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[发明专利]一种自适应线性化射频偏置模块及其使用电路-CN201910403842.4有效
发明人：张志浩;章国豪;蓝焕青;黄国宏;唐浩 -专利权人：河源广工大协同创新研究院
申请日： 2019-05-15 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： H03K19/003 文献下载
摘要：一种自适应线性化射频偏置模块，包括温度补偿模块和线性化偏置模块；所述温度补偿模块包括基射结二极管HBT4、基射结二极管HBT5、电阻R5和电阻R6；电阻R5的一端与电压源Vref连接，其另一端与基射结二极管HBT4的集电极连接，基射结二极管HBT4的发射极接地；所述线性化偏置模块包括基射结二极管HBT1和电容C1；基射结二极管HBT1的集电极与电压源Vcc连接，基射结二极管HBT1的基极与电容C1的一端连接，电容C1的另一端接地；基射结二极管HBT1的基极还连接于电阻R6与基射结二极管HBT5的集电极之间。基射结二极管HBT1的基‑射电压降也补偿了基射结二极管HBT0的基‑射电压,使之在输入大RFin信号时仍能保持足够的偏压从而增强线性度，通过基射结二极管HBT4的反馈实现自适应偏压。
二极管基射结偏置模块线性化电阻自适应电容温度补偿模块电压源集电极射频发射极接地集电极连接一端连接接地线性度压降电路反馈

[发明专利]一种共射共基异质结双极型晶体管-CN201810213533.6有效
发明人：刘洪刚;袁志鹏 -专利权人：苏州闻颂智能科技有限公司
申请日： 2018-03-09 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本发明公开了一种共射共基异质结双极型晶体管，设于封装基板上，封装基板上设有热沉，共射共基异质结双极型晶体管包括具有第一基极、第一发射极、第一集电极的共基极异质结双极型晶体管和具有第二基极、第二发射极、第二集电极的共发射极异质结双极型晶体管，以及用于连接第一发射极和第二集电极的热分流桥、用于连接第一基极的第一焊盘和第一铜柱、用于连接第一集电极的第二焊盘和第二铜柱、用于连接第二基极的第三焊盘和第三铜柱、设于第二发射极上方的第四铜柱，共射共基异质结双极型晶体管倒装于封装基板上本发明一种共射共基异质结双极型晶体管，具有高增益、高线性度、高温度稳定性。
异质结双极型晶体管共射共基铜柱发射极集电极封装基板焊盘热沉高温度稳定性高线性度共发射极分流桥高增益共基极倒装焊接

[发明专利]具有起动预充电的切换方式电源-CN92109099.4无效
发明人：吴俊兴 -专利权人：汤姆森消费电子(法国)有限公司
申请日： 1992-07-31 - 公布日： 1996-10-30 - 主分类号： H04N5/63 文献下载
摘要：该晶体管由控制器20的输出控制以扫除基射结电荷以停止集射结的导通。其极经电容器CP24及与其上并联的二极管DP24、26、27耦合至该控制器的输出。在控制器输出脉冲期间电容器充电等于二极管的电压降。在控制器输出的脉冲结束时，该电容器向晶体管基极提供负电压以扫清基射结的电荷使晶体管截止。在插入起动时该电容器经电阻RP324预充电。
具有起动充电切换方式电源

[发明专利]低损耗硅基激光器-CN202010465149.2在审
发明人：杨正霞;吕晨;李亚节;杨文宇;周旭亮;潘教青 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2020-05-27 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： H01S5/34 文献下载
摘要：一种硅基激光器，包括：含有V形底部沟槽的SOI图形衬底；外延结构，依次为N型位错限制层、N型缓冲层、N型下包层、下波导层、量子阱有源区、上波导层、P型上包层、隧道结、N型上包层和N型接触层。本发明使用隧道结的隧穿效应，N型掺杂区域‑隧道结‑P型掺杂区域代替P型掺杂区域，在满足激光器工作电流稳定，粒子数反转的前提下，缩小了P型掺杂区域的体积，可有效降低光场与P型掺杂区域的重叠，减小激光器内部损耗，优化激光器激射性能，进一步推动硅基激光器电泵激射的实现。
损耗激光器

[发明专利]非自对准SiGe异质结双极晶体管-CN02812300.X无效
发明人：巴桑思·杰甘纳萨恩;郑淑珍;杰弗里·B·约翰逊;罗布·A·约翰逊;路易斯·D·兰兹罗蒂;肯尼思·J·斯坦;塞沙德里·苏班纳 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2002-06-19 - 公布日： 2005-08-17 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于制造非自对准、异质结双极晶体管的方法，该方法包括形成非本征基极区(70)，其中PFET源极/漏极注入区与射极叠层中的多晶硅对准，而不直接与限定在该叠层中的射极开口对准。这通过使射极基台(66)比射极开口更宽而实现。其有利地去除了对于非本征基极区与射极开口之间的对准的依赖，由此减少了工艺步骤的数目，减少了热循环，并提高了速度。
对准 sige 异质结双极晶体管

[发明专利]热塑性弹性体射包碳纤维预浸材的制造方法及其产品-CN201110045762.X无效
发明人：郑丰耀 -专利权人：贤明投资股份有限公司
申请日： 2011-02-25 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： B29C69/02 文献下载
摘要：一种热塑性弹性体射包碳纤维预浸材的制造方法及其产品，该热塑性弹性体射包碳纤维预浸材的制造方法包含一热压成型步骤，及一射包成型步骤。该热压成型步骤是将一热塑性介质与一碳纤维预浸材热压成型为一半成品；该射包成型步骤是将一液态热塑性弹性体射包于该半成品的热塑性介质上，使该半成品成为一热塑性弹性体射包碳纤维预浸材的产品。利用热压成型使碳纤维预浸材与热塑性介质的官能基间产生化学键结而有效地结合，而该热塑性介质则能提供热塑性弹性体一良好的同构型高分子结合接口，进而与热塑性弹性体产生化学键结以提升结合力。
塑性弹性体碳纤维预浸材制造方法及其产品

[发明专利]一种基于GaAs基高带隙隧道结的大功率激光器结构-CN202210365674.6在审
发明人：李惠;赵世龙;陈钊 -专利权人：青岛科技大学
申请日： 2022-04-08 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本申请公开了一种基于GaAs基高带隙隧道结的大功率激光器结构，包括多层type‑Ⅱ隧道结、垫料层、活性区域和干涉反射器；垫料层围绕多层type‑Ⅱ隧道结，活性区域位于垫料层内部；活性区域用于响应于从多层type‑Ⅱ隧道结注入的电荷而产生激射波长的光的有效带隙，产生短波长的光；干涉反射器包括第一干涉反射器和第二干涉反射器，第一干涉反射器和第二干涉反射器分别位于垫料层的顶部和底部。本申请增大了隧道结的隧穿几率，提高了器件整体的输出功率和温度性能提高以及增加器件稳定性与实用性，适用于GaAs基大功率激光器。
一种基于 gaas 基高带隙隧道大功率激光器结构

[发明专利]一种光疗用蓝绿光芯片的外延结构及制备方法-CN202110307983.3有效
发明人：罗轶;张健;郭庆霞;易斌;吴雪 -专利权人：北京创盈光电医疗科技有限公司
申请日： 2021-03-23 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：光疗用蓝绿光芯片的外延结构包括衬底和依次设于衬底上的反射DBR层、第一n型GaN层、第一量子阱层、第一p型GaN层、出射DBR层、隧道结和GaN基LED外延片；其制备方法为：在衬底上依次生成反射DBR层、第一n型GaN层、第一量子阱层、第一p型GaN层、出射DBR层、隧道结和GaN基LED外延片。
一种光疗蓝绿芯片外延结构制备方法

[发明专利]一种用于多波长边发射半导体激光器的外延结构-CN202111582516.8在审
发明人：任占强;王琛琛;李青民;李波;徐斌;孟锡俊;仇伯仓;李会利;杜美本;杨欢 -专利权人：西安立芯光电科技有限公司
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H01S5/34 文献下载
摘要：该外延结构包括由下至上依次设置的N型衬底、出射波长为λ1的量子阱单元、第一陷阱隧道结、出射波长为λ2的量子阱单元、第二陷阱隧道结、出射波长为λ3的量子阱单元和P型接触层；第一陷阱隧道结用于调制出射波长为λ1的量子阱单元、出射波长为λ2的量子阱单元激射的光场；第二陷阱隧道结用于调制出射波长为λ2的量子阱单元、出射波长为λ3的量子阱单元激射的光场；第一陷阱隧道结和第二陷阱隧道结均包括由下至上依次设置的P型陷阱层
一种用于波长发射半导体激光器外延结构

[发明专利]视频显示驱动器装置-CN89101768.2无效
发明人：约翰·荷马·弗雷 -专利权人：汤姆森消费电子有限公司
申请日： 1989-03-23 - 公布日： 1992-09-02 - 主分类号： H04N5/14 文献下载
摘要：视频信号从一显示驱动器放大器(20)经由一耦合网络(26)耦合到图象显示器(35)，该网络(26)包括二个相反导电型的级联的射极跟随器晶体管(41，42)第一(43)和第二(44)二极管分别跨接在各晶体管的基-射结上，并以与相应基-射结方向相反的方向作正向导电的极性连接、该耦合网络显著地减小了呈现在驱动器放大器输出处的显示器的电容值，从而改善了正向和负向视频信号的瞬变响应。
视频显示驱动器装置

[发明专利]半导体装置和电子设备-CN201510293629.4在审
发明人：秋山悟;小林宏嘉;猪股久雄;齐藤正 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2015-06-01 - 公布日： 2016-01-27 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：提供了一种共射共基耦合系统的半导体装置，其具有使用带隙大于硅的物质作为材料的多个常通的结FET，以及使用硅作为材料的常断的MOSFET。此时，半导体芯片具有由结FET以分开方式形成的多个结FET半导体芯片(半导体芯片CHP0和半导体芯片CHP9)，以及由MOSFET形成的MOSFET半导体芯片(半导体芯片CHP2)。
半导体装置电子设备

[发明专利]射级跟随器及采用该射级跟随器的压控振荡器-CN201110390805.8有效
发明人：王东;陈岚 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-11-30 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： H03B5/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种射极跟随器及采用该射级跟随器的压控振荡器。该射级跟随器包括：第一异质结双极晶体管，其基极连接于压控振荡器的输出端，其集电极连接于电源，其发射极作为射级跟随器的输出端；电容，连接于第一异质结双极晶体管的基极和发射极之间；电流源，其电流流入端与第一异质结双极晶体管的发射极相连接本发明通过在异质结双极晶体管的基极和发射极之间增加电容，可以减小射极跟随器输出波形的失真程度和非线性。
跟随采用压控振荡器

[实用新型]一种防型砂结壳的冷芯盒射嘴-CN202220805765.2有效
发明人：刘卓霖;于越;任泽翔;王帅;许井锐 -专利权人：中国第一汽车股份有限公司;一汽铸造有限公司
申请日： 2022-04-08 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： B22C7/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种防型砂结壳的冷芯盒射嘴，包括：射嘴本体、射嘴端头以及弹性隔片；射嘴端头与射嘴本体底端的外螺纹段螺纹连接，弹性隔片设置在射嘴本体底端面和射嘴端头内腔底面之间，弹性隔片上开设有十字开口，制芯射砂时十字开口受冲击打开进行射砂，射砂后弹性隔片回弹，十字开口关闭密封型砂，型砂无法与外界因素接触发生反应固化结壳形成干砂，解决了现有技术中射嘴端头型砂与外界因素反应形成干砂的问题，同时射嘴端头拆卸方便，可快速更换弹性隔片，提高了射嘴本体的耐久性
一种型砂冷芯盒射嘴

[发明专利]一种上转换光转换型LED的结温测量方法-CN201911259999.0在审
发明人：庞涛 -专利权人：湖州师范学院
申请日： 2019-12-10 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种上转换光转换型LED的结温测量方法，包括以下步骤：先建立温度测量标准，即上转换荧光粉的第一发射带和第二发射带的相对强度比与温度的关系；检测由与上述材质相同的上转换荧光粉制得的上转换光转换型LED的光谱，并测定第一发射带和第二发射带的强度比；将所得强度比代入建立的温度测量标准，得到该上转换光转换型LED的结温。本发明填补了上转换光转换型LED结温测量的空白，具有操作方法简单、使用成本低、温度测量精准等优点，测量的结温可用于上转换光转换型LED的可靠性评价。
一种转换 led 测量方法

[实用新型]一种带有锁舌机构的双色模具-CN201821065638.3有效
发明人：黄丹;伍进 -专利权人：成都航天模塑股份有限公司成都模具分公司
申请日： 2018-07-05 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： B29C45/26 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种带有锁舌机构的双色模具，包括动模、设置在动模内的滑块本体和定模，定模上设置有一射铲基和二射铲基，滑块本体上设置有与一射铲基和二射铲基配合的铲基槽，一射铲基和二射铲基上沿其轴线方向倾斜设置有限位端面，合模过程中一射铲基的限位端面顶在铲基槽上；滑块本体上位于铲基槽至少一侧设置有弹性限位机构，二射铲基上位于限位端面至少一侧设置有限位凸台，限位凸台沿限位端面倾斜方向在二射铲基上倾斜设置。本实用新型提供的带有锁舌机构的双色模具通过锁舌机构的设置，满足了“第一射开模时滑块不离开产品，第二射开模时滑块离开产品”的使用要求，且结构简单，使用方便，成本低，有利于提高生产效率。
铲基锁舌机构滑块本体双色模具限位端面本实用新型倾斜设置定模动模滑块开模弹性限位机构合模过程倾斜方向生产效率限位凸台轴线方向凸台配合

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