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[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法-CN201811441985.6在审
发明人： 高金字;李韦鑫 -专利权人：中华映管股份有限公司
申请日： 2018-11-29 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜晶体管及其制造方法，薄膜晶体管，包含基板、栅极、栅极介电层、图案化半导体层、源极、漏极、阻光层及介电层。栅极配置于基板上，而栅极介电层配置于栅极上。图案化半导体层配置于栅极介电层上。源极及漏极分别配置于图案化半导体层的不同侧，并电性连接图案化半导体层。阻光层配置于图案化半导体层上，且直接接触图案化半导体层，其中阻光层为非金属材料所制成。介电层覆盖阻光层、源极及漏极。
薄膜晶体管及其制造方法

[发明专利]平坦化层的制造方法-CN201710856781.8在审
发明人：李韦鑫;高金字 -专利权人：中华映管股份有限公司
申请日： 2017-09-21 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供一种平坦化层的制造方法，其包括以下步骤。在衬底上形成主动元件。在主动元件上覆盖钝化层。在钝化层上形成垫层。在衬底上形成覆盖钝化层和垫层的平坦层。通过曝光显影工艺来移除部分平坦层和垫层，以形成图案化平坦层，其中图案化平坦层在相对于主动元件的位置上具有暴露钝化层的开口。本发明的平坦化层的制造方法可节省曝光量以提升产能。
钝化层平坦化层主动元件垫层图案化平坦层平坦层衬底制造曝光显影曝光量产能覆盖移除开口暴露

[发明专利]开口的形成方法和像素结构的制造方法-CN201710717486.4在审
发明人： 高金字;戴谦邦;吕培农 -专利权人：中华映管股份有限公司
申请日： 2017-08-21 - 公布日： 2019-03-05 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供一种开口的形成方法，其包括在基底上依序堆叠图案化的第一导电层、第一绝缘层、图案化的第二导电层和第二绝缘层。第二导电层和第一导电层在基底的法线方向上重叠，使得第二绝缘层具有背向基底的凸起部。在第二绝缘层上覆盖感光材料层。对感光材料层进行曝光，其中曝光的深度等于凸起部的顶面至感光材料层的表面的垂直距离。通过显影将经曝光的感光材料层移除以形成暴露出第二绝缘层的第一开口。对暴露出的第二绝缘层进行蚀刻以形成第二开口并暴露出第二导电层，然后移除感光材料层。此外，使用上述开口的形成方法的像素结构的制造方法也被提出。
绝缘层感光材料层开口第二导电层基底第一导电层像素结构凸起部图案化曝光暴露蚀刻垂直距离法线方向依序堆叠顶面显影移除制造覆盖

[发明专利]一种薄膜晶体管及其制造方法-CN201410346471.8有效
发明人： 高金字;吕雅茹;鍾享顯;陸文正 -专利权人：福州华映视讯有限公司;中华映管股份有限公司
申请日： 2014-07-21 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种制造薄膜晶体管的方法，包含下列步骤：形成闸极于基板上；形成闸极绝缘层于闸极上；形成图案化半导体层于闸极绝缘层上；形成源极于图案化半导体层上；氧化源极的外围部份以形成氧化层，其中氧化层覆盖源极及部分的图案化半导体层；形成保护层与氢离子，其中保护层覆盖氧化层与图案化半导体层；以及以氢离子掺杂未被氧化层覆盖的图案化半导体层，以形成汲极。本发明亦提供一种薄膜晶体管。
一种薄膜晶体管及其制造方法

[发明专利]制作半导体元件及显示器的阵列基板的方法-CN201810217610.5在审
发明人： 高金字;张凯雯;戴谦邦 -专利权人：中华映管股份有限公司
申请日： 2018-03-16 - 公布日： 2018-08-17 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种制作半导体元件及显示器的阵列基板的方法，制作半导体元件的方法包含：提供具有第一图案的光罩；通过此光罩在基板上形成图案化材料层，其中图案化材料层包含第一突出缺陷以及对应第一图案的正常图案层；通过光罩形成第一图案化光阻层覆盖正常图案层，第一突出缺陷暴露于第一图案化光阻层之外；以及使用第一图案化光阻层为遮罩蚀刻图案化材料层的第一突出缺陷。本发明提供的半导体元件的制造方法可以在原有的设备及元件设计下，提升制作出的元件合格率。
半导体元件图案化光阻层突出缺陷光罩图案化材料层阵列基板正常图案显示器制作图案蚀刻图案元件设计材料层原有的基板遮罩合格率暴露覆盖制造

[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法-CN201611165780.0在审
发明人： 高金字;王崇旭 -专利权人：中华映管股份有限公司
申请日： 2016-12-16 - 公布日： 2018-06-26 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及一种薄膜晶体管及其制造方法。薄膜晶体管的制造方法包括下列步骤：在基板上形成栅极；形成绝缘层，以覆盖栅极；在绝缘层上形成具有相对的第一区与第二区的半导体图案；形成多个岛状图案，至少部分的多个岛状图案配置于半导体图案上，多个岛状图案彼此分离且彼此之间存在间隙；形成源极与漏极，覆盖部分的多个岛状图案且填入间隙，以分别与半导体图案的第一区及第二区电性连接。本发明的薄膜晶体管的制造方法能制造出尺寸小且电性佳的薄膜晶体管，且本发明的薄膜晶体管尺寸小且电性佳。
薄膜晶体管岛状图案半导体图案绝缘层制造第一区电性彼此分离电性连接覆盖基板漏极填入源极配置

[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法-CN201611094070.3在审
发明人：锺明宗;高金字 -专利权人：中华映管股份有限公司
申请日： 2016-12-02 - 公布日： 2018-06-12 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明涉及一种薄膜晶体管及其制造方法。薄膜晶体管的制造方法包括下列步骤：提供基板、第一导电图案、第二导电图案及第一光阻图案，第一导电图案、第二导电图案及第一光阻图案依序堆叠在基板上；以第一光阻图案为掩模，图案化第二导电图案，以使第二导电图案具有通孔，所述通孔暴露第一导电图案的部分表面，所述第一导电图案的所述部分表面与定义所述通孔的所述第二导电图案的侧壁形成第一凹陷；形成绝缘层，以覆盖第二导电图案与第一凹陷；在绝缘层上形成与第一凹陷重叠的半导体图案；以及形成分别与半导体图案的两侧电连接的源极与漏极。本发明的制造方法能提高薄膜晶体管的开启电流值，且本发明的薄膜晶体管具高开启电流值。
导电图案薄膜晶体管光阻图案凹陷通孔绝缘层半导体图案开启电流制造基板依序堆叠电连接图案化侧壁漏极掩模源极暴露覆盖

[发明专利]氧化物半导体薄膜晶体管及其制造方法-CN201410682479.1有效
发明人：吕雅茹;吴国伟;曹文光;苏正芳;高金字 -专利权人：中华映管股份有限公司
申请日： 2014-11-24 - 公布日： 2018-05-25 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种氧化物半导体薄膜晶体管及其制造方法，该氧化物半导体薄膜晶体管的制造方法，包含于一基材上依序提供第一氧化物半导体层及导体层，导体层位于第一氧化物半导体层上。形成图案化光阻于导体层上。移除暴露于图案化光阻外的导体层及其下方的第一氧化物半导体层，以形成源极、漏极及图案化第一氧化物半导体层于源极及漏极的下方。形成图案化第二氧化物半导体层于源极与漏极之间，以接触图案化第一氧化物半导体层、源极及漏极。提供栅极。提供位于图案化第一氧化物半导体层及图案化第二氧化物半导体层与栅极之间的栅介电层。
氧化物半导体层导体层图案化漏极源极氧化物半导体薄膜晶体管图案化光制造接触图案依序提供栅介电层基材移除暴露

[发明专利]主动元件及其制作方法-CN201610007937.0在审
发明人： 高金字;吕雅茹;郭晋川 -专利权人：中华映管股份有限公司
申请日： 2016-01-06 - 公布日： 2017-07-14 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明提供一种主动元件及其制作方法，主动元件配置于基板上，且包括栅极、栅绝缘层、金属氧化物半导体层、蚀刻终止层、源极与漏极。栅绝缘层配置于基板上且覆盖栅极。金属氧化物半导体层配置于栅绝缘层上。蚀刻终止层配置于金属氧化物半导体层上。金属氧化物半导体层的边缘相较于蚀刻终止层的边缘向内缩一距离。源极与漏极配置于蚀刻终止层上，且沿着蚀刻终止层的边缘以及金属氧化物半导体层的边缘而延伸配置于栅绝缘层上。蚀刻终止层的一部分暴露于源极与漏极之间。因此，本发明的主动元件具有较佳的元件效能。
主动元件及其制作方法

[发明专利]薄膜晶体管以及其制作方法-CN201510087813.3在审
发明人： 高金字;陆文正;吕雅茹 -专利权人：中华映管股份有限公司
申请日： 2015-02-26 - 公布日： 2016-10-05 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开一种薄膜晶体管以及其制作方法，其制作方法包括下列步骤。首先，提供一基板。然后，在基板上形成一半导体层。接着，在半导体层上形成一光致抗蚀剂图案，包括两边缘部分以及一中央部分设置于边缘部分之间且中央部分的厚度大于各边缘部分的厚度。接着，对半导体层进行一蚀刻制作工艺，以形成一图案化半导体层。随后，进行一光致抗蚀剂灰化制作工艺，至少移除光致抗蚀剂图案的边缘部分，以形成一通道定义光致抗蚀剂图案，并暴露出图案化半导体层的两部分。接着，利用通道定义光致抗蚀剂图案作为掩模，导体化暴露出的图案化半导体层的部分，以形成一半导体部与两导体部。然后，去除通道定义光致抗蚀剂图案。
薄膜晶体管及其制作方法

[发明专利]薄膜晶体管基板及其制造方法-CN201310675940.6在审
发明人： 高金字;陆文正 -专利权人：华映视讯（吴江）有限公司;中华映管股份有限公司
申请日： 2013-12-13 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：一种薄膜晶体管基板及其制造方法，包括复数个薄膜晶体管，包括：一基板以及复数个薄膜晶体管，各该薄膜晶体管包括：一栅极，设置于该基板上；一栅极保护层，设置于该基板上，并覆盖该栅极；一金属氧化物主动层，设置于该栅极保护层上；一金属氧化物保护层，设置于该金属氧化物主动层上；一蚀刻终止层，设置于该金属氧化物保护层上，其中一第一贯孔及一第二贯孔贯穿该蚀刻终止层及该金属氧化物保护层；一源极及一漏极，分别设置于该第一贯孔及该第二贯孔内，并电性连接该金属氧化物主动层。
薄膜晶体管及其制造方法

[发明专利]画素结构的制造方法以及导体结构的制造方法-CN201210550593.X有效
发明人： 高金字;吕雅茹;吴国伟;欧阳志升 -专利权人：福建华映显示科技有限公司;中华映管股份有限公司
申请日： 2012-12-18 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种导体结构的制造方法。于底层上形成第一导体层与第一图案化光阻层。以第一图案化光阻层为罩幕，对第一导体层进行等向性移除制程以形成第一图案化导体层。等向性移除制程移除第一导体层的第一部分以及位于部分第一图案化光阻层下方的第二部分以暴露出底层的第一表面区以及第二表面区。形成第二导体层，其自断开而包括覆盖第一图案化光阻层的剥除部分以及位于第一表面区上的保留部分。移除第一图案化光阻层以及剥除部分且留下保留部分以形成第二图案化导体层。第一图案化导体层与第二图案化导体层之间具有暴露出第二表面区的间隙。
结构制造方法以及导体

[发明专利]画素结构及其制作方法-CN201210029658.6有效
发明人：邱启明;李育宗;高金字 -专利权人：福建华映显示科技有限公司;中华映管股份有限公司
申请日： 2012-02-10 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明提出一种画素结构的制作方法。在基板上形成薄膜晶体管并形成绝缘层，以覆盖基板以及薄膜晶体管。利用半调式光罩图案化绝缘层而形成凸起图案、与凸起图案连接的凹陷图案以及位于凹陷图案中的开口。凸起图案的厚度大于凹陷图案的厚度。开口贯穿凹陷图案而曝露出薄膜晶体管的汲极。形成透光导电层，以覆盖凸起图案、凹陷图案并填入开口。形成平坦层，以覆盖透光导电层。移除位于凸起图案上的部分平坦层、部份透光导电层以及开口中的部分平坦层，而使透光导电层形成画素电极图案。一种以上述方法所制作的画素结构亦被提出。
结构及其制作方法

[发明专利]画素结构及其制作方法-CN201210029635.5有效
发明人：吴国伟;高金字 -专利权人：福建华映显示科技有限公司;中华映管股份有限公司
申请日： 2012-02-10 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种画素结构及其制作方法，其中画素结构包括基板、闸极线、资料线、半导体图案、非金属源极图案、非金属汲极图案以及画素电极。闸极线与资料线设置于基板上。半导体图案设置于闸极在线，且半导体图案在垂直投影方向上与闸极线的两相对的边缘重叠。非金属源极图案与非金属汲极图案设置在半导体图案上。非金属源极图案与非金属汲极图案分别设置于闸极线的两相对的边缘上，且非金属源极图案部分设置于资料线与闸极线之间。画素电极与非金属汲极图案电性连结。另外，还提供了画素结构制作方法，该方法利用欧姆接触层于闸极线的两相对的边缘上分别形成非金属源极图案与汲极图案，借以减少非透明电极图案所占的区域，进而达到提升画素结构的开口率的目的。
结构及其制作方法

[发明专利]像素结构、阵列基板及其制作方法-CN201110365265.8无效
发明人： 高金字;郭晋川;吕雅茹 -专利权人：华映视讯（吴江）有限公司;中华映管股份有限公司
申请日： 2011-11-17 - 公布日： 2012-06-20 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：一种像素结构包括一基板、一第一金属图案层、一绝缘层、一第二金属图案层、一保护层以及一导电性保护层。基板具有至少一像素区。第一金属图案层设于基板上，且具有一上表面。绝缘层设于第一金属图案层与基板上，且与第一金属图案层的上表面接触。第二金属图案层设于像素区的绝缘层上，且第二金属图案层包括一源极与一漏极。保护层设于第二金属图案层与绝缘层上，其中源极的一上表面是与保护层直接接触。导电性保护层设于漏极上。
像素结构阵列及其制作方法

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