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[发明专利]一类具有等原子比成分特征的多组元非晶态合金-CN03133804.6无效
发明人：张来昌;徐坚 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2003-06-25 - 公布日： 2005-01-19 - 主分类号： C22C45/00 文献下载
摘要：本发明提供了一类具有等原子比成分特征的多组元非晶态合金，其特征在于：合金不含有任何一种主元素含量低于30％，原子百分比，分别由按等原子比分配的前过渡族金属和后过渡族金属两类元素构成，另含有第三类辅助元素合金成分的表达式为：M_aT_bR_c，其中下标a、b、c为原子百分比。M为前过渡族元素Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta中的2～4种，且按照等原子比分配；T为后过渡族元素Cu、Ni、Co、Fe、Pd、Zn中的3～4种，且按照等原子比分配；R为元素Al、B、Be、Si、Ge、
一类具有原子成分特征多组元非晶态合金

[发明专利]薄膜晶体管、氧化物半导体膜以及溅射靶材-CN201680063644.2有效
发明人：上野充;清田淳也;小林大士;武井应树;高桥一寿;日高浩二;川越裕;武末健太郎;和田优 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2016-11-22 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：在构成上述氧化物的铟、锌以及钛的总量中所占的各元素的原子比是，铟为24原子％以上且80原子％以下，锌为16原子％以上且70原子％以下，钛为0.1原子％以上且20原子％以下。
薄膜晶体管氧化物半导体以及溅射

[发明专利]非晶合金带及其制造方法、非晶合金带片-CN201880042730.4有效
发明人：东大地;伊藤直辉 -专利权人：日立金属株式会社;美商·梅特格拉斯公司
申请日： 2018-07-03 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01F1/153 文献下载
摘要：Sub>100‑a‑bBaSibCc(a、b：组分中的原子比，c：C相对于Fe、Si以及B的总量100.0原子％的原子比，13.0原子％≤a≤16.0原子％，2.5原子％≤b≤5.0原子％，0.20原子％≤c≤0.35原子％，79.0原子％≤100‑a‑b≤83.0原子％)表示的组分的合金带，包括：对具有由Fe、Si、B、C以及不可避免的杂质构成的组分的非晶合金带(以下称为合金带)进行准备的工序，在以5MPa～100MPa的拉伸应力张架合金带的状态下，以50℃/秒以上且小于
合金及其制造方法

[发明专利]空白掩模和光掩模-CN202010401171.0在审
发明人：申澈;李钟华;梁澈圭;崔珉箕;申昇协 -专利权人：思而施技术株式会社
申请日： 2020-05-13 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： G03F1/50 文献下载
摘要：相移膜例如具有30％到100％的透射率，且在这种情况下，光遮蔽膜具有40纳米到70纳米的厚度和30原子％到80原子％铬、10原子％到50原子％氮、0原子％到35原子％氧以及0原子％到25原子％碳的组成比
空白光掩模

[发明专利]封闭式原子化系统-CN201310049425.7无效
发明人：梁敬;王庆;陈璐;董芳;侯爱霞;杨名名;张锦茂 -专利权人：北京瑞利分析仪器有限公司
申请日： 2013-02-07 - 公布日： 2014-08-13 - 主分类号： G01N21/64 文献下载
摘要：一种用于便携式原子荧光光谱仪的封闭式原子化系统，包括原子化室，所述原子化室的上方安装有尾气排放口，光学窗安装于所述原子化室的侧壁上，原子化器安装于所述原子化室内部，所述原子化器的上边缘比所述光学窗的中心点低，原子化室气体入口伸出所述原子化室的侧壁外，用于与原子荧光光谱仪的气液分离器出气口相连。本发明结构简单、工作状态稳定可靠，对工作在野外环境复杂多变的便携式原子荧光光谱仪具有较佳的应用前景。
封闭式原子系统

[实用新型]封闭式原子化系统-CN201320071452.X有效
发明人：梁敬;王庆;陈璐;董芳;侯爱霞;杨名名;张锦茂 -专利权人：北京瑞利分析仪器有限公司
申请日： 2013-02-07 - 公布日： 2013-08-21 - 主分类号： G01N21/64 文献下载
摘要：一种用于便携式原子荧光光谱仪的封闭式原子化系统，包括原子化室，所述原子化室的上方安装有尾气排放口，光学窗安装于所述原子化室的侧壁上，原子化器安装于所述原子化室内部，所述原子化器的上边缘比所述光学窗的中心点低，原子化室气体入口伸出所述原子化室的侧壁外，用于与原子荧光光谱仪的气液分离器出气口相连。本实用新型结构简单、工作状态稳定可靠，对工作在野外环境复杂多变的便携式原子荧光光谱仪具有较佳的应用前景。
封闭式原子系统

[发明专利]聚酰胺树脂组合物和提高耐化学品性的方法-CN201710299793.5有效
发明人：寺田和范;佐久间照章 -专利权人：旭化成株式会社
申请日： 2017-04-28 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： C08L77/06 文献下载
摘要：一种聚酰胺树脂组合物，其为含有熔点为240℃以下、碳原子数/氮原子数之比(C/N比)为7以上的聚酰胺(A)和熔点为240℃以上、碳原子数/氮原子数之比(C/N比)小于7的聚酰胺(B)而形成的聚酰胺树脂组合物
聚酰胺树脂组合提高化学品性方法

[发明专利]发电系统以及气体测量方法-CN201210325781.2有效
发明人：大石安治 -专利权人：阿自倍尔株式会社
申请日： 2012-09-05 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： G01N33/00 文献下载
摘要：一种能评价构成气体所包含的分子的原子的数量的发电系统以及气体测量系统。和以多种发热温度发热的发热元件；测量部，测量来自测温元件的电信号的值和来自发热元件的电信号的值；计算式存储装置，保存有计算式，该计算式包含表示来自测温元件的电信号及来自发热元件的电信号的独立变量、和表示构成气体所包含的各个分子的原子的数量、原子的原子量、各个分子的体积比三者乘积的总和的从属变量；乘积计算部，将来自测温元件的电信号以及来自发热元件的电信号代入到计算式的独立变量中，计算出表示构成气体所包含的各个分子的原子的数量、原子的原子量、各个分子的体积比三者乘积的总和的值。
发电系统以及气体测量方法

[发明专利]具有高选择比的氮化硅蚀刻液及其制备方法和应用-CN202210103218.4有效
发明人：陈当家;黎立桂;高和平 -专利权人：广东粤港澳大湾区黄埔材料研究院
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： C09K13/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有高选择比的氮化硅蚀刻液，包括磷酸、水，以及至少一种在Si原子上连接有R基团的笼型聚倍半硅氧烷，所述R基团选自含N原子、O原子、F原子、P原子、S原子和Cl原子的1个或2个以上的基团；本发明还提供了该具有高选择比的氮化硅蚀刻液的制备方法以及应用，该氮化硅蚀刻液适用于3D NAND存储芯片的制造。
具有选择氮化蚀刻及其制备方法应用

[发明专利]通过插入界面原子单层改进与IV族半导体的金属接触-CN201710569473.7有效
发明人：沃尔特·A·哈里森;保罗·A·克利夫顿;安德烈亚斯·戈贝尔;R·斯托克顿·盖恩斯 -专利权人：阿科恩科技公司
申请日： 2012-10-18 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L21/283 文献下载
摘要：本公开案提供通过在金属与半导体之间的界面插入V族或III族原子单层，或插入各自由单层形成的双层，或插入多个所述双层，减少金属‑半导体(IV族)结的比接触电阻的技术。所得的低比电阻金属‑IV族半导体结应用为半导体设备中的低电阻电极，所述半导体设备包括电子设备(例如晶体管、二极管等)和光电设备(例如激光器、太阳能电池、光电探测器等)，及/或应用为场效应晶体管(FET)III族原子单层和V族原子单层主要为有序的原子层，所述原子层形成于IV族半导体的表面并与IV族半导体的表面原子化学结合。
通过插入界面原子单层改进 iv 半导体金属接触

[发明专利]阻气性膜及其制造方法-CN201480030564.8在审
发明人：伊藤博英 -专利权人：柯尼卡美能达株式会社
申请日： 2014-05-26 - 公布日： 2016-01-13 - 主分类号： B32B9/00 文献下载
摘要：³且含有无机化合物，所述第2阻隔层形成于所述基材的与形成有上述第1阻隔层的一侧相同侧的面，含有选自长周期式周期表的2～14族的元素中的至少1种(其中，不包括硅和碳)的添加元素、硅原子及氧原子，且氧原子相对于硅原子的存在比(O/Si)为1.4～2.2，氮原子相对于硅原子的存在比(N/Si)为0～0.4。
气性及其制造方法

[发明专利]通过插入界面原子单层改进与IV族半导体的金属接触-CN201280063330.4有效
发明人：沃尔特·A·哈里森;保罗·A·克利夫顿;安德烈亚斯·戈贝尔;R·斯托克顿·盖恩斯 -专利权人：阿科恩科技公司
申请日： 2012-10-18 - 公布日： 2017-08-08 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本公开案提供通过在金属与半导体之间的界面插入V族或III族原子单层，或插入各自由单层形成的双层，或插入多个所述双层，减少金属‑半导体(IV族)结的比接触电阻的技术。所得的低比电阻金属‑IV族半导体结应用为半导体设备中的低电阻电极，所述半导体设备包括电子设备(例如晶体管、二极管等)和光电设备(例如激光器、太阳能电池、光电探测器等)，及/或应用为场效应晶体管(fieldIII族原子单层和V族原子单层主要为有序的原子层，所述原子层形成于IV族半导体的表面并与IV族半导体的表面原子化学结合。
通过插入界面原子单层改进 iv 半导体金属接触

[发明专利]制备超冷极性分子的原子空间可调节暗磁光阱方法及装置-CN201510420814.5有效
发明人：赵延霆;姬中华;肖连团;贾锁堂 -专利权人：山西大学
申请日： 2015-07-16 - 公布日： 2017-03-15 - 主分类号： G21K1/06 文献下载
摘要：本发明为一种制备超冷极性分子的原子空间可调节暗磁光阱方法及装置。解决了目前在制备超冷极性分子过程中原子团难以实现空间绝对重合的技术问题。本发明通过相应的光学元件将A、B原子的俘获光合并成一束，进而分成六束，与反亥姆霍兹磁场构成一个磁光阱，使磁光阱俘获的A、B原子团重合度显著增强；在增加暗点和反泵浦光形成的暗磁光阱中，通过调节几个波片特别是第三波片就能够调整两束混合光的强度比，进而实现控制两个原子团重合的工作，为原子团的缔合创造了十分理想的条件。通过观察CCD图像传感器采集到的原子团图像，就能够知晓如何调节混合光束的强度比，以实现两原子团的重合，有效提高了制备超冷极性分子的速度和产率。
制备极性分子原子空间调节暗磁光阱方法装置

[发明专利]含掺杂元素的耐高温硫化物电解质-CN202111166201.5在审
发明人：吴凡;王朔;李泓 -专利权人：天目湖先进储能技术研究院有限公司;长三角物理研究中心有限公司;中国科学院物理研究所
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01M10/0562 文献下载
摘要：本发明提供一种含掺杂元素的耐高温硫化物电解质，锂Li、磷P、硫S、掺杂元素M，材料结构因子Δ为468.7±1～887.7±1，其中，Δ＝{N(Li)×312.5+N(P)×346}×4，式中，N(Li)表示的是Li的原子百分比，N(P)表示的是P的原子百分比。
掺杂元素耐高温硫化物电解质

[发明专利]一种调节硫化亚铜薄膜铜硫原子比的工艺-CN99115804.0无效
发明人：吴洪才;刘效增 -专利权人：西安交通大学
申请日： 1999-06-23 - 公布日： 2002-11-06 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：一种光电材料制备工艺领域的一种调节硫化亚铜薄膜铜硫原子比的工艺，其步骤为①选用普遍平板玻璃作为衬底材料，并清洗干净、烘烤；②在衬底玻璃上蒸镀薄膜；③将制备的薄膜硫化；④对硫化亚铜薄膜进行离子注入处理，采用本工艺可对Cu2S薄膜的铜硫原子比进行控制。
一种调节硫化薄膜原子工艺