专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]绝缘栅双极晶体管的器件结构-CN201120363767.2有效
  • 胡晓明 - 上海华虹NEC电子有限公司
  • 2011-09-26 - 2012-06-20 - H01L29/739
  • 本实用新型公开了一种绝缘栅双极晶体管的器件结构,包括元胞区、场截止区,元胞区包括MOS区域、发射极电极,MOS区域的下方为电场承受区;场截止区包括自元胞区延伸的电场承受区;电场承受区的下方连接缓冲区;缓冲区的下方连接集电极区,集电极区的下方连接集电极电极;所述集电极区由P型掺杂形成,集电极区分为高浓度集电极区、低浓度集电极区,高浓度集电极区与低浓度集电极区交替分布,贯穿元胞区和场截止区。本实用新型的集电极区内,高浓度集电极区与低浓度集电极区交替分布,不仅可降低器件在开启时的空穴注入浓度,从而降低器件关断时由于电场承受区积累大量的空穴产生的关断电流拖尾现象;而且确保了集电极电极引出的良好欧姆接触
  • 绝缘双极晶体管器件结构
  • [发明专利]一种反向电流分布均匀的逆导型IGBT-CN202210480122.X在审
  • 孙瑞泽;余丽波;刘超 - 成都智达和创信息科技有限公司
  • 2022-05-05 - 2022-07-22 - H01L29/417
  • 本发明公开了一种反向电流分布均匀的逆导型IGBT,包括半元胞结构,半元胞结构包括集电极结构、耐压层结构发射极结构和栅极结构;集电极结构位于耐压层结构的其中一端,发射极结构和栅极结构位于耐压层结构另一端的两侧;其中集电极结构包括P+集电极区、N+集电极区和N型缓冲层、P型导电材料、集电极金属、浮空金属;集电极金属连接在P+集电极区并引出集电极,浮空金属连接在N+集电极区,且集电极金属与浮空金属之间不接触;本发明在常规逆导型IGBT结构的基础上通过对集电极结构的优化及改进,利用在集电极侧引入的P型肖特基二极管来消除电压折回现象,因此使得P+集电极区与N+集电极区的长度比值可以较小,保证器件在反向导通时电流更均匀。
  • 一种反向电流分布均匀逆导型igbt
  • [实用新型]一种反向电流分布均匀的逆导型IGBT-CN202221049722.2有效
  • 孙瑞泽;余丽波;刘超 - 成都智达和创信息科技有限公司
  • 2022-05-05 - 2022-08-16 - H01L29/417
  • 本实用新型公开了一种反向电流分布均匀的逆导型IGBT,包括半元胞结构,半元胞结构包括集电极结构、耐压层结构发射极结构和栅极结构;集电极结构位于耐压层结构的其中一端,发射极结构和栅极结构位于耐压层结构另一端的两侧;其中集电极结构包括P+集电极区、N+集电极区和N型缓冲层、P型导电材料、集电极金属、浮空金属;集电极金属连接在P+集电极区并引出集电极,浮空金属连接在N+集电极区,且集电极金属与浮空金属之间不接触;本实用新型在常规逆导型IGBT结构的基础上通过对集电极结构的优化及改进,利用在集电极侧引入的P型肖特基二极管来消除电压折回现象,因此使得P+集电极区与N+集电极区的长度比值可以较小,保证器件在反向导通时电流更均匀。
  • 一种反向电流分布均匀逆导型igbt
  • [实用新型]一种集电极带导油槽的静电式电场结构-CN201720011167.7有效
  • 席刚;席庶 - 四川厨源不锈钢设备有限公司
  • 2017-01-05 - 2017-08-22 - B03C3/38
  • 本实用新型公开了一种集电极带导油槽的静电式电场结构,包括放电极集电极连接弹簧、具有多条电极支架的支架主体、电极框架,集电极为内部具有电极腔的圆形或多边形筒体结构,并在集电极上设置有至少一个导油槽,且导油槽与电极腔连通,在集电极的侧壁上对称设有四个安装孔,放电极为圆柱形杆状结构并穿设在集电极的中心,沿放电极的长度方向设有多个尖端凸起部;多个集电极呈网状结构排列在电极框架中,相邻集电极之间通过连接弹簧连接固定,每个放电极的两端分别连接在两个电极支架上,两个支架主体通过陶瓷绝缘子与电极框架相连接。本实用新型的导油槽,有利于电极腔内,放电极范围内无集油,使净化后的油液收集与排出。
  • 一种集电极油槽静电电场结构
  • [实用新型]一种正八边形集电极的静电式电场结构-CN201720012271.8有效
  • 席刚;席庶 - 四川厨源不锈钢设备有限公司
  • 2017-01-05 - 2017-08-22 - B03C3/41
  • 本实用新型公开了一种正八边形集电极的静电式电场结构,包括放电极集电极连接弹簧、具有多条电极支架的支架主体、电极框架,集电极为内部具有电极腔的正八边形筒体结构,并在集电极上对称设置有四个连接孔,所述放电极穿设在集电极的中心,且放电极为圆柱形杆状结构,并沿放电极的长度方向设有多个尖端凸起部;多个集电极呈网状结构排列在电极框架中,相邻集电极之间通过连接弹簧插接在连接孔中连接固定,并且每个放电极的两端分别连接在两个电极支架上,两个支架主体分别通过陶瓷绝缘子与电极框架相连接。本实用新型的带有尖端凸起部的放电极与正八边形筒体结构的集电极相配合,能够保证电场强度的均匀性,从而使油烟气体电离更充分。
  • 一种八边形集电极静电电场结构
  • [发明专利]一种消除电压折回现象的逆导型IGBT-CN202210480121.5在审
  • 刘超;余丽波;孙瑞泽 - 成都智达和创信息科技有限公司
  • 2022-05-05 - 2022-07-26 - H01L29/417
  • 本发明公开了一种消除电压折回现象的逆导型IGBT,包括半元胞结构,半元胞结构包括集电极结构、耐压层结构发射极结构和栅极结构;集电极结构位于耐压层结构的其中一端,发射极结构和栅极结构位于耐压层结构另一端的两侧;其中集电极结构包括P+集电极区、N+集电极区和N型缓冲层、P+导电材料、集电极金属、N型导电材料和浮空金属;N型缓冲层的其中一侧连接在耐压层结构上,P+集电极区和N+集电极区的其中一侧分别连接在N型缓冲层的另一侧,且P+集电极区和N+集电极区之间具有间隙,P+集电极区的另一侧具有集电极金属;本发明在常规逆导型IGBT结构的基础上通过对集电极结构的优化及改进,消除了snapback现象,并且反向导通电流更加均匀。
  • 一种消除电压折回现象逆导型igbt
  • [实用新型]一种消除电压折回现象的逆导型IGBT-CN202221049368.3有效
  • 刘超;余丽波;孙瑞泽 - 成都智达和创信息科技有限公司
  • 2022-05-05 - 2022-08-23 - H01L29/417
  • 本实用新型公开了一种消除电压折回现象的逆导型IGBT,包括半元胞结构,半元胞结构包括集电极结构、耐压层结构发射极结构和栅极结构;集电极结构位于耐压层结构的其中一端,发射极结构和栅极结构位于耐压层结构另一端的两侧;其中集电极结构包括P+集电极区、N+集电极区和N型缓冲层、P+导电材料、集电极金属、N型导电材料和浮空金属;N型缓冲层的其中一侧连接在耐压层结构上,P+集电极区和N+集电极区的其中一侧分别连接在N型缓冲层的另一侧,且P+集电极区和N+集电极区之间具有间隙,P+集电极区的另一侧具有集电极金属;本实用新型在常规逆导型IGBT结构的基础上通过对集电极结构的优化及改进,消除了snapback现象,并且反向导通电流更加均匀
  • 一种消除电压折回现象逆导型igbt
  • [实用新型]一种具有褶皱形状的炭基电极超级电容器-CN201720312196.7有效
  • 李昕烨 - 华北电力大学(保定)
  • 2017-03-28 - 2017-12-01 - H01G11/66
  • 本实用新型公开了一种具有褶皱形状的炭基电极超级电容器,包括筒形腔体和与筒形腔体上端开口绝缘密封连接的筒形腔体盖组成的电容器壳体,在电容器壳体内设有第一集电极和第二集电极,第一集电极包括与筒形腔体底板电连接的第一集电极底板,在第一集电极底板的左侧缘边竖向设有第一集电极板,第一集电极板的右侧面均布多个第一集电极片,各第一集电极片相互平行设置,第二集电极与第一集电极结构相同,且对称设置,筒形腔体盖为超级电容的正极,筒形腔体底板为负极
  • 一种具有褶皱形状电极超级电容器

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