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[发明专利]超声换能器阵列及其制备方法-CN202111598721.3在审
发明人：张文栋;何常德;王红亮;张国军;杨玉华;王任鑫;崔建功;任勇峰;甄国涌;薛晨阳;焦新泉;党荣 -专利权人：中北大学;太原市华纳方盛科技有限公司
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： A61B8/00 文献下载
摘要：本发明公开一种超声换能器阵列及其制备方法，其中的超声换能器阵列自下而上依次包括：半导体衬底、第一绝缘层、孤立的岛形半导体层、第二绝缘层和金属图案化层，金属图案化层包括图案化上电极、第一焊盘和第二焊盘；相邻的岛形半导体层由隔离槽分隔，每个岛形半导体层上表面形成有多个凹槽群，所有岛形半导体层上的凹槽群按行列排布；每个凹槽群中的多个凹槽按行列排布；第二绝缘层覆盖隔离槽和凹槽，以在岛形半导体层中形成密封空腔；图案化上电极与凹槽一一对应；每个岛形半导体层相同位置的凹槽群形成凹槽群组，凹槽群组中所有的图案化上电极按行列通过连线连接在一起，并与位于第二绝缘层边缘的第二焊盘电连接；第一焊盘穿过第二绝缘层与岛形半导体层边缘欧姆接触。
超声换能器阵列及其制备方法

[发明专利]晶体管及其制造方法-CN202110601485.X在审
发明人：荷尔本·朵尔伯斯;布兰丁·迪里耶;马可·范·达尔 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-05-31 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：提供了晶体管、集成半导体器件及制造方法。该晶体管包括图案化的栅电极、位于图案化的栅电极上方的介电层和图案化的第一氧化物半导体层，该图案化的第一氧化物半导体层包括沟道区和位于沟道区的侧上的源极/漏极区。该晶体管还包括置于图案化的第一氧化物半导体层上并连接到图案化的第一氧化物半导体层的源极/漏极区的接触件。
晶体管及其制造方法

[发明专利]半导体元件及其制造方法-CN201210261610.8有效
发明人：张荣芳;张民杰 -专利权人：瀚宇彩晶股份有限公司
申请日： 2012-07-26 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：一种半导体元件及其制作方法。半导体元件的制作方法包括：在基板上依序形成栅极、栅绝缘层、氧化物半导体层及蚀刻终止层。蚀刻终止层具两个暴露出部分氧化物半导体层的接触开口。在蚀刻终止层上形成金属层。金属层通过接触开口与氧化物半导体层相连接。在金属层上形成半调式图案化光致抗蚀剂层。以半调式图案化光致抗蚀剂层为掩模，移除暴露于半调式图案化光致抗蚀剂层之外的金属层及其下方的蚀刻终止层。减少半调式图案化光致抗蚀剂层厚度直至第二部分被完全移除为止而形成图案化光致抗蚀剂层。以图案化光致抗蚀剂层为掩模，移除暴露于图案化光致抗蚀剂层之外的金属层与氧化物半导体层，而定义出源极、漏极及通道区域。移除图案化光致抗蚀剂层。
半导体元件及其制造方法

[发明专利]主动元件阵列结构及其制造方法-CN200810003065.6有效
发明人：游伟盛;方国龙;林祥麟;曾贤楷;林汉涂 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2008-01-18 - 公布日： 2008-07-09 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：一种主动元件阵列结构，配置于一基板上，其包括一第一图案化导体层、一图案化栅绝缘层、一图案化半导体层、一第二图案化导体层、一图案化平坦层与一透明导电层。图案化栅绝缘层具有暴露出部分第一图案化导体层的第一开口。图案化半导体层配置于图案化栅绝缘层上。第二图案化导体层配置于图案化半导体层上。图案化平坦层具有第二开口，以暴露出部分第一图案化导体层及部分第二图案化导体层。透明导电层全面地配置于基板上。配置于第一开口以及第二开口内的部分透明导电层在基板以及图案化平坦层之间断开。
主动元件阵列结构及其制造方法

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN201010192517.7无效
发明人：沈满华;张海洋 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-06-04 - 公布日： 2011-12-07 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件的制造方法，该方法包括：在半导体衬底上依次形成栅极介质层、多晶硅层和刻蚀停止层；在所述刻蚀停止层上形成图案化硬掩膜层；以图案化硬掩膜层为掩膜，刻蚀所述刻蚀停止层形成图案化刻蚀停止层；以图案化硬掩膜层为掩膜，刻蚀所述多晶硅层和栅极介质层形成栅极，所述栅极包括图案化栅极介质层和图案化多晶硅层；在所述栅极侧壁和半导体衬底表面形成保护层；利用干法刻蚀方式去除所述图案化硬掩膜层。本发明可避免出现颈状缺陷，提高半导体器件的性能。
半导体器件制造方法

[发明专利]半导体元件封装体及半导体元件封装制程-CN201610504287.0在审
发明人：陈育民 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2016-06-30 - 公布日： 2018-01-09 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体元件封装体及半导体元件封装制程，包括下列步骤。首先，以三维列印方式在具有一凹槽的一载板上形成一图案化导电层以及覆盖图案化导电层的一防焊层，其中图案化导电层与防焊层自凹槽内延伸至凹槽外，而部分的图案化导电层被防焊层所暴露。接着，将至少一半导体元件设置于凹槽内的图案化导电层上，并使半导体元件与图案化导电层电性连接。本发明技术方案通过三维列印方式可在具有凹槽的载板上轻易地制作出图案化导电层及防焊层，可有效地降低三维封装的制程复杂度。可在载板的凹槽内形成连接线路，有助于降低半导体元件封装体的整体厚度。
半导体元件封装

[发明专利]阵列基板的制备方法及阵列基板-CN202010015182.5在审
发明人：吕晓文 -专利权人： TCL华星光电技术有限公司
申请日： 2020-01-07 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本申请提供一种阵列基板的制备方法及阵列基板，该制备方法包括依次在基板上形成图案化的第一金属层、绝缘层、第一半导体层、第二半导体层和第二金属层，所述第一半导体层的材料为非晶硅或低温多晶硅，所述第二半导体层的材料为金属氧化物或低温多晶硅；其中，位于所述非显示区的所述图案化的第一金属层、所述绝缘层和所述图案化的第二金属层，以及所述图案化的第一半导体层形成GOA驱动电路；位于所述显示区的所述图案化的第一金属层、所述绝缘层和所述图案化的第二金属层，以及所述图案化的第二半导体层形成像素电路。
阵列制备方法

[发明专利]半导体封装件及其制造方法-CN201010231528.1无效
发明人：翁肇甫;黄敏龙;约翰·杭特 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2010-07-08 - 公布日： 2010-12-29 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：一种半导体封装件及其制造方法。半导体封装件包括基板、半导体组件、激光活化介电材料及图案化线路层。半导体组件设于基板上并具有主动表面，导电柱形成于主动表面上。激光活化介电材料覆盖主动表面并具有图案化沟槽，图案化沟槽并露出导电柱。图案化线路层埋设于图案化沟槽内并电性连接于导电柱。
半导体封装及其制造方法

[发明专利]显示装置及薄膜晶体管的制造方法-CN201910417982.7在审
发明人：刘晋铨;林富良 -专利权人：友达光电(昆山)有限公司;友达光电股份有限公司
申请日： 2019-05-15 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：薄膜晶体管的制造方法包括：(A)提供一基板；(B)在该基板上形成一遮光层，图案化所述遮光层，形成一图案化遮光层；(C)在该基板上形成一缓冲层；(D)在该基板上形成一半导体层，图案化所述半导体层，形成一图案化半导体层；(E)在该基板上形成一绝缘层；(F)在该基板上形成一导电层，图案化所述导电层，形成一图案化导电层；其中，图案化所述遮光层及图案化所述半导体层采用同一掩模。
基板图案化薄膜晶体管半导体层遮光层显示装置导电层掩模绝缘层图案化半导体层制造图案化导电层图案化遮光层光电效应生产过程显示区域缓冲层

[发明专利]半导体元件、包含其的有机发光显示器以及其制造方法-CN200710196287.X有效
发明人：乔尔格·费希尔;阿瑟·玛西娅;马库斯·谢迪格 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2007-12-07 - 公布日： 2008-09-03 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：公开了一种半导体元件(半导体器件)以及制造该半导体元件的方法，该半导体元件包括基板，该基板具有由有机半导体材料形成的图案化结构。根据一个实施方式，制备该半导体元件的方法提供具有有机半导体材料的图案化结构的基板，其节省成本，并且实现具有图案化的半导体区域的高度的均一性的结构。所述方法包括：提供基板，在基板上涂覆有机半导体材料的连续层，在第二区域中的连续层上施加溶剂，从而从连续层上溶解并去除位于第二区域中的有机半导体材料。
半导体元件包含有机发光显示器及其制造方法

[发明专利]像素结构的制作方法-CN200610003382.9有效
发明人：李奕纬;朱庆云 -专利权人：广辉电子股份有限公司
申请日： 2006-02-07 - 公布日： 2006-09-06 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：一种像素结构的制作方法，包括：在一基板上形成一第一导体层；利用一第一光掩膜图案化此第一导体层，以形成一栅极；在基板上形成一介电层，以覆盖栅极；在介电层上依序形成一半导体材料层与一第二导体层；利用一第二光掩膜图案化第二导体层，以形成一像素电极；再次利用第一光掩膜在基板上形成一图案化光刻胶层，以保护栅极上方的半导体材料层；以像素电极与图案化光刻胶层为掩膜图案化半导体材料层，以形成一半导体层；移除图案化光刻胶层；在基板上形成一第三导体层；利用一第三光掩膜图案化第三导体层，以形成一源极/漏极，其中漏极电性连接于像素电极。
像素结构制作方法

[发明专利]像素结构及其制造方法-CN200710185012.6有效
发明人：林宜平;邱羡坤;赖钦诠;邱绍裕;杨淑贞 -专利权人：中华映管股份有限公司
申请日： 2007-10-30 - 公布日： 2009-05-06 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：本发明涉及一种可降低漏电流的像素结构及其制造方法，像素结构包括栅极、栅绝缘层、半导体层、欧姆接触层、源极、漏极、第一图案化介电层、第二图案化介电层及像素电极依序配置于基板上。栅绝缘层覆盖栅极，而半导体层位于栅极上方。欧姆接触层配置于半导体层上，且源/漏极露出欧姆接触层露出的部分半导体层。第一图案化介电层覆盖栅极上方的源/漏极并露出部分半导体层。第一图案化介电层与第二图案化介电层分别具有第一开口与第二开口以露出部分漏极。像素电极借第一及第二开口电性连接漏极。
像素结构及其制造方法

[发明专利]发光二极管-CN201110395467.7有效
发明人：朱振东;李群庆;张立辉;陈墨;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2011-12-03 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H01L33/24 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管，其包括：一第一半导体层，所述第一半导体层具有相对的一第一表面和一第二表面；一活性层及一第二半导体层依次层叠设置于所述第二表面，所述活性层设置于所述第一半导体层及第二半导体层之间；一第一电极覆盖所述第一半导体层的第一表面；一第二电极与所述第二半导体层电连接，所述第二半导体层远离活性层的表面具有一出光面；其中，所述第一半导体层的第二表面为多个三维纳米结构以阵列形式排布形成的图案化的表面，所述活性层与所述第一半导体层接触的表面为与所述第一半导体层所述图案化的表面相啮合形成的图案化表面。
发光二极管

[发明专利]电激发光显示面板及其制造方法-CN201310247067.0有效
发明人：奚鹏博;陈钰琪 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2013-06-20 - 公布日： 2013-12-11 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：电激发光显示面板包括第一多层结构层、第二多层结构层、保护层以及第三图案化导电层。第一多层结构层包括依序堆栈的第一图案化导电层、第一图案化绝缘层以及氧化物半导体层，且第一图案化导电层、第一图案化绝缘层与氧化物半导体层实质上具有相同的形状。第二多层结构层包括第二图案化导电层。保护层具有多个接触洞，其中部分接触洞暴露出部分氧化物半导体层的顶面与侧面，以及第一图案化导电层的侧面，且第三图案化导电层经由接触洞与氧化物半导体层以及第一图案化导电层接触。
激发显示面板及其制造方法

[发明专利]发光器件及其制造方法-CN201510512428.9有效
发明人： D·T·埃默森;K·哈贝雷恩;M·J·伯格曼;D·斯拉特;M·多诺夫里奥;J·埃蒙德 -专利权人：克利公司
申请日： 2008-02-19 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：该发光器件，包括：p型半导体层、n型半导体层、以及n型半导体层和p型半导体层之间的有源区域；不透明部件，位于与有源区域相对的n型半导体层上；以及图案化的欧姆接触，位于与有源区域相对的p型半导体层上，其中，图案化的欧姆接触与不透明部件对齐。
发光器件及其制造方法