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[发明专利]Co-Cr-Pt-B型合金溅射靶及其制造方法-CN201810374017.1有效
发明人：森下雄斗;荻野真一;中村祐一郎 -专利权人： 吉坤日矿日石金属株式会社
申请日： 2012-05-22 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明涉及Co‑Cr‑Pt‑B型合金溅射靶及其制造方法。一种Co‑Cr‑Pt‑B型合金溅射靶，其特征在于，100μm×100μm面积(视野)内的富B相中的0.1～20μm的裂纹数为10个以下。一种Co‑Cr‑Pt‑B型合金溅射靶的制造方法，其特征在于，对Co‑Cr‑Pt‑B型合金铸锭进行热锻或热轧后，进行伸长率为4％以下的冷轧或冷锻，进行机械加工而制成靶，使100μm×100μm面积(视野)内的富B相中的0.1～20μm的裂纹数为10个以下，或者，对上述铸锭进行热锻或热轧后，骤冷至‑196℃～100℃，进行机械加工而制成靶。本发明的靶的漏磁通密度高且富B层中微裂纹少，因此，能够稳定地放电，抑制电弧。
co cr pt 合金溅射及其制造方法

[发明专利]磁记录膜用溅射靶及其制造方法-CN201510323322.4有效
发明人：高见英生;奈良淳史;荻野真一 -专利权人： 吉坤日矿日石金属株式会社
申请日： 2011-02-02 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种磁记录膜用溅射靶，其含有SiO2，其特征在于，在X射线衍射中作为结晶化的SiO2的方英石的峰强度相对于背景强度的比(方英石峰强度/背景强度)为1.40以下。本发明的课题在于得到在靶中可以抑制造成溅射时的粉粒产生的方英石的形成，并且可以缩短预烧时间的磁记录膜用溅射靶。
记录溅射及其制造方法

[发明专利]印刷电路板用铜箔、其制造方法以及印刷电路板-CN201610319842.2有效
发明人：古曳伦也;森山晃正 -专利权人： 吉坤日矿日石金属株式会社
申请日： 2011-09-08 - 公布日： 2019-09-03 - 主分类号： H05K1/09 文献下载
摘要：本发明涉及印刷电路板用铜箔、其制造方法、印刷电路板用树脂基板以及印刷电路板。本发明提供一种印刷电路板用铜箔，其特征在于，在铜箔的至少一面上具有铜箔的粗化处理层，该铜箔的粗化处理层中，粒子长度的10％的位置的粒子根部的平均直径D1为0.2μm～1.0μm，粒子长度L1与所述粒子根部的平均直径D1之比L1/D1为15以下。一种印刷电路板用铜箔，其特征在于，在具有粗化处理层的印刷电路板用铜箔与树脂层叠后、通过蚀刻除去铜层的树脂的表面，具有凹凸的树脂粗化面中孔所占面积的总和为20％以上。开发了在不使铜箔的其它诸特性变差的情况下回避上述电路侵蚀现象的半导体封装基板用铜箔。特别地，其课题在于，提供一种可以改善铜箔的粗化处理层，提高铜箔与树脂的粘接强度的印刷电路板用铜箔及其制造方法。
印刷电路板铜箔制造方法树脂以及

[发明专利]Co-Cr-Pt-B型合金溅射靶及其制造方法-CN201510684504.4有效
发明人：森下雄斗;荻野真一;中村祐一郎 -专利权人： 吉坤日矿日石金属株式会社
申请日： 2012-05-22 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种Co‑Cr‑Pt‑B型合金溅射靶，其特征在于，100μm×100μm面积(视野)内的富B相中的0.1～20μm的裂纹数为10个以下。一种Co‑Cr‑Pt‑B型合金溅射靶的制造方法，其特征在于，对Co‑Cr‑Pt‑B型合金铸锭进行热锻或热轧后，进行伸长率为4％以下的冷轧或冷锻，进行机械加工而制成靶，使100μm×100μm面积(视野)内的富B相中的0.1～20μm的裂纹数为10个以下，或者，对上述铸锭进行热锻或热轧后，骤冷至‑196℃～100℃，进行机械加工而制成靶。本发明的靶的漏磁通密度高且富B层中微裂纹少，因此，能够稳定地放电，抑制电弧。
co cr pt 合金溅射及其制造方法

[发明专利]钽溅射靶-CN201410193174.4有效
发明人：福岛笃志;小田国博;仙田真一郎 -专利权人： 吉坤日矿日石金属株式会社
申请日： 2010-08-04 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种钽溅射靶，其特征在于，含有1质量ppm以上且100质量ppm以下的钼作为必要成分，并且除钼和气体成分以外的纯度为99.998％以上。上述钽溅射靶，其特征在于，还含有0～100质量ppm(但是不包括0质量ppm)的铌，并且除钼、铌和气体成分以外的纯度为99.998％以上。本发明可以得到具有均匀微细的组织、等离子体稳定、膜的均匀性优良的高纯度钽溅射靶。
溅射

[发明专利]化合物半导体晶片、光电转换元件、以及III-V族化合物半导体单晶的制造方法-CN201810941688.1在审
发明人：野田朗;太田优;平野立一 -专利权人： 吉坤日矿日石金属株式会社
申请日： 2014-03-11 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明涉及化合物半导体晶片、光电转换元件、以及III‑V族化合物半导体单晶的制造方法。在耐热性的容器中填充原料和密封剂，将原料和密封剂加热，由此将原料熔解制成熔融液，同时使密封剂熔解，用密封剂将上述熔融液从上方覆盖，控制容器内的温度，以使相对于密封剂下部，密封剂上部的温度在不成为密封剂下部的温度以上的范围升高，在熔融液中浸渍晶种，将晶种相对于熔融液向上方提拉，由此使单晶由晶种生长。由此，虽然Zn的平均浓度是5×10¹⁷cm^‑3以上且3×10¹⁸cm^‑3以下的不会表现结晶硬化效果的低浓度，但可以得到直径2英寸以上的大型的、位错密度低、为5000cm^‑2的化合物半导体晶片。
密封剂熔融液化合物半导体晶片光电转换元件半导体单晶晶种熔解耐热性浸渍晶种生长控制容器硬化效果大型的单晶提拉填充位错加热制造升高覆盖表现

[发明专利]氧化物烧结体、溅射靶和薄膜以及氧化物烧结体的制造方法-CN201510043312.5有效
发明人：奈良淳史 -专利权人： 吉坤日矿日石金属株式会社
申请日： 2015-01-28 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明涉及氧化物烧结体、溅射靶和薄膜以及氧化物烧结体的制造方法。一种氧化物烧结体，其特征在于，包含锌(Zn)、铟(In)、钛(Ti)、镓(Ga)、锗(Ge)和氧(O)，Zn含量以ZnO换算为70～90摩尔％，In含量以In₂O₃换算为2～15摩尔％，Ti含量以TiO₂换算为1～10摩尔％，Ga含量以Ga₂O₃换算为0.5～10摩尔％，Ge含量以GeO₂换算为0.5～10摩尔％。根据本发明，体电阻率低且能够进行DC溅射，并且可以形成具备所需的折射率和透射率的透明导电膜。
氧化物烧结溅射薄膜以及制造方法

[发明专利]氧化铟烧结体、氧化铟透明导电膜以及该透明导电膜的制造方法-CN201510777274.6有效
发明人：高见英生;生泽正克 -专利权人： 吉坤日矿日石金属株式会社
申请日： 2010-09-30 - 公布日： 2018-09-14 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明涉及一种氧化铟烧结体，其含有锆作为添加物，其特征在于，锆的原子浓度相对于铟的原子浓度与锆的原子浓度之和的比率为0.5～4％的范围，相对密度为99.3％以上，体电阻为0.5mΩ·cm以下。本发明的目的在于提供在可见光区域及红外区域具有高透射率、并且膜的电阻率低、结晶温度可以控制的氧化铟透明导电膜及其制造方法以及用于制作该透明导电膜的氧化铟烧结体。
氧化烧结透明导电以及制造方法

[发明专利]磁记录介质用溅射靶及其制造方法-CN201380013280.3有效
发明人：荻野真一;中村祐一郎 -专利权人： 吉坤日矿日石金属株式会社
申请日： 2013-03-01 - 公布日： 2018-08-31 - 主分类号： G11B5/851 文献下载
摘要：一种磁记录介质用溅射靶，其特征在于，富B相的平均颗粒面积为90μm2以下。一种磁记录介质用溅射靶的制造方法，其特征在于，对合金铸锭进行热处理后，进行至少包含一次以上冷轧的一次轧制，然后进行二次轧制，并对其进行机械加工从而制作靶。本发明得到了在磁记录介质用溅射靶中富B相的破裂少且漏磁通密度高的靶，由此解决如下课题：使溅射时的放电稳定，抑制以富B相的破裂为起点的电弧放电，从而抑制粉粒产生。
记录介质溅射及其制造方法

[发明专利]Fe-Pt基磁性材料烧结体-CN201380049218.X有效
发明人：荻野真一 -专利权人： 吉坤日矿日石金属株式会社
申请日： 2013-08-06 - 公布日： 2018-07-17 - 主分类号： G11B5/65 文献下载
摘要：一种Fe‑Pt基磁性材料烧结体，其特征在于，含有BN和SiO2作为非磁性材料，在所述烧结体的切断面中的B或N的存在区域中存在Si和O。本发明的课题在于提供一种能够制作热辅助磁记录介质中的磁性薄膜，并且降低溅射时产生的粉粒量的高密度溅射靶。
烧结体磁性材料热辅助磁记录非磁性材料磁性薄膜溅射靶切断面粉粒溅射制作

[发明专利]钽溅射靶及其制造方法-CN201380053775.9有效
发明人：仙田真一郎;永津光太郎 -专利权人： 吉坤日矿日石金属株式会社
申请日： 2013-12-06 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种钽溅射靶，其特征在于，在钽溅射靶的溅射面中，(200)面的取向率大于70％，且(222)面的取向率为30％以下。通过控制靶的晶体取向，具有如下效果：降低钽靶的放电电压，从而容易产生等离子体，并且提高等离子体的稳定性。
钽溅射靶等离子体取向率放电电压晶体取向溅射面钽靶制造

[发明专利]钽溅射靶-CN201480054575.X有效
发明人：小田国博 -专利权人： 吉坤日矿日石金属株式会社
申请日： 2014-09-26 - 公布日： 2018-05-25 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种钽溅射靶，其特征在于，含有合计1质量ppm以上且低于10质量ppm的铌和钨作为必要成分，并且除铌、钨和气体成分以外的纯度为99.9999％以上。本发明得到一种高纯度钽溅射靶，其具有均匀且调节为最佳范围的微细的组织，可以稳定地实现高的成膜速度，并且可以形成均匀的膜。
钽溅射靶微细高纯度成膜

[发明专利]氢氧化铟或含氢氧化铟的化合物的电解制造装置以及制造方法-CN201610322530.7有效
发明人：新藤裕一朗;竹本幸一;古仲充之 -专利权人： 吉坤日矿日石金属株式会社
申请日： 2012-06-12 - 公布日： 2018-03-23 - 主分类号： C25D11/34 文献下载
摘要：一种通过电解法制造氢氧化铟或含氢氧化铟的化合物的方法，其目的在于，通过使电解液的电导率为10mS/cm以上来进行电解，使氢氧化铟或含氢氧化铟的化合物在电解液中析出，并且洗涤析出的氢氧化铟或含氢氧化铟的化合物，直至洗涤液的电导率为1mS/cm以下，由此抑制生产率的下降以及品质的下降。
氢氧化化合物电解制造装置以及方法

[发明专利]含有Co或Fe的溅射靶-CN201480003726.9有效
发明人：荒川笃俊;高见英生;中村祐一郎 -专利权人： 吉坤日矿日石金属株式会社
申请日： 2014-01-24 - 公布日： 2018-02-16 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种烧结体溅射靶，在靶的抛光面上观察到的组织由分散有平均粒径为1.8μm以下的非磁性材料粒子的含有Co或Fe的金属相和金属颗粒构成，在将位于非磁性材料粒子的外周上的任意2点的距离的最大值设为最大直径、将以平行的两条直线夹持该粒子时两直线间的距离的最小值设为最小直径时，该最大直径与最小直径之差为0.7μm以下的非磁性材料粒子相对于在靶的抛光面上观察到的组织内的非磁性材料粒子为60％以上，并且，在将位于金属颗粒的外周上的任意2点的距离的最大值设为最大直径、将以平行的两条直线夹持金属颗粒时两直线间的距离的最小值设为最小直径时，该最大直径与最小直径之和为30μm以上的金属颗粒在1mm2视野内存在平均1个以上，该烧结体溅射靶能够抑制在溅射时成为粉粒产生的原因的由非磁性材料引起的异常放电。
含有 co fe 溅射

[发明专利]氢氧化铟的制造方法-CN201610323231.5有效
发明人：新藤裕一朗;竹本幸一;古仲充之 -专利权人： 吉坤日矿日石金属株式会社
申请日： 2012-06-12 - 公布日： 2018-02-13 - 主分类号： C25B1/00 文献下载
摘要：一种通过电解法制造氢氧化铟或含氢氧化铟的化合物的方法，其目的在于，通过使电解液的电导率为10mS/cm以上来进行电解，使氢氧化铟或含氢氧化铟的化合物在电解液中析出，并且洗涤析出的氢氧化铟或含氢氧化铟的化合物，直至洗涤液的电导率为1mS/cm以下，由此抑制生产率的下降以及品质的下降。
氢氧化制造方法

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