“原子比”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网_专利查询网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果746884个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201910892499.4在审
发明人：郑二虎 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2019-09-20 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供初始基底，初始基底上具有若干相互分立的掩膜层；在初始基底上形成牺牲膜，牺牲膜覆盖掩膜层的侧壁表面和顶部表面，且牺牲膜的材料中的氧具有第一原子百分比；在牺牲膜内形成牺牲开口形成所述牺牲开口之后，采用第一刻蚀工艺，以所述牺牲膜为掩膜，刻蚀所述掩膜层，直至暴露出初始基底表面；所述第一刻蚀工艺之后，对所述牺牲膜进行改性处理，使所述牺牲膜形成牺牲层，所述牺牲层的材料中的氧具有第二原子百分比，且所述第二原子百分比小于第一原子百分比；所述改性处理之后，去除所述牺牲层。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]一种BCC单相轻质高熵合金及其制备方法-CN202310589892.2在审
发明人：张朝晖;程兴旺;何杨宇;冯向向;刘娅;刘罗锦;贾晓彤;贾兆虎;王强;周朗 -专利权人：北京理工大学;北京理工大学唐山研究院
申请日： 2023-05-24 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： C22C14/00 文献下载
摘要：本发明设计了一种高强度高塑性的轻质高熵合金，由TiaAlbCrcMgd组成，其中a的原子百分比为55‑80％，b的原子百分比为10‑20％，c的原子百分比为5‑15％，d的原子百分比0‑15％，其中b＞本发明得到的轻质高熵合金具有高强度高硬度和良好的塑性，以及比常用的轻质合金更高的比强度比硬度，因此可以替代轻质合金尤其是TC4钛合金，用于军事装甲防护材料和航空航天领域的结构件，从而实现减重、增强和节能的目标
一种 bcc 单相轻质高熵合金及其制备方法

[发明专利]由表面涂覆的立方氮化硼基超高压烧结材料制成的切削工具-CN200710104571.X有效
发明人：高冈秀充;田岛逸郎 -专利权人：三菱麻铁里亚尔株式会社;三菱综合材料神户工具株式会社
申请日： 2007-05-25 - 公布日： 2007-11-28 - 主分类号： B32B33/00 文献下载
摘要：硬质涂层具下层和上层，该下层为具有[Ti_1－X－YAl_XSi_Y]N组成的复合氮化物，其中X按原子比计在0.40－0.60的范围，Y按原子比计在0.02－0.10的范围，该上层包括薄层A和薄层B，薄层A具有[Ti_1－X－YAl_XSi_Y]N的组成，其中X按原子比计在0.40－0.60的范围，Y按原子比计在0.02－0.10的范围，薄层B由Ti氮化物(TiN)构成。
表面立方氮化超高压烧结材料制成切削工具

[发明专利]具有通过物理气相沉积法施加的含钇涂层的涂覆的物品及其制造方法-CN201210229791.6无效
发明人：倪旺阳;罗纳尔德·M·佩尼切;刘一雄 -专利权人：钴碳化钨硬质合金公司
申请日： 2012-07-04 - 公布日： 2013-01-09 - 主分类号： B32B9/00 文献下载
摘要：铝和钇含量的总数是在铝、钇和其他元素的总数的约3原子百分比与约55原子百分比之间。钇含量是在铝、钇和其他元素的总数的约0.5原子百分比与约5原子百分比之间。
具有通过物理沉积施加涂层物品及其制造方法

[实用新型]一种原子荧光光度计光学系统-CN201220414879.0有效
发明人：宋雅东;孙金龙;陈国伟;王凌昊 -专利权人：北京普析通用仪器有限责任公司
申请日： 2012-08-20 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： G01N21/64 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种原子荧光光度计光学系统，属于原子荧光光度计技术领域。本实用新型所述激发光源发出的光经过入射光学系统后汇聚于原子化器的中心处，激发光源所发出的部分光（参比信号）通过参比光传输系统再经斩光器进入光电倍增管，激发光源所激发的荧光信号通过接收光学系统再经过斩光器进入光电倍增管，参比信号与荧光信号由斩光器按时序选择顺序进入光电倍增管并转化为电信号输入到信号采集处理系统，所测参比信号经处理后反馈于荧光信号测量结果进行数据校正。本实用新型能有效校正光源不稳定性对测量结果的影响，突破了一直以来制约着原子荧光度计发展的技术瓶颈，提高了仪器的性能指标。
一种原子荧光光度计光学系统

[发明专利]原子类型定义系统及其原子类型匹配方法-CN201810420888.2有效
发明人：师雪坤;曹风雷;杨明俊;孙广旭;张佩宇;马健;赖力鹏;温书豪 -专利权人：深圳晶泰科技有限公司;深圳智药科技有限公司
申请日： 2018-05-04 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： G16C10/00 文献下载
摘要：本发明属于力场技术领域，具体为原子类型定义系统及原子类型匹配方法，包括原子类型可视化UI界面、原子类型匹配模块、原子类型数据管理模块、原子类型格式转换模块；所述的原子类型数据管理模块包括原子类型定义数据包本发明设计的原子类型定义方式可以描述嵌套关系、继承关系、层级关系、树形关系和各种复杂的原子化学环境，提升了描述能力，能描述更丰富、更精确的原子类型，力场的计算就能更准确。可以对原子类型实现便捷的操作，增、删、改、查、多维度统计都非常直观方便。比现有的方法效率更高效，匹配的准确度更高。
原子类型定义系统及其匹配方法

[发明专利]低应力低氢型LPCVD氮化硅-CN201680028363.3有效
发明人： N·S·德拉斯 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2016-05-09 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L21/318 文献下载
摘要：在所描述的示例中，一种微电子器件(102)包含高性能氮化硅层，此氮化硅层的化学计量在2原子百分比(at％)内，具有低应力为600MPa到1000MPa，并且具有小于5原子百分比的低氢含量，由LPCVD工艺形成LPCVD工艺使用氨气NH3和二氯甲硅烷DCS气体，其比率为4比6，压力为150毫托至250毫托，并且温度为800℃至820℃。
应力低氢型 lpcvd 氮化

[发明专利]一种提高双能辐射系统材料识别能力的方法及系统-CN201410252245.3有效
发明人：王少锋;李苏祺;郑建斌;张丹;曹艳锋 -专利权人：北京君和信达科技有限公司
申请日： 2014-06-09 - 公布日： 2018-06-12 - 主分类号： G01N23/087 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高双能辐射系统材料识别能力的方法，包括：步骤一，确定被检测材料的原子序数和厚度；步骤二，基于被检测材料的原子序数和厚度计算脉冲数量比(或剂量比)；步骤三，将双能辐射系统的脉冲数量比(或剂量比
辐射系统材料识别检测材料原子序数数量比脉冲厚度计算扫描检查最佳材料

[发明专利]一种杂原子微介孔复合材料及其合成方法-CN201510182228.1有效
发明人：舒兴田;夏长久;林民;朱斌;彭欣欣 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司石油化工科学研究院
申请日： 2015-04-17 - 公布日： 2019-09-24 - 主分类号： C01B39/04 文献下载
摘要：一种杂原子微介孔复合材料及其合成方法，所述杂原子微介孔复合材料晶粒表面富硅，其表面硅杂原子比高于体相硅杂原子比。所述杂原子微介孔复合材料的合成方法包括将杂原子源、模板剂、有机硅源、无机铵源和水混合，水解赶醇、老化、与固体硅源混合，晶化，回收杂原子微介孔复合材料。本发明提供的杂原子微介孔复合材料具有较高的氧化活性，且副反应双氧水无效分解活性明显降低。
一种原子微介孔复合材料及其合成方法

[发明专利]光学记录介质-CN202080088358.8在审
发明人：曽根康宏 -专利权人：索尼集团公司
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： G11B7/24038 文献下载
摘要：base:Sub>+e1)≤0.41的关系(其中，a1：金属MA相对于金属MA、金属MB、金属MD和金属ME的总量的原子比[原子％]，b1：金属MB相对于金属MA、金属MB、金属MD和金属ME的总量的原子比[原子％]，e1：金属ME相对于金属MA、金属MB、金属MD和金属ME的总量的原子比[原子％]，且金属ME相对于金属MA、金属MB、金属MD和金属ME的总量的原子比e1为5原子％或更多，18原子％
光学记录介质

[其他]用在电子摄影术中的光接收元件-CN87101639无效
发明人：白井茂;斉藤惠志;新井孝至;加藤富;藤冈靖 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 1987-03-03 - 公布日： 1987-11-25 - 主分类号： G03G5/08 文献下载
摘要：它包括一层为电子摄影术用的基底和一光接收层，后者由含硅原子锗原子的多晶材料形成的长波长光吸收层构成；一层由含硅原子作为主要原子成分的非晶材料形成的光电导层；及一层由含硅原子、碳原子和氢原子的非晶材料形成的表面层，表面层中氢原子含量为1×10-3至40原子百分比。
电子摄影术中的接收元件

[发明专利]用在电子摄影术中的光接收元件-CN87101639.7无效
发明人：白井茂;齐藤惠志;新井孝至;加藤富;藤冈靖 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 1987-03-03 - 公布日： 1991-10-02 - 主分类号： G03G5/08 文献下载
摘要：提供一个改进的电子摄影术用光接收元件包括一层为电子摄影术用的基底和一光接收层，后者由含硅原子锗原子的多晶材料形成的长波长光吸收层构成；一层由含硅原子作为主要原子成分的非晶材料形成的光电导层；及一层由含硅原子、碳原子和氢原子的非晶材料形成的表面层，表面层中氢原子含量为1×10-3至40原子百分比。
电子摄影术中的接收元件

[发明专利]绝缘膜及其制造方法-CN201280049140.7有效
发明人：宫永美纪;粟田英章;冈田浩;栗巢贤一;安东靖典;高桥英治;藤原将喜 -专利权人：住友电气工业株式会社;日新电机株式会社
申请日： 2012-10-04 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：提供一种绝缘膜，其为含有硅原子、氟原子及氮原子的绝缘膜，所述绝缘膜具备配置在含有氧原子的基板上的第一氮化硅膜和以与该第一氮化硅膜接触的方式配置的第二氮化硅膜，该第二氮化硅膜中含有的氟量比该第一氮化硅膜中含有的氟量多，并且提供一种半导体元件，其具有含有铟原子及氧原子的氧化物半导体层以及含有硅原子、氟原子及氮原子的绝缘膜。
绝缘及其制造方法

[发明专利]In-Ga-O系氧化物烧结体、靶、氧化物半导体薄膜以及它们的制造方法-CN201180004849.0有效
发明人：江端一晃;笘井重和;矢野公规 -专利权人：出光兴产株式会社
申请日： 2011-01-14 - 公布日： 2012-08-29 - 主分类号： C04B35/00 文献下载
摘要：一种氧化物烧结体，其中，实质上结晶结构由显示出方铁锰矿结构的氧化铟构成，镓原子固溶在上述氧化铟中，原子比Ga/(Ga+In)为0.10～0.15。
in ga 氧化物烧结半导体薄膜以及它们制造方法

[发明专利]润滑油组合物、润滑方法和齿轮-CN201780043795.6在审
发明人：中原靖人;横沟真人;镰野秀树 -专利权人：出光兴产株式会社
申请日： 2017-10-27 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： C10M169/04 文献下载
摘要：提供一种耐烧结性和耐磨损性优异的润滑油组合物、使用该润滑油组合物的润滑方法、齿轮，所述润滑油组合物包含至少包含矿物油的基础油、和含有硫和磷的耐磨剂，组合物中所包含的硫原子与磷原子的质量比(S/P比)为7.5
润滑油组合物齿轮矿物油耐磨损性耐烧结性基础油磷原子硫原子耐磨剂质量比

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top