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[发明专利]基板处理装置及基板处理方法-CN202310043004.7在审
发明人：郑愚德;赵政熙;黄龙;成世钟;张雄柱;郑相淳 -专利权人： 株式会社EUGENE科技
申请日： 2023-01-28 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：根据本发明的实施例，基板处理装置包括:基座；以及安装在上述基座上部的盖机构，上述基板置于上述盖机构上，上述盖机构包括：具有一个以上气隙的盖框架；以及一个以上的盖，具有与各上述气隙对应的形状且可安装在上述一个以上气隙中的各气隙内，上述气隙的深度是上述基板的厚度的至少三倍。
处理装置方法

[发明专利]喷头及基板处理装置-CN202211178712.3在审
发明人：柳斗烈;李相敦;吴完锡;崔豪珉;孙成均;安孝镇 -专利权人： 株式会社EUGENE科技
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：根据本发明的一实施例，基板处理装置，包括：腔体，用于对基板实施工序；基座，设在上述腔体内部，用于支持上述基板；及喷头，设在上述基座的上部，上述喷头具有：多个内侧喷射孔，形成在与上述基板的上部对应的内侧区域，且朝向下部喷射反应气体；及多个外侧喷射孔，形成在与上述内侧区域的外侧对应的外侧区域，且沿着上述腔体的内壁喷射惰性气体。
喷头处理装置

[发明专利]衬底处理设备-CN201810007884.1有效
发明人：崔圣厦 -专利权人： 株式会社EUGENE科技
申请日： 2018-01-04 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本发明涉及一种能够阻挡颗粒从衬底的下部部分落到下部衬底的表面的衬底处理设备。根据示范性实施例的衬底处理设备可包含：衬底舟，其包含以多级方式连接到多个棒的多个中空板，其中多个衬底分别加载于多个中空板上；反应管，其具有容纳衬底舟的容纳空间；气体供应部分，其被配置成从反应管的一侧供应处理气体到反应管中；以及排气部分，其被配置成从反应管的另一侧排出反应管中的处理残余物。每个中空板可包含界定竖直通过的中空部分的边缘部分。
衬底处理设备

[发明专利]低温外延层形成方法-CN201780068005.X有效
发明人：柳斗烈;申承祐;柳次英;郑愚德;崔豪珉;吴完锡;金羲植;金檼浩;朴成真 -专利权人： 株式会社EUGENE科技
申请日： 2017-08-14 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：根据本发明的一实施例，低温外延层形成方法包括：将基板传送到外延腔的步骤；及在所述基板上实施外延工序以在所述基板上形成外延层的步骤。所述外延工序包括：在将所述基板加热到700℃以下、且将所述外延腔内部调节至300Torr以下的状态下，向所述外延腔内部注入硅气体来形成第一外延层的步骤；停止注入所述硅气体，并向所述外延腔内部注入净化气体，以对所述外延腔内部进行第一次净化的步骤；在将所述基板加热到700℃以下且将所述外延腔内部调节至300Torr以下的状态下，向所述外延腔内部注入硅气体来形成第二外延层的步骤；及停止注入所述硅气体，并向所述外延腔内部注入净化气体，以对所述外延腔内部进行第二次净化的步骤。
低温外延形成方法

[发明专利]衬底处理装置及用于组装套管组合件的方法-CN201680061926.9有效
发明人：柳次英;诸成泰;崔圭鎭;金濬;郑奉周;朴庆锡;金龙基;金哉佑 -专利权人： 株式会社EUGENE科技
申请日： 2016-09-05 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种衬底处理装置及用于组装套管组合件的方法，所述衬底处理装置包括：套管组合件，其具有内部空间，所述内部空间用于处理形成于其中的衬底，所述衬底是通过层压多个层压板组装；衬底固持器，其用于以多级方式将多个衬底支撑在所述套管组合件的所述内部空间中；气体供应单元，其安装在所述套管组合件的一侧，以用于将处理气体供应到所述内部空间中的所述多个衬底中的每一个；以及排气单元，其连接到所述套管组合件以排出供应到所述内部空间的所述处理气体。本发明可以通过诱导层流而将均一量的所述处理气体提供到所述衬底的上表面。
衬底处理装置用于组装套管组合方法

[发明专利]基板处理装置-CN202080080474.5在审
发明人：金龙基;申良湜;许冻彬;李泰昊 -专利权人： 株式会社EUGENE科技
申请日： 2020-11-19 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：根据本发明的一实施例的基板处理装置，包括：支撑板；天线，与上述支撑板的一面平行设置，且具有自内侧端沿着一方向卷绕的第1至第n线匝，n为大于3的整数；以及距离调节单元，可调节上述第1至第n线匝的间隔距离。
处理装置

[发明专利]衬底处理装置-CN201680061569.6有效
发明人：柳次英;诸成泰;崔圭鎭;金濬;郑奉周;朴庆锡;金龙基;金哉佑 -专利权人： 株式会社EUGENE科技
申请日： 2016-09-05 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明包含：限定内部空间的套管组合件，在所述内部空间中处理衬底且堆叠及组装各自具有喷射部分及排气口的多个堆叠主体；衬底固持器，其用于以多级方式将多个衬底支撑在所述内部空间中；供应管线，其连接到所述多个堆叠主体中的任一个的所述喷射部分以便供应处理气体；以及排气管线，其连接到所述多个排气口的任一个以便排放所述处理气体。本发明诱导所述处理气体的层流并可均一地供应所述处理气体到所述衬底的上表面。
衬底处理装置

[发明专利]基板支持组合体及基板处理装置-CN202080056395.0在审
发明人：李相敦;金龙基;申良湜;孙成均;金哉佑 -专利权人： 株式会社EUGENE科技
申请日： 2020-07-24 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：依据本发明的一实施例，基板支持组合体包括：支持框，具有从该支持框的一表面凹入的一个以上插入孔，所述插入孔包括内侧移动孔及位于所述内侧移动孔外侧的螺纹孔；及基板支持体，包括轴主体及销轴，该轴主体的一侧插入设置于所述插入孔中，所述销轴与所述轴主体连接以接触支持基板，其中，所述轴主体包括内侧螺杆主体及连接主体，所述内侧螺杆主体在插入设置于所述插入孔中的状态下位于所述内侧移动孔中，所述连接主体设置在所述内侧螺杆主体与所述销轴之间且位于所述螺纹孔中，其中，所述螺纹孔的内径比所述内侧移动孔的直径及所述内侧螺杆主体的外径小，所述内侧螺杆主体可通过旋转穿过所述螺纹孔。
支持组合处理装置

[发明专利]基板处理装置及基板处理装置的运用方法-CN202111048300.3在审
发明人：梁承国;郑奉周;姜圭完 -专利权人： 株式会社EUGENE科技
申请日： 2021-09-08 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：根据本发明的一实施例，一种运用基板处理装置的方法，该基板处理装置包括：腔体，通过对置于内部的基板的氧化膜除去工序，在内壁沉积了含氟/硅盐；及天线，设置在上述腔体外侧；被施加RF功率，向上述腔体内部供应惰性气体，且对上述天线施加RF功率，由此将上述腔体内壁加热到75℃以上，热分解上述含氟/硅盐。
处理装置运用方法

[发明专利]利用等离子体处理基板的装置-CN202080051578.3在审
发明人：崔伦硕 -专利权人： 株式会社EUGENE科技
申请日： 2020-07-17 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：依据本发明的实施例的利用等离子体处理基板的装置，包括：腔室，形成被供应处理气体的内部空间；基板固持器，设置在上述内部空间中以支持基板；介电窗，位于上述基板固持器上部；至少一个天线，设置在上述介电窗外侧，以便由供应至上述内部空间的上述处理气体生成感应等离子体；及至少一个金属屏蔽层，设置在上述天线与上述感应等离子体之间。
利用等离子体处理装置

[发明专利]基板处理装置-CN202080009863.9在审
发明人：黄龙;成世钟;张雄柱;申良湜;郑愚德 -专利权人： 株式会社EUGENE科技
申请日： 2020-01-20 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：根据本发明的一实施例，基板处理装置包括：腔体，在内部形成有处理空间；基座，设置于上述处理空间，且在该基座上部放置基板；供气口，形成于上述腔体的天花板中央部，向上述处理空间供应源气体；排气口，形成于上述腔体的侧壁，位于上述基座的外侧下部，对上述处理空间从上述基座的中央向上述基座的边缘位置进行排气；及天线，位于上述基座的上部，设置于上述腔体的外侧，由上述源气体生成等离子体。上述基座的上部面具备：安装面，用于放置上述基板；及控制面，位于上述安装面的周缘，与上述处理空间对置设置，在实施工艺时可暴露于上述等离子体，位于比上述安装面低的位置。
处理装置

[发明专利]基板处理装置-CN201680021625.3有效
发明人：郑愚德;诸成泰;崔圭鎭;韩星珉 -专利权人： 株式会社EUGENE科技
申请日： 2016-04-12 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理装置。基板处理装置包含：管件，具有内空间；基板支撑件，多个基板在管件内以多级形式堆叠于基板支撑件上，基板支撑件个别地界定分别处理多个基板的多个处理空间；第一气体供应部件，经组态以将第一气体供应至所有多个处理空间中；第二气体供应部件，包括多个喷射器，多个喷射器经安置为分别对应于多个处理空间，使得将第二气体个别地供应至多个基板中的每一者上；以及排出部件，经组态以排出管件内的气体。因此，可将气体个别地供应至分别处理多个基板的处理空间中的每一者中。
处理装置

[发明专利]薄膜形成方法-CN201980058805.2在审
发明人：金真雄;申承祐;柳次英;郑愚德;柳斗烈;赵星吉;崔豪珉;吴完锡;李郡禹;金基镐 -专利权人： 株式会社EUGENE科技
申请日： 2019-09-09 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：根据本发明的一实施例，一种薄膜形成方法，将被处理体装载至腔室内，将上述被处理体的温度控制为400℃以下，并向上述腔室内供应硅源气体和氧化气体，以在上述被处理体表面形成氧化硅膜，其特征在于，所述氧化气体在被供应至所述腔室内之前被加热至超过400℃的温度。
薄膜形成方法

[发明专利]处理衬底的装置和方法-CN201911240311.4在审
发明人：郑珉珍;金泰焕;姜民雄;刘炫准;姜盛皓;朴松焕;金甫宣;李弘源;赵柱铉;晋龙铎 -专利权人：爱思开海力士有限公司;株式会社EUGENE科技
申请日： 2019-12-06 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：一种用于处理衬底的装置包括：反应管、侧盖、加热器、第一气体供应器、第二气体供应器和控制器。反应管被配置为容纳衬底舟皿以处理衬底，在所述衬底舟皿中容纳多个衬底。侧盖被配置为容纳反应管。加热器衬在侧盖的内部。第一气体供应器设置于侧盖的上部，以第一供应速率将冷却气体供应到侧盖与反应管之间的空间。第二气体供应器设置于侧盖的下部，以不同于第一供应速率的第二供应速率将冷却气体供应到侧盖和反应管之间的空间。所述控制器控制所述反应管。
处理衬底装置方法

[发明专利]基板处理装置以及清洗腔室的方法-CN201680021675.1有效
发明人：郑愚德;诸成泰;崔圭鎭;具滋大;金濬 -专利权人： 株式会社EUGENE科技
申请日： 2016-04-19 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明揭示基板处理装置以及清洗腔室的方法。基板处理装置包含：腔室，包含提供基板在其中待用的空间的第一主体部分及提供对基板在其中执行薄膜沉积处理的空间的第二主体部分；基板固持器，其上负载有基板，基板固持器可在第一与第二主体部分之间移动；第一供应单元，自第二主体部分中至基板上供应用于薄膜沉积的第一气体；第二供应单元，将第二气体供应至第一主体部分中，第二气体与在薄膜沉积时所产生的副产物反应以产生烟雾；排气单元，排出腔室内的气体。因此，可快速地移除在基板上沉积薄膜时所产生的副产物。
处理装置以及清洗方法

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