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[发明专利]内埋式半导体封装件的制作方法-CN201410409688.9有效
发明人：李俊哲;苏洹漳;李明锦;黄士辅 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2011-05-27 - 公布日： 2017-08-15 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明公开一种内埋式半导体封装件的制作方法。该半导体封装件包括具有电性接点的半导体元件、上方图案化导电层、介于上方图案化导电层与半导体元件之间的介电层、第一内层电性连接层、下方图案化导电层、导通孔以及第二内层电性连接层。介电层具有暴露出电性接点的第一开口以及从下方图案化导电层延伸至上方图案化导电层的第二开口。第一内层电性连接层从电性接点延伸至上方图案化导电层且填充于第一开口中。第二开口具有暴露出上方图案化导电层的上部分以及暴露出下方图案化导电层的下部分。导通孔位于第二开口的下部分。第二内层电性连接层填充于第二开口的上部分。
内埋式半导体封装制作方法

[发明专利]内埋式半导体封装件及其制作方法-CN201110139369.7有效
发明人：李俊哲;苏洹漳;李明锦;黄士辅 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2011-05-27 - 公布日： 2011-10-12 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本发明公开一种内埋式半导体封装件及其制作方法，该半导体封装件包括具有电性接点的半导体元件、上方图案化导电层、介于上方图案化导电层与半导体元件之间的介电层、第一内层电性连接层、下方图案化导电层、导通孔以及第二内层电性连接层介电层具有暴露出电性接点的第一开口以及从下方图案化导电层延伸至上方图案化导电层的第二开口。第一内层电性连接层从电性接点延伸至上方图案化导电层且填充于第一开口中。第二开口具有暴露出上方图案化导电层的上部分以及暴露出下方图案化导电层的下部分。导通孔位于第二开口的下部分。第二内层电性连接层填充于第二开口的上部分。
内埋式半导体封装及其制作方法

[发明专利]半导体制备工艺方法-CN201910012214.3有效
发明人：高鹏;李向峰;王帅毅 -专利权人：成都中电熊猫显示科技有限公司
申请日： 2019-01-07 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： H01L21/467 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种半导体制备工艺方法，该方法包括：提供基体，所述基体自上向下依次包括阻挡层、半导体层和绝缘层；其中，所述阻挡层的部分表面覆盖有掩膜；采用干法刻蚀，对所述阻挡层和所述掩膜进行刻蚀，以去除、蚀刻、除掉未被所述掩膜覆盖的阻挡层并让掩膜蚀刻为图案化掩膜；对所述半导体层进行刻蚀，以去除未被阻挡层覆盖的半导体层；对所述图案化掩膜未覆盖的阻挡层进行刻蚀，以形成穿透阻挡层但未穿透半导体层的凹槽；采用清洗方式，去除所述图案化掩膜。本实施例提供的方法能够解决半导体制备工艺步骤繁琐复杂，费时费力的问题。
阻挡层半导体层掩膜图案化掩膜刻蚀去除半导体制备工艺蚀刻穿透覆盖绝缘层表面覆盖干法刻蚀除掉清洗费力申请

[发明专利]薄膜晶体管的制造方法和阵列基板的制造方法-CN201410268476.3在审
发明人：林志明;廖子毅 -专利权人：上海和辉光电有限公司
申请日： 2014-06-16 - 公布日： 2016-01-06 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：薄膜晶体管的制造方法包括：在基板之上形成图案化半导体层；在所述图案化半导体层之上依次形成绝缘层和栅极导电层，并对所述栅极导电层进行构图；以经图案化的所述栅极导电层作为第一掩模，把第一掺杂剂注入所述图案化半导体层中，来形成源极区和漏极区；对经图案化的所述栅极导电层进行蚀刻来获得栅电极，并以所述栅电极为第二掩模，把第二掺杂剂注入所述图案化半导体层中，来形成分别与所述源极区和漏极区相接的源侧低浓度区和漏侧低浓度区，其中所述源侧低浓度区和所述漏侧低浓度区之间的所述图案化半导体层部分构成沟道区
薄膜晶体管制造方法阵列

[发明专利]一种半导体器件的制作方法-CN202011017215.6在审
发明人：郭炳容;胡艳鹏;卢一泓 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-09-24 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体器件的制作方法，涉及半导体制造技术领域，以增加半导体器件的有源区的顶部宽度。该半导体器件的制作方法包括：提供一衬底；在衬底上形成图案化硬掩模层，图案化硬掩模层具有至少一个沟槽；以半导体材料填充至少一个沟槽，形成有源区。本发明提供的半导体器件的制作方法用于半导体器件制作。
一种半导体器件制作方法

[发明专利]阵列基板及其制造方法-CN201910511800.2在审
发明人：陈培铭 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2019-06-13 - 公布日： 2019-09-06 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：藉由第一掩膜形成第一图案化导电层于基板上。基板包括元件区及扇出区。形成栅极绝缘层于第一图案化导电层上。藉由第二掩膜形成图案化半导体层及第二图案化导电层于栅极绝缘层上。第二图案化导电层覆盖于图案化半导体层上。形成第一绝缘层于图案化半导体层及第二图案化导电层上。藉由第三掩膜形成第一图案化透明导电层及第三图案化导电层于第一绝缘层上。第三图案化导电层覆盖于第一图案化透明导电层上，且第三图案化导电层至少位于扇出区。另提出一种阵列基板。
图案化导电层图案化半导体层阵列基板掩膜绝缘层图案化透明导电层栅极绝缘层扇出区基板元件区覆盖制造

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法、电子装置-CN201410554510.3在审
发明人：倪梁;汪新学 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-10-17 - 公布日： 2016-05-11 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制造方法、电子装置，所述方法包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成有氧化物介电层，在氧化物介电层上形成有多个锗帽层；蚀刻氧化物介电层，直至露出半导体衬底，以形成露出半导体衬底的多个开口；形成具有作为腔室的沟槽图案的光致抗蚀剂层，所述光致抗蚀剂层的底部宽度大于经过蚀刻的氧化物介电层的宽度；以所述图案化的光致抗蚀剂层为掩膜，蚀刻半导体衬底，以在半导体衬底中形成所述沟槽；在所述沟槽中沉积金属层；去除所述图案化的光致抗蚀剂层。根据本发明，实施剥离技术去除所述图案化的光致抗蚀剂层之后，在作为腔室的所述沟槽的顶端拐角部分不会出现金属层的残留。
一种半导体器件及其制造方法电子装置

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202110422809.3有效
发明人：陈柏安 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2021-04-19 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构及其形成方法，该方法包含：在基板上依序形成外延层及半导体层。在半导体层上形成图案化硬遮罩层。使用图案化硬遮罩层作为刻蚀遮罩，并刻蚀半导体层及外延层，以使外延层具有凹槽。移除图案化硬遮罩层。形成第一电极介电层于凹槽的侧壁及底面上且于半导体层上，以使第一电极介电层具有沟槽。形成第一电极于沟槽中。形成一对第二电极于第一电极上，以使该对第二电极沿着水平方向彼此对应地设置。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]电光装置、半导体装置及它们的制造方法和投影装置与电器-CN03108865.1无效
发明人：安川昌宏 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2003-03-27 - 公布日： 2003-10-22 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：本发明旨在提供能改善设有厚度不同的半导体层的电光装置与半导体装置中的半导体层的形状，进行高成品率制造的电光装置与半导体装置的制造方法。本发明的制造方法包括：将在支持基片10上隔着绝缘膜12形成的单晶硅层(半导体层)206以预定的平面形状进行图案制作，然后将所述半导体层206分割为多个半导体区域210、220的图案制作工序；在通过所述图案制作工序形成的所述半导体区域210、220中，将第一半导体区域210的半导体层201薄层化到预定半导体层厚的薄层化工序。
电光装置半导体它们制造方法投影电器

[发明专利]半导体结构、集成电路以及形成半导体结构的方法-CN202010976774.3在审
发明人：陈胜捷;刘铭棋 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-09-17 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：一种半导体结构、集成电路以及形成半导体结构的方法。提供一种制造finFET装置的制程。栅极电极层位于介电层上方。栅极电极层与介电层都位于鳍状半导体结构的上方及周围。通过两步图案化制程从栅极电极层形成栅极电极。在第一图案化步骤中，对栅极电极层的上部分进行图案化。接着形成介电膜，介电膜覆盖栅极电极层的图案化上部分。在形成介电膜之后，执行第二图案化步骤以对栅极电极层的下部分进行图案化。
半导体结构集成电路以及形成方法

[发明专利]具有晶体管的半导体元件的制法-CN201510124188.5有效
发明人：冉晓雯;蔡娟娟;孟心飞;蔡武卫;陈家新 -专利权人：财团法人交大思源基金会
申请日： 2011-07-26 - 公布日： 2018-04-13 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开一种具有晶体管的半导体元件的制法，包括提供一承载板；于该承载板上形成金属氧化物半导体层；于该金属氧化物半导体层上形成介电层；于该介电层上形成孔洞状图案化遮罩层，该孔洞状图案化遮罩层构成微纳米级线宽的图案，以外露部分该介电层；使该金属氧化物半导体层外露于该介电层开孔；对外露的该金属氧化物半导体层进行表面处理，以使该金属氧化物半导体层的外露表面的载子浓度增加；以及于外露的该金属氧化物半导体层上形成源极金属层与漏极金属层
具有晶体管半导体元件制法

[发明专利]显示面板及其制造方法-CN201910831105.4有效
发明人：刘少伟;塗俊达;林富良;何子维;李曼曼 -专利权人：友达光电(昆山)有限公司;友达光电股份有限公司
申请日： 2019-09-04 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：该制造方法包括提供一基板；形成一第一图案化遮光层；设置一缓冲层；形成一图案化半导体层；设置一第一绝缘层；形成一第一图案化金属层；以所述第一图案化金属层为掩模而进行一第一离子浓度注入，形成一轻掺杂区与一沟道区于所述半导体层；设置一遮光材料层于所述第一图案化金属层上，且图案化所述遮光材料层以形成一图案化遮光材料层；以及以所述图案化遮光材料层为掩模而进行一第二离子浓度注入，形成一重掺杂区于所述半导体层。
显示面板及其制造方法

[发明专利]半导体装置、镶嵌结构及互连线结构的形成方法-CN200710097047.4有效
发明人：林志翰;陈建全;赖高廷;胡弘龙 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2007-04-12 - 公布日： 2008-05-28 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置、镶嵌结构及互连线结构的形成方法，其中该半导体装置的形成方法，包括：提供半导体基底，该半导体基底上具有图案化保护层；在该图案化保护层上形成介电层；在该介电层上形成图案化掩模层；以该图案化掩模层为遮罩而蚀刻部分介电层，大约蚀刻至该保护层的顶部，以形成沟槽；去除该图案化保护层以形成介层洞开口；在该沟槽及该介层洞开口中形成导电层，以形成双镶嵌结构。
半导体装置镶嵌结构互连形成方法

[发明专利]发光二极管及其封装结构-CN200510083004.1无效
发明人：贺志平;简奉任 -专利权人：璨圆光电股份有限公司
申请日： 2005-07-12 - 公布日： 2007-01-17 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种发光二极管，其包括基材、图案化半导体层、二个接触垫、介电层以及荧光薄膜。其中，图案化半导体层设置于基材上，且适于发出第一光线，而接触垫设置于图案化半导体层上。介电层覆盖图案化半导体层，且暴露出部分接触垫。此外，荧光薄膜设置于介电层上，此荧光薄膜适于经由第一光线的照射而发出与第一光线不同波长之第二光线。
发光二极管及其封装结构

[发明专利]发光元件-CN200810002939.6有效
发明人：谢明勋 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2008-01-11 - 公布日： 2009-07-15 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明披露一种发光元件，包括非半导体载体；接合层，位于该非半导体载体之上；反射层，位于该接合层之上；图案化导电层，位于该反射层之上；及发光叠层，位于该图案化导电层之上，其中该图案化导电层被介电层包围。
发光元件

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