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[发明专利]高电子迁移率晶体管及其制作方法-CN202110189435.5在审
发明人：林永丰;周钰杰;林琮翔;庄理文 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2021-02-19 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种高电子迁移率晶体管，其中半导体通道层及半导体阻障层设置于基底上。图案化半导体保护层设置于半导体阻障层上，且图案化半导体盖层设置于图案化半导体保护层及半导体阻障层之间。层间介电层覆盖图案化半导体盖层及图案化半导体保护层，且层间介电层包括闸极接触洞。闸极电极设置于闸极接触洞内且电连接该图案化半导体盖层，其中闸极电极及图案化半导体盖层之间存在图案化半导体保护层。图案化半导体保护层的电阻率介于图案化半导体盖层的电阻率及层间介电层的电阻率之间。
电子迁移率晶体管及其制作方法

[发明专利]像素结构及其制作方法-CN201210067737.6有效
发明人：高逸群;邱皓麟;林俊男 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2012-03-12 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：该制作方法包括，首先，在基板上形成第一图案化金属层，包括扫描线以及栅极。再于第一图案化金属层上依序形成第一绝缘层、半导体层、蚀刻阻挡图案以及金属层。接着，图案化此金属层和半导体层以形成第二图案化金属层和图案化半导体层。第二图案化金属层包括数据线、源极与漏极。图案化半导体层包括完全重叠于第二图案化金属层的第一半导体图案以及不重叠于第二图案化金属层的第二半导体图案，其中第二半导体图案包括位于源极与漏极之间的通道图案以及包围第一半导体图案的边缘图案。
像素结构及其制作方法

[发明专利]鳍式场效应管基体制备方法-CN201510375744.6在审
发明人：黄秋铭 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2015-06-30 - 公布日： 2015-11-18 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种鳍式场效应管基体制备方法，包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成待蚀刻半导体材料层，在半导体材料层上形成图案化掩膜层；利用图案化掩膜层来部分蚀刻半导体材料层，以便在半导体材料层中形成处于图案化掩膜层下方的突起部；氧化半导体材料层暴露出来的表层，以便在突起部的侧壁以及半导体材料层的上表面上形成氧化层；利用图案化掩膜层来干法蚀刻氧化层和半导体材料层，以完全去除被图案化掩膜层暴露的氧化层和半导体材料层，从而形成鳍形的半导体材料层；湿法蚀刻图案化掩膜层下方的鳍形的半导体材料层，从而在鳍形的半导体材料层下部形成凹进；去除图案化掩膜层和侧壁上的氧化层，从而形成Ω形截面的半导体基体结构。
场效应基体制备方法

[发明专利]半导体装置制造方法-CN201911212801.3在审
发明人：陈颐珊;刘皓恒 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-12-02 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：一种半导体装置制造方法。此方法包括形成第一介电层和在第一介电层上方形成第一半导体层。图案化第一半导体层以形成图案化的第一半导体层。使用图案化的第一半导体层来图案化第一介电层，以形成图案化的第一介电层。在图案化的第一介电层和图案化的第一半导体层上方形成第二半导体层。
半导体装置制造方法

[发明专利]一种TFT的制备方法-CN201811109278.7在审
发明人：李金明 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2018-09-21 - 公布日： 2019-02-15 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种TFT的制备方法，该方法包括：提供一衬底；在衬底之上沉积缓冲层；在缓冲层表面沉积形成半导体层；对半导体层进行处理形成图案化半导体层，在刻蚀工艺中的导体化工艺处理时在NF₃和特定气体的环境中进行，以利用NF₃产生F*；在图案化半导体层表面形成绝缘层；通过退火处理将导体化工艺产生的F*掺杂到图案化半导体层中，形成稳定的图案化半导体层；通过退火处理将导体化工艺产生的F*掺杂到图案化半导体层中，形成稳定的图案化半导体层；依次制得栅极图案层和绝缘图案层、层间介质ILD层和源漏图案层。
图案化半导体层导体化制备半导体层退火处理沉积衬底掺杂表面形成绝缘层金属离子掺杂缓冲层表面绝缘图案层栅极图案层层间介质工艺处理结构稳定刻蚀工艺缓冲层图案层源漏

[发明专利]晶体管结构及其制作方法-CN201410077873.2在审
发明人：高启仁;彭玉容;王怡凯 -专利权人：纬创资通股份有限公司
申请日： 2014-03-05 - 公布日： 2015-08-19 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开一种晶体管结构及其制作方法，其中晶体管结构包括一栅极、一绝缘层、一图案化半导体层、一源极以及一漏极以及一光吸收层。栅极配置于基板上。栅极的面积重叠图案化半导体层的面积。绝缘层位于栅极与图案化半导体层之间。源极以及漏极彼此分离，且源极与漏极接触于图案化半导体层。图案化半导体层位于光吸收层以及基板之间。光吸收层的面积覆盖图案化半导体层的面积。光吸收层的吸收光谱波长涵盖图案化半导体层的吸收光谱波长。
晶体管结构及其制作方法

[发明专利]显示面板的薄膜晶体管-CN201610944214.3在审
发明人：杨育鑫 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2016-11-02 - 公布日： 2017-08-11 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种显示面板的薄膜晶体管，其包括图案化光吸收层、图案化半导体层、图案化栅极绝缘层、栅极、源极以及漏极，其中图案化光吸收层设置于透明基板上，图案化半导体层设于图案化光吸收层上，图案化栅极绝缘层设置于图案化半导体层上，栅极设置于图案化栅极绝缘层上，且源极与漏极设置于图案化半导体层上并分别与图案化半导体层电连接。通过实施本发明，可减少来自于透明基板侧的短波长光线照射到图案化半导体层的照射量，以有效降低临界电压偏移量，进而维持薄膜晶体管的开关效果。
显示面板薄膜晶体管

[发明专利]太阳能电池及其制造方法-CN200910159777.1无效
发明人：朴敏;吴旼锡;申明勋;李昌昊;李秉奎;南毓铉;郑胜在;林美花;徐晙荣 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2009-07-20 - 公布日： 2010-01-20 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：该制造方法包括：在基板上沉积透明导电层；图案化透明导电层；形成半导体层，该半导体层沉积在所图案化的透明导电层上；图案化半导体层；将金属粉涂覆在图案化的半导体层上；在涂覆有金属粉的半导体层上形成后电极层；以及图案化后电极层和半导体层。
太阳能电池及其制造方法

[发明专利]薄膜晶体管阵列基板的制造方法-CN200810180071.9有效
发明人：廖国助;蔡善宏;陈素芬;钟明佑 -专利权人：统宝光电股份有限公司
申请日： 2008-11-21 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其包括：形成一半导体层于一基板上；形成一具有第一厚度以及一第二厚度的图案化光致抗蚀剂层于半导体层上；以图案化光致抗蚀剂层为掩模，图案化半导体层以形成一图案化半导体层；移除第二厚度的图案化光致抗蚀剂层；以第一厚度的图案化光致抗蚀剂层为掩模，进行一第一离子注入工艺于图案化半导体层上；移除第一厚度的图案化光致抗蚀剂层；形成一介电层与一栅极于该图案化半导体层上；以及以栅极作为掩模，进行一第二离子注入工艺于图案化半导体层上。
薄膜晶体管阵列制造方法

[发明专利]制造氧化物半导体薄膜电晶体的方法-CN201510480819.7在审
发明人：张锡明;黄彦馀 -专利权人：中华映管股份有限公司
申请日： 2015-08-03 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种制造氧化物半导体薄膜电晶体的方法，其包含提供图案化非晶态氧化物半导体层；多晶化图案化非晶态氧化物半导体层，以形成图案化多晶态氧化物半导体层；在图案化多晶态氧化物半导体层上形成源极及漏极；提供栅极；以及提供位于栅极与图案化多晶态氧化物半导体层、源极及漏极之间的闸介电层。此方法是先形成抗蚀刻液的图案化多晶态氧化物半导体层，再形成源极及漏极。如此一来，在使用蚀刻液形成源极及漏极时，不会伤害到图案化多晶态氧化物半导体层。
制造氧化物半导体薄膜电晶体方法

[发明专利]氧化物半导体薄膜晶体管及其制造方法-CN201410682479.1有效
发明人：吕雅茹;吴国伟;曹文光;苏正芳;高金字 -专利权人：中华映管股份有限公司
申请日： 2014-11-24 - 公布日： 2018-05-25 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种氧化物半导体薄膜晶体管及其制造方法，该氧化物半导体薄膜晶体管的制造方法，包含于一基材上依序提供第一氧化物半导体层及导体层，导体层位于第一氧化物半导体层上。形成图案化光阻于导体层上。移除暴露于图案化光阻外的导体层及其下方的第一氧化物半导体层，以形成源极、漏极及图案化第一氧化物半导体层于源极及漏极的下方。形成图案化第二氧化物半导体层于源极与漏极之间，以接触图案化第一氧化物半导体层、源极及漏极。提供栅极。提供位于图案化第一氧化物半导体层及图案化第二氧化物半导体层与栅极之间的栅介电层。
氧化物半导体层导体层图案化漏极源极氧化物半导体薄膜晶体管图案化光制造接触图案依序提供栅介电层基材移除暴露

[发明专利]晶体管结构-CN201010518111.3有效
发明人：叶佳俊;王裕霖;蔡耀州;黄松辉 -专利权人：元太科技工业股份有限公司
申请日： 2010-10-13 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明是一种晶体管结构，其包含图案化N型透明氧化物半导体层以及图案化P型有机高分子半导体层。图案化N型透明氧化物半导体层形成于基板上方，以作为基极。图案化P型有机高分子半导体层形成于图案化N型透明氧化物半导体层上，并包含第一部分以及第二部分，使得图案化N型透明氧化物半导体层与图案化P型有机高分子半导体层的第一部分和第二部分分别形成异质接面，其中图案化P型有机高分子半导体层的第一部分是作为发射极，图案化P型有机高分子半导体层的第二部分是作为集电极。
晶体管结构

[发明专利]二极管电路及其箝位电路、二极管制造方法及其限压方法-CN200610163672.X有效
发明人：维维克·沙巴拉曼尼恩;派崔克·史密斯 -专利权人：高菲欧股份有限公司
申请日： 2006-12-01 - 公布日： 2007-06-13 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：所述二极管制造方法包含下列步骤：在一衬底上形成一第一图案化半导体层，该第一图案化半导体层具有一第一导电型式；在该衬底上形成一第二图案化半导体层，该第二图案化半导体层具有一第二导电型式；在该第一图案化半导体层、该第二图案化半导体层以及该衬底上方形成一图案化绝缘层；以及在该图案化绝缘层上形成一第一图案化金属层，该第一图案化金属层与该第一图案化半导体层以及该第二图案化半导体层电性接触。
二极管电路及其箝位制造方法

[发明专利]氧化物半导体薄膜晶体管及其制作方法-CN201510580206.0有效
发明人：王培筠;胡晋玮;陈佳楷;黄雅琴;许庭毓 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2015-09-14 - 公布日： 2018-10-12 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种氧化物半导体薄膜晶体管，包括图案化氧化物半导体层、图案化栅极介电层、栅极、氢扩散控制层、一氢来源层、源极以及漏极。图案化氧化物半导体层设置于一基板上。图案化栅极介电层设置于图案化氧化物半导体层上。栅极设置于图案化栅极介电层上。氢扩散控制层设置于栅极与图案化氧化物半导体层上，且氢扩散控制层包覆栅极与图案化栅极介电层。氢来源层设置于氢扩散控制层以及图案化氧化物半导体层上，源极漏极设置于氢来源层上，且氢来源层的含氢量大于氢扩散控制层的含氢量。
氧化物半导体薄膜晶体管及其制作方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202110417436.0有效
发明人：陈柏安 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2021-04-19 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构及其形成方法，其中，半导体结构的形成方法包含：在基板上依序形成外延层及半导体层。在半导体层上形成图案化硬遮罩层。图案化硬遮罩层包含至少二开口。使用图案化硬遮罩层作为刻蚀遮罩，并刻蚀半导体层，以移除至少二开口下方的半导体层。移除介于至少二开口之间的图案化硬遮罩层。使用图案化硬遮罩层的剩余部分作为刻蚀遮罩，并刻蚀半导体层及外延层，以使外延层具有凹槽及凸部。凸部位于凹槽的底表面上且在介于至少二开口之间的图案化硬遮罩层的下方。移除图案化硬遮罩层的剩余部分。在半导体层及外延层上形成具有第一沟槽的第一介电层。本发明能够使半导体结构中的电场与电荷更加均匀，来获得更优良的电性特征。
半导体结构及其形成方法

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