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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]表面被覆切削工具及其制造方法-CN201680001347.5有效
发明人：阿侬萨克·帕索斯;金冈秀明;今村晋也;小野聪 -专利权人：住友电工硬质合金株式会社
申请日： 2016-06-07 - 公布日： 2020-03-13 - 主分类号： B23B27/14 文献下载
摘要：该第一层各自具有在0.6以上至小于1的范围内变化的Al的原子比x。该第二层各自具有在0.45以上至小于0.6的范围内变化的Al的原子比y。该原子比x与该原子比y之差的最大值为0.05≤x‑y≤0.5。
表面被覆切削工具及其制造方法

[发明专利]具有高韧性的包含铬和磷的镍基块体金属玻璃-CN201380057028.2在审
发明人： J·H·那;M·佛洛伊德;M·D·德梅特里欧;W·L·约翰逊;G·加勒特;M·劳尼 -专利权人：格拉斯金属技术股份有限公司
申请日： 2013-10-30 - 公布日： 2015-08-05 - 主分类号： C22C1/00 文献下载
摘要：Ni_(100-a-b-c-_d)Cr_aNb_bP_cB_d，其中铬(Cr)的原子百分比a在3至13的范围内，铌(Nb)的原子百分比b由x-y*a来确定，其中x在3.8至4.2的范围内并且y在0.11至0.14的范围内，磷(P)的原子百分比c在16.25至17的范围内，硼(B)的原子百分比
具有韧性包含块体金属玻璃

[发明专利]具有拥有降低的生物分子粘附的表面的聚合物衬底以及这种衬底的热塑性制品-CN201680062146.6有效
发明人： A·塔哈;J·T·费尔特斯 -专利权人： SIO2医药产品公司
申请日： 2016-06-15 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： C08J7/12 文献下载
摘要：本发明描述了一种具有经处理的接触表面的衬底，该接触表面包括碳或硅化合物，该碳或硅化合物包含从1原子％至30原子％的氧、从0.1原子％至30原子％的氮或两者，各自通过XPS测量。该经处理的接触表面具有的生物分子回收百分比大于在根据该方法处理之前该表面的生物分子回收百分比。
具有拥有降低生物分子粘附表面聚合物衬底以及这种塑性制品

[发明专利]磁性材料及其制造方法-CN201180042824.X无效
发明人：冈村兴作;间所和彦 -专利权人：大发工业株式会社
申请日： 2011-08-29 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： H01F1/08 文献下载
摘要：将磁铁粉末和含有稀土元素、铁及硼且稀土元素的原子比例为22～44原子％的范围、硼的原子比例为6～28原子％的范围的非晶质金属进行混合，加热到比非晶质金属的结晶温度低30℃的温度以上的温度，或者在非晶质金属为金属玻璃的情况下
磁性材料及其制造方法

[发明专利]量子裂变氧化物荧光物质及其制备方法-CN95120458.0无效
发明人：Ａ·Ｍ·施里瓦斯塔瓦;Ｗ·Ｗ·比尔斯 -专利权人：通用电气公司
申请日： 1995-12-29 - 公布日： 2002-11-27 - 主分类号： C09K11/77 文献下载
摘要：一种具有原子比的氧化物材料，包括La1-xPrxMgB5O10；此处0＜X≤0.20。另一种具有原子比的氧化物材料，包括Sr1-xPrxAl12-xMgxO19，此处0＜X≤0.20。
量子裂变氧化物荧光物质及其制备方法

[发明专利]用于沉积具有超细晶粒的多晶硅薄膜的方法-CN200980115913.5有效
发明人：金海元;禹相浩;赵星吉;朴松焕;郑敬洙 -专利权人：株式会社EUGENE科技
申请日： 2009-04-29 - 公布日： 2011-04-13 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：氧基气体和硅基气体的混合比可为0.15以下(不包含0)。薄膜中的氧可为20原子％(原子百分比)以下(不包含0)。
用于沉积具有晶粒多晶薄膜方法

[发明专利]氧化物烧结体、氧化物溅射靶和导电性氧化物薄膜以及氧化物烧结体的制造方法-CN201510646309.2在审
发明人：奈良淳史 -专利权人：吉坤日矿日石金属株式会社
申请日： 2015-10-08 - 公布日： 2016-04-13 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：一种氧化物烧结体，其特征在于，包含铟(In)、钛(Ti)、锌(Zn)、锡(Sn)和氧(O)，In的含量相对于Ti的含量以原子数比计满足关系式3.0≤In/Ti≤5.0，Zn和Sn的含量相对于In和Ti的含量以原子数比计满足关系式0.2≤(Zn+Sn)/(In+Ti)≤1.5，Zn的含量相对于Sn的含量以原子数比计满足关系式0.5≤Zn/Sn≤7.0。
氧化物烧结溅射导电性薄膜以及制造方法

[发明专利]氧化物烧结体、氧化物溅射靶和导电性氧化物薄膜以及氧化物烧结体的制造方法-CN201811061549.6在审
发明人：奈良淳史 -专利权人：捷客斯金属株式会社
申请日： 2015-10-08 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：一种氧化物烧结体，其特征在于，包含铟(In)、钛(Ti)、锌(Zn)、锡(Sn)和氧(O)，In的含量相对于Ti的含量以原子数比计满足关系式3.0≤In/Ti≤5.0，Zn和Sn的含量相对于In和Ti的含量以原子数比计满足关系式0.2≤(Zn+Sn)/(In+Ti)≤1.5，Zn的含量相对于Sn的含量以原子数比计满足关系式0.5≤Zn/Sn≤7.0。
氧化物烧结体原子数比导电性氧化物溅射靶氧化物薄膜体积电阻率高折射率导电膜溅射制造透明

[发明专利]杂质吸收材料及涂布有该材料的坩埚-CN201610032906.0在审
发明人：魏汝超 -专利权人：超能高新材料股份有限公司
申请日： 2016-01-19 - 公布日： 2017-07-25 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种杂质吸收材料及涂布有该材料的坩埚，所述杂质吸收材料包含低氮原子重量百分比的氮化硅(Si3N4-x)，其中(4-x)为所述杂质吸收材料于氮化硅(Si3N4-x)化合物的氮原子摩尔数比，且x介于0.32-3.33之间，由于低氮原子重量百分比的氮化硅(Si3N4-x)存在不稳定的悬挂键、不饱和键及其他未配对键结等高活性官能基，因此应用于高温领域时，这些高活性基团为降低能量而吸附来自烧结过程的杂质
杂质吸收材料涂布有坩埚

[发明专利]基底及其制造方法-CN201910423389.3在审
发明人：林光明;林永丰 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2019-05-21 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：第一黏着层包覆陶瓷芯且包含硅的氮氧化物，其中第一黏着层的硅的氮氧化物的氧和氮的原子数比具有第一比例。阻障层包覆第一黏着层且包含硅的氮氧化物，其中阻障层的硅的氮氧化物的氧和氮的原子数比具有第二比例，且第二比例与第一比例不同。第二黏着层包覆阻障层且包含硅的氮氧化物，其中第二黏着层的硅的氮氧化物的氧和氮的原子数比具有第三比例，且第三比例与第二比例不同。
基底及其制造方法

[发明专利]一种合金薄膜的制备方法-CN202310703009.8在审
发明人：李翔;袁红霞;强慧;韩萍;许所昌;王学博 -专利权人：江苏微导纳米科技股份有限公司
申请日： 2023-06-13 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：一种合金薄膜的制备方法包括：提供反应腔室，反应腔室内设有喷淋装置和承载平台；在承载平台表面放置前制程结构；在前制程结构的表面形成第一元素至第M元素具有特征原子比的合金薄膜，步骤包括：设置喷淋装置具有特征温度设置稳流装置具有特征流量；在特征温度、特征距离和特征流量的条件下向所述腔室内通入第一前驱体至第M前驱体，M为大于或等于2的整数；通过调节特征温度、特征距离和特征流量中的任意一个或几个参数的数值来调节特征原子比合金薄膜的制备方法工艺简单且合金薄膜可实现不同元素之间的原子比可控调节。
一种合金薄膜制备方法

[发明专利]致密环境屏障涂层组合物-CN201680048140.3有效
发明人： G.H.柯比;万菊林;S.拉马萨米 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2016-08-17 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： C04B41/85 文献下载
摘要：所述耐火材料相可包括具有第一原子百分比的稀土组分的稀土硅酸盐材料，而所述含硅玻璃相包括小于所述第一原子百分比的第二原子百分比的所述稀土组分。还提供用于在基材上形成屏障层的方法。
致密环境屏障涂层组合

[发明专利]相变化存储器材料、相变化存储器装置及其制造方法-CN201510981999.7有效
发明人：郑怀瑜;龙翔澜 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2015-12-24 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：该相变化存储器材料包括Ga_xSb_yGe_z，其中Ga原子百分比x在20％至45％的范围内、Sb原子百分比y在25％至40％的范围内，以及Ge原子百分比z在25％至55％的范围内，其中此材料具有大于360℃的结晶转移温度T_x。
相变存储器材料装置及其制造方法

[发明专利]一种精轧机导辊用高温耐磨合金材料及其制备方法-CN201610674520.X有效
发明人：赵仕堂;完永云;常焰平;吴涛;郁应海;史宣菊 -专利权人：合肥东方节能科技股份有限公司
申请日： 2016-08-16 - 公布日： 2018-02-27 - 主分类号： C22C37/06 文献下载
摘要：包括该高温耐磨合金材料的各组分按质量百分比的构成为C3.5～3.8％，Cr10.5～15.5％，N2.5～2.8％，Ti2.5～2.8％，余量为Fe，且Cr和C之间的质量百分比的比例为Cr/C＝3～5，Ti和C之间的质量百分比的比例为Ti/C＝1～1.5。本发明通过采用的钛与碳形成碳化钛，在晶格位置上碳原子与钛原子是等价的,碳化钛原子间以很强的共价键结合,具有类似金属的若干特性,如高的熔点、沸点和硬度，有良好的导热和导电性,在温度极低时甚至表现出超导性。
一种轧机导辊用高温耐磨合金材料及其制备方法

[发明专利]二氧化硅膜过滤器-CN201680015427.6有效
发明人：三浦绫;古川昌宏 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2016-03-15 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： B01D71/02 文献下载
摘要：该超滤膜15具有渗透了二氧化硅膜18的Si的结构，该超滤膜15中的膜侧区域16的Si相对于元素M的原子比A(＝Si/M)满足0.01≤A≤0.5，原子比A相对于基材侧区域17的原子比B(＝Si/M)的比值
二氧化硅过滤器

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