和肖特基金属连接部共同构成肖特基结。该二极管的肖特基阳极采用肖特基金属连接部将独立的指型结构连接，可以平衡指型结构之间的电位，降低了二极管的电阻；由于多个肖特基金属连接部引入多个馈电点，多个馈电点的引入降低了二极管的电阻，采用多个指型结构可以在电阻保持不变的情况下缩小阳极面积
一种氮化微波整流肖特基二极管制备方法

[发明专利]器件与方法-CN201980027918.6在审
发明人：宋爱民;张嘉炜;约书亚·威尔逊 -专利权人：曼彻斯特大学
申请日： 2019-02-26 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明描述了一种肖特基势垒薄膜晶体管。这种肖特基势垒薄膜晶体管包含了在氧化物半导体上的肖特基源极接触电极。这种肖特基势垒薄膜晶体管拥有至少500的本征增益。本发明还描述了一种在氧化物半导体沟道上形成肖特基源极接触电极的肖特基势垒薄膜晶体管制备方法。
器件方法

[发明专利]肖特基型结型器件、使用其的光电转换器件和太阳能电池-CN201080014132.X有效
发明人：松木伸行;色川芳宏;伊高健治;鲤沼秀臣;角谷正友 -专利权人：独立行政法人物质·材料研究机构
申请日： 2010-03-29 - 公布日： 2012-02-29 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：无机半导体(3)和有机导体(4)结合而具有肖特基结的肖特基型结型器件(1)。太阳能电池使用该肖特基型结型器件(1)，光电转换部含有肖特基结。光电转换器件使用该肖特基型结型器件(1)，进行光和电相互转换的转换部含有肖特基结。
肖特基型结型器件使用光电转换太阳能电池

[发明专利]一种用于全桥整流的新型肖特基器件及制造方法-CN201611082805.0有效
发明人：关世瑛 -专利权人：上海芯石微电子有限公司
申请日： 2016-11-30 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L27/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用于全桥整流的肖特基器件；该器件具有新型的结构，用一颗本发明的肖特基器件，可实现全桥整流功能，而传统的半桥整流器件，需要四颗传统的肖特基器件组合封装到一起才能实现；传统的全桥整流的肖特基器件封装复杂，成品率低，而本发明的肖特基器件，可简化封装难度，封装成品率高；另外，本发明的肖特基器件的制造制程，与传统的肖特基器件的加工制程兼容性好。
一种用于整流新型肖特基器件制造方法

[发明专利]一种肖特基二极管组件及其制造方法-CN201810447225.X在审
发明人：李亦衡;朱廷刚;张葶葶 -专利权人：江苏能华微电子科技发展有限公司
申请日： 2018-05-11 - 公布日： 2018-08-14 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本申请提供一种肖特基二极管组件及其制造方法。所述组件包括：肖特基二极管；两个稳压二极管，所述稳压二极管的击穿电压小于所述肖特基二极管的击穿电压，两个所述稳压二极管反向串联后与所述肖特基二极管并联，并与所述肖特基二极管封装在一起。利用本申请中各个实施例，可以尽可能避免肖特基二极管被反向击穿，有效提高肖特基二极管的UIS能力，有效提高肖特基二极管的可靠性。
肖特基二极管稳压二极管击穿电压反向串联反向击穿组件包括并联封装申请制造

[发明专利]超级结MOSFET中集成肖特基二极管的方法-CN201010605854.4无效
发明人：邱慈云;张帅;刘坤 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2010-12-27 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L21/8249 文献下载
摘要：本发明公开了一种在超级结MOSFET中集成肖特基二极管的方法，为在所述超级结MOSFET中并联集成有由肖特基接触与衬底形成的肖特基二极管，其中所述肖特基二极管的阳极设置在超级结MOSFET芯片的元胞区域源端的相邻两个体区之间，所述肖特基二极管的阳极与所述超级结MOSFET的源端相连，所述肖特基二极管的阴极共用位于衬底背面的漏电极。超级结MOSFET并联肖特基二极管的结构，利用肖特基二极管的快速开关特性提高超级结MOSFET器件的反向恢复速度。
超级 mosfet 集成肖特基二极管方法

[实用新型]一种掺杂的肖特基势垒器件-CN201420442005.5有效
发明人：洪旭峰 -专利权人：上海芯石微电子有限公司
申请日： 2014-08-07 - 公布日： 2015-06-03 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种掺杂的肖特基势垒器件；该肖特基势垒器件的势垒层是采用了掺杂磷的金属硅化物(P-MSi)作为肖特基势垒层，而传统的肖特基势垒器件的势垒层是无掺杂的金属硅化物(M-Si)作为肖特基势垒层，掺杂磷的金属硅化物势垒层（P-MSi）较传统的无掺杂的金属硅化物(M-Si)势垒层，具有低的势垒高度，因此采用掺杂磷的金属硅化物(P-MSi)作为肖特基势垒层的肖特基器件较传统的肖特基势垒器件，同等面积下
一种掺杂肖特基势垒器件

[实用新型]一种肖特基二极管组件-CN201820699391.4有效
发明人：李亦衡;朱廷刚;张葶葶 -专利权人：江苏能华微电子科技发展有限公司
申请日： 2018-05-11 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本申请提供一种肖特基二极管组件。所述组件包括：肖特基二极管；两个稳压二极管，所述稳压二极管的击穿电压小于所述肖特基二极管的击穿电压，两个所述稳压二极管反向串联后与所述肖特基二极管并联，并与所述肖特基二极管封装在一起。利用本申请中各个实施例，可以尽可能避免肖特基二极管被反向击穿，有效提高肖特基二极管的UIS能力，有效提高肖特基二极管的可靠性。
肖特基二极管稳压二极管击穿电压反向串联反向击穿组件包括并联封装申请

[发明专利]具有结势垒肖特基二极管的宽带隙半导体电子器件-CN202110793154.0在审
发明人： S·拉斯库纳 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2021-07-14 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：公开了具有结势垒肖特基二极管的宽带隙半导体电子器件。垂直导电电子功率器件由具有第一导电类型并具有表面的宽带隙半导体的主体形成，并且由漂移区和由该表面限定的多个表面部分形成。每个金属部分与多个表面部分中的相应表面部分肖特基接触，以形成由第一肖特基二极管和第二肖特基二极管形成的多个肖特基二极管，其中，第一肖特基二极管在平衡时具有肖特基势垒，该肖特基势垒的高度不同于第二肖特基二极管的肖特基势垒的高度
具有结势垒肖特基二极管宽带半导体电子器件