专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]电泵激光器及其制备方法-CN202110922192.1有效
  • 杨正霞;周旭亮;王梦琦;杨文宇;潘教青 - 中国科学院半导体研究所
  • 2021-08-11 - 2023-10-13 - H01S5/22
  • 本发明提供了一种电泵激光器,包括:下金属电极、图形化衬底、倒脊型波导III‑V族亚微米结构、钝化层、苯并环丁烯层和上金属电极;下金属电极,位于图形化衬底的上表面或下表面;图形化衬底,包括图形化硅层和图形化二氧化硅层,图形化衬底上面设置至少一个连通沟槽,连通沟槽包括矩形沟槽和V型沟槽;倒脊型波导III‑V族亚微米结构,设置在连通沟槽内和连通沟槽上;钝化层,设置在连通沟槽上的倒脊型波导III‑V族亚微米结构的两侧和图形化衬底的上表面;苯并环丁烯层,设置在钝化层的一侧;其中,苯并环丁烯层的顶端、钝化层的顶端和倒脊型波导III‑V族亚微米结构的顶端等高;上金属电极,设置在倒脊型波导III‑V族亚微米结构上。
  • 激光器及其制备方法
  • [发明专利]Cas蛋白截短体、构建其的方法及其应用-CN202211575384.0在审
  • 梁峻彬;梁兴祥;孙阳;徐辉;李秋婷;杨正霞 - 广州瑞风生物科技有限公司;浙江迅识生物科技有限公司
  • 2022-12-08 - 2023-05-09 - C12N9/22
  • 本发明公开了一种Cas蛋白截短体、构建其的方法及其应用。所述Cas13蛋白截短体由以下(1)‑(3)中任一种组成:(1)相对如SEQ ID NO:2所示的氨基酸序列存在选自第623‑772位、第773‑922位、第923‑1072位、第623‑1072位、第923‑972位、第973‑1022位、第1023‑1072位、第973‑1072位、第623‑672位、第673‑722位、第723‑772位、第773‑822位、第823‑872位、第873‑922位、第1127‑1272位、第994‑1107位、第726‑827位、第263‑315位、第82‑132位、第187‑243位、第610‑661位、第593‑658位和第810‑905位的任一种缺失的截短体序列;(2)同源或异源蛋白结构域,以及(1)中所述截短体序列;(3)同源或异源蛋白结构域,(1)中所述截短体序列,以及用于连接所述蛋白结构域与所述截短体序列的连接序列。本发明的Cas蛋白截短体在保持编辑活性的同时大大减小了蛋白尺寸,便于AAV递送,具有广泛的应用前景。
  • cas蛋白截短体构建方法及其应用
  • [发明专利]基于表面等离激元的硅基半导体激光器-CN202211429939.0在审
  • 周旭亮;杨正霞;贾晓皓;刘孔;王智杰;潘教青 - 中国科学院半导体研究所
  • 2022-11-14 - 2023-03-28 - H01S5/20
  • 本发明公开了一种基于表面等离激元的硅基半导体激光器,包括衬底、增益层、限制隔离层、电隔离层、上电极层和下电极层。衬底的顶部设置有凹槽;增益层包括自下而上依次层叠的下包层、有源层、上包层和接触层。下包层设置于凹槽内,适用于光限制以及电子注入;有源层适用于载流子复合发光;上包层适用于光限制以及空穴注入;接触层位于上包层上。限制隔离层包括限制层和隔离填充层:限制层位于增益层的两侧或一侧,适用于产生等离子激元限制光场的区域;隔离填充层形成在增益层的两侧;电隔离层形成在限制隔离层上,且位于接触层的外围;上电极层形成在电隔离层上并与接触层电连接;下电极层位于衬底的未被限制隔离层覆盖的区域,能够将光限制在增益层侧边的限制层处,具有高限制、低损耗和高增益的效果。
  • 基于表面离激元半导体激光器
  • [实用新型]一种转炉炼钢用氧枪高度测量装置-CN202121842527.0有效
  • 张应帮 - 张应帮;杨正霞;杨志坚
  • 2021-08-09 - 2022-12-16 - C21C5/46
  • 本实用新型公开了一种转炉炼钢用氧枪高度测量装置,包括炉体、支撑架、密封盖和液压杆,所述炉体上端中部设置有所述密封盖,所述密封盖内设置有通腔,所述通腔内壁上设置有密封圈,所述密封盖两侧设置有所述支撑架,所述支撑架底端中部设置有所述液压杆,所述液压杆一端设置有氧枪,所述氧枪一侧壁底端设置有连接板。有益效果在于:本实用新型通过设置超声波测距探头和显示屏,在对氧枪的高度进行测量时,凹腔内的超声波测距探头发出的超声波可快速测量氧枪距离液面的高度,然后通过显示屏将测量数据进行显示,便于工作人员对氧枪的高度进行调节,不仅测量精度高,而且动作迅速,提高装置实用性和工作效率。
  • 一种转炉炼钢用氧枪高度测量装置
  • [发明专利]集成端面耦合器的硅基片上光源-CN202210928896.4在审
  • 杨正霞;周旭亮;杨文宇;王梦琦;潘教青 - 中国科学院半导体研究所
  • 2022-08-03 - 2022-11-04 - H01S5/0225
  • 本发明公开了一种集成端面耦合器的硅基片上光源,包括倒脊型波导硅基激光器和端面耦合器。其中,倒脊型波导硅基激光器包括:衬底,衬底通过矩形槽形成位于衬底中段的梁,和位于衬底两端的第一平面和第二平面,第一平面设有连通沟槽;倒脊型波导微米线,倒脊型波导微米线设置在连通沟槽内,倒脊型波导微米线设置有波导层;介质填充层,覆盖倒脊型波导微米线;端面耦合器包括:硅波导,设置于第二平面和梁上,与倒脊型波导微米线对应设置;介质波导,覆盖于梁上,介质波导与倒脊型波导微米线相接触;电极,包括上电极和下电极,上电极设置于介质填充层上,并与倒脊型波导微米线接触,下电极与衬底接触。
  • 集成端面耦合器硅基片上光源
  • [发明专利]光子晶体微腔硅基激光器及其制备方法-CN202110596902.6有效
  • 杨正霞;周旭亮;杨文宇;王梦琦;潘教青 - 中国科学院半导体研究所
  • 2021-05-28 - 2022-10-18 - H01S5/10
  • 本发明提供一种光子晶体微腔硅基激光器及其制备方法,激光器包括:硅基衬底;III‑V族亚微米线,啁啾一维光子晶体;其中,III‑V族亚微米线叠加在硅基衬底上,啁啾一维光子晶体制备在III‑V族亚微米线中形成光子晶体微腔。制备方法包括:在硅基衬底上沉积二氧化硅介质层,刻蚀二氧化硅介质层及部分硅基衬底,形成至少一个连通沟槽;在至少一个连通沟槽中外延生长III‑V族亚微米线并抛光,保留其中一个III‑V族亚微米线并刻蚀,制备啁啾一维光子晶体形成光子晶体微腔。本发明引入光子晶体微腔,可实现激光器的小噪声低阈值单模电注入激射特性,推动硅基激光器的微型化。
  • 光子晶体微腔硅基激光器及其制备方法
  • [实用新型]一种长寿命中间包包盖-CN202120398161.6有效
  • 陈爱林;杨凯;郭有陆;张付锦;李梅;杨正霞;茶维杰;邱肖 - 红河钢铁有限公司
  • 2021-02-23 - 2022-02-08 - B22D41/00
  • 本实用新型提供一种长寿命中间包包盖,包括中间包包盖主体,中间包包盖主体包括矩形框架和耐火材料,中间包包盖主体的矩形框架底部设置有纵主梁和横主梁,且横主梁有两个且平行设置,防止包盖变形扭曲;且在中间包包盖主体上通过纵主梁与横主梁围成的区域内均设置有操作孔,中间包包盖主体的矩形框架顶部设置有横肋筋和纵肋筋,防止包盖耐火材料在高温环境下脱落,且网格与各个操作孔外孔壁和矩形框架内壁焊接固定。本实用新型使得中间包包盖的使用寿命得到显著提高,有效降低了中间包包盖的使用成本。经现场生产实践表明,该中包包盖使用寿命达到20个包役以上(中间包包役60小时),是传统设计包盖寿命的6倍以上,大幅度增加了中间包包盖的使用寿命。
  • 一种寿命中间包包
  • [发明专利]智能化动态自定义合同生成方法和装置-CN202110768698.1在审
  • 罗广汉;衡成飞;杨正霞;谢伟;武孟华 - 上海中通吉网络技术有限公司
  • 2021-07-07 - 2021-10-08 - G06F40/174
  • 本申请涉及一种智能化动态自定义合同生成方法和装置,该方法包括首先通过预设关键词语音分析算法分析用户上传的合同模板,对合同模板进行分析和关键词提取,生成推荐映射;然后基于推荐映射生成配置文件;接收用户提交的表单数据,基于表单数据对配置文件进行数据填充和渲染,生成合同文件。如此,通过本申请提供的智能化动态自定义合同生成方法,用户只需要提交合同模板,预设装置可以基于模板内容与待填写内容生成推荐映射,以及基于推荐映射生成用于填充数据的配置文件,然后根据用户提交的表单数据,进行自动填写,生成合同文件,从而实现合同文件的线上生成,节省人力,提高工作效率。
  • 智能化动态自定义合同生成方法装置
  • [发明专利]低损耗硅基激光器-CN202010465149.2在审
  • 杨正霞;吕晨;李亚节;杨文宇;周旭亮;潘教青 - 中国科学院半导体研究所
  • 2020-05-27 - 2020-08-21 - H01S5/34
  • 一种硅基激光器,包括:含有V形底部沟槽的SOI图形衬底;外延结构,依次为N型位错限制层、N型缓冲层、N型下包层、下波导层、量子阱有源区、上波导层、P型上包层、隧道结、N型上包层和N型接触层。本发明使用隧道结的隧穿效应,N型掺杂区域‑隧道结‑P型掺杂区域代替P型掺杂区域,在满足激光器工作电流稳定,粒子数反转的前提下,缩小了P型掺杂区域的体积,可有效降低光场与P型掺杂区域的重叠,减小激光器内部损耗,优化激光器激射性能,进一步推动硅基激光器电泵激射的实现。
  • 损耗激光器

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