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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体设备-CN201910880480.8有效
发明人：王磊磊 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2019-09-18 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体设备，包括工艺腔室和尾气处理装置，半导体设备还包括排气管道和吹扫装置，排气管道的两端分别与工艺腔室和尾气处理装置连接；吹扫装置与排气管道的内部连通，以在排气管道的内周壁上形成吹扫气体气流层本发明可提高半导体设备的工作效率。
半导体设备

[发明专利]半导体设备-CN201510649870.6有效
发明人：赵钟弼;李泳周 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2015-10-09 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H03L7/18 文献下载
摘要：一种半导体设备，包括：PLL，响应于经由天线从读取器接收的第一时钟而提供不同相位的候选时钟；相位差检测器，检测第一时钟和来自候选时钟的时钟之间的相位差；相位差控制器，从候选时钟中选择另一个时钟；以及驱动器
半导体设备

[发明专利]半导体设备-CN201680057899.8有效
发明人：高桥直树 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2016-09-27 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：半导体设备100具有垂直结构的功率晶体管N1和用于检测该功率晶体管N1的异常发热的温度检测元件10a。功率晶体管N1包括：形成在半导体基板200的第一主表面侧(前表面侧)上的第一电极208、形成在半导体基板200的第二主表面侧(背面侧)的第二电极209、以及不均匀地设置在第一电极208上的焊盘210a‑
半导体设备

[发明专利]半导体设备-CN201680076680.2有效
发明人：结城浩文;高桥俊太郎;古谷博司 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2016-10-31 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：半导体设备包括：连接到输出端子的n型半导体基板；形成在所述n型半导体基板中的第一p型阱；形成在所述第一p型阱中并且连接到所述控制端子的第一n型半导体区域；以及连接在所述第一p型阱与接地端子之间的电位分离部
半导体设备

[发明专利]半导体设备-CN202110251125.1有效
发明人：乔建东 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2021-03-08 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本申请公开一种半导体设备，包括：腔体，所述腔体的顶部设置有第一测温窗；红外测温传感器，位于所述腔体外，所述红外测温传感器的测温端朝向所述第一测温窗；测温转盘，位于所述腔体内且与所述腔体顶部固定设置，且所述测温转盘具有至少两个第二测温窗上述半导体设备能够实现对腔体内部的长时间温度监测。
半导体设备

[发明专利]半导体设备-CN202010976897.7有效
发明人：郭宏瑞;李冰 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2020-09-17 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： C23C14/56 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体设备，包括反应腔室、冷泵和盖板组件；冷泵设置于反应腔室的腔室壁外侧，反应腔室的腔室壁上开设有第一通孔，冷泵通过第一通孔与反应腔室相连通；盖板组件包括驱动机构和与驱动机构相连的盖板，驱动机构的部分固定设置于腔室壁外侧上述方案能够解决调节反应腔室工艺压力所花费的时间较长，造成半导体设备的加工效率较差的问题。
半导体设备

[发明专利]半导体设备-CN201710583029.0有效
发明人：三木武夫;矢野祐二;阿部英明 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2017-07-17 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G11C15/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种可以降低功耗的半导体器件。该半导体器件包括：多个子块，每一个都包括存储单元阵列；以及多个子搜索单元，与对应的子块相对应。
半导体设备

[发明专利]半导体设备-CN202010213446.8有效
发明人：王丽萍 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2020-03-24 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体设备，包括：通过共有气道相连的至少两个工艺腔室，还包括：电磁屏蔽组件，所述电磁屏蔽组件设置在至少一个所述工艺腔室和/或所述共有气道中，所述电磁屏蔽组件用于屏蔽电磁波通过所述共有气道在所述工艺腔室之间传播
半导体设备

[发明专利]半导体设备-CN201810390512.1有效
发明人：横山佳巧;桥爪毅;佐野聪明 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2018-04-27 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G11C11/417 文献下载
摘要：一种半导体设备包括：存储器单元，具有通过从电源线VSS和VDD施加的电压驱动的存储器单位；以及存储器单元电位控制器，用于调整施加于存储器单位的电压的电位。
半导体设备

[发明专利]半导体设备-CN201410199497.4无效
发明人：陆爱军;邹毅;王海红 -专利权人：上海先进半导体制造股份有限公司
申请日： 2014-05-12 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： C30B25/14 文献下载
摘要：本发明揭示了一种半导体设备，包括腔体、第一管道、第二管道以及干泵。
半导体设备

[发明专利]半导体设备-CN200410036894.6无效
发明人：松田源一郎;岛村秋光;深津元 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2004-04-21 - 公布日： 2004-10-27 - 主分类号： G06F11/22 文献下载
摘要：一种半导体设备，包括：其内部具有指令寄存器的处理器；响应测试操作而激活并产生伪随机数的伪随机数发生装置；输入切换装置，用于在正常操作中的数据输入和测试操作中的来自伪随机数发生装置的伪随机数的输入之间切换
半导体设备

[发明专利]半导体设备-CN200810088549.5无效
发明人：上田尚宏 -专利权人：株式会社理光
申请日： 2008-03-28 - 公布日： 2008-10-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种不造成由于形成厚栅绝缘膜而导致的问题、且具有在高耐压器件中能适用的MOS晶体管的半导体设备。漏区域具备含有N－漏区域(3d)和N+漏区域(11d)的二重扩散结构。在栅绝缘膜(7)和N+源区域(11s)之间的半导体基板(1)的表面配置场绝缘膜(15)。第一栅电极(9)的漏区域侧的端部配置在场绝缘膜(15)上。
半导体设备

[发明专利]半导体设备-CN200410086429.3无效
发明人：黑木浩二 -专利权人：沖电气工业株式会社
申请日： 2004-10-20 - 公布日： 2005-09-07 - 主分类号： G11C11/40 文献下载
摘要：本发明是关于一种半导体设备，是一种熔丝选择电路方式的半导体设备。这种半导体设备的结构包括一个输入、均与输入连接的一个功能选择熔丝部分和一个复位控制电路部分以及一个与功能选择熔丝部分连接的输出。
半导体设备

[发明专利]半导体设备-CN200610079838.X无效
发明人：胜木信幸 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2006-05-15 - 公布日： 2006-11-22 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：一种具有熔丝和在熔丝之上制作的熔丝开口的半导体设备。熔丝在熔丝和熔丝开口边缘的交叉部分分为多条线。熔丝(101)分成的多条线彼此并联，并且与熔丝开口边缘垂直。
半导体设备

[实用新型]半导体设备-CN201820074885.3有效
发明人：赵雷超;李春雷;纪红;秦海丰;张芳;兰云峰;王勇飞;王洪彪;文莉辉;张鹤南;王宽冒;郑金果;杨玉杰 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2018-01-17 - 公布日： 2018-09-04 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型提供一种半导体设备，包括：PVD腔室、ALD腔室和传输平台；所述PVD腔室和所述ALD腔室均与所述传输平台相连通；所述PVD腔室用于在基片上沉积所述电容的上电极和下电极；所述ALD腔室用于在基片上沉积所述电容的电介质层本实用新型提供的半导体设备，不仅提高电容的性能，而且还可以降低成本。
腔室半导体设备传输平台电容本实用新型沉积传输基片电介质层下电极电极

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