专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]双极结型晶体管及制造方法-CN201210366278.1有效
  • 夏维;陈向东 - 美国博通公司
  • 2012-09-27 - 2013-04-03 - H01L29/73
  • 本发明提供了一种双极结型晶体管及制造方法。根据一示例性实施方式,双极结型晶体管(BJT)包括宽集电极,其位于半导体衬底中。基极被置于宽集电极上方。此外,发射极和外延发射极被置于基极上方。BJT的窄基极-发射极结通过基极和发射极形成,以及外延发射极为BJT提供增强的电流传导性和减小的电阻。外延发射极可外延形成在发射极上,且可包括多晶硅。此外,基极和发射极各自可包括单晶硅。
  • 鳍式双极结型晶体管制造方法
  • [实用新型]双极结型晶体管-CN201220499149.5有效
  • 夏维;陈向东 - 美国博通公司
  • 2012-09-27 - 2013-03-20 - H01L29/73
  • 本实用新型提供了一种双极结型晶体管。根据一示例性实施方式,双极结型晶体管(BJT)包括宽集电极,其位于半导体衬底中。基极被置于宽集电极上方。此外,发射极和外延发射极被置于基极上方。BJT的窄基极-发射极结通过基极和发射极形成,以及外延发射极为BJT提供增强的电流传导性和减小的电阻。外延发射极可外延形成在发射极上,且可包括多晶硅。此外,基极和发射极各自可包括单晶硅。本实用新型提供了一种具有相比常规BJT改善后的性能的BJT,且该BJT的制造能与CMOS工艺结合。
  • 鳍式双极结型晶体管
  • [发明专利]场效应管及其形成方法-CN201210122575.1有效
  • 三重野文健 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2012-04-24 - 2013-10-30 - H01L29/78
  • 场效应管及其形成方法,其中一种场效应管,包括:半导体衬底,所述半导体衬底表面具有绝缘层和部,所述部贯穿所述绝缘层、且所述部高于绝缘层表面;所述部顶部的晶面为(100),所述部侧壁的晶面为(110),且对于n沟道场效应管,所述部顶部与侧壁的面积之比小于等于3∶1,对于p沟道场效应管,所述部顶部与侧壁的面积之比大于3∶1;横跨所述部的顶部和侧壁的栅极结构;位于所述栅极结构两侧的部表面的应力衬垫层本发明实施例的场效应管的载流子迁移率高,器件性能好。
  • 场效应及其形成方法
  • [实用新型]一种SDB工艺的测试结构-CN202021810675.X有效
  • 张璐 - 杭州广立微电子股份有限公司
  • 2020-08-26 - 2021-07-09 - H01L21/66
  • 本实用新型提供一种SDB工艺的测试结构,用于检测单扩散区切断的工艺情况,所述测试结构包括至少一个基本单元:所述基本单元包括两个场效应晶体管:第一场效应晶体管和第二场效应晶体管;所述场效应晶体管包括若干根相邻的平行部和横跨部的栅极结构,场效应晶体管的源极和漏极分设在栅极结构两侧的部上;所述第一场效应晶体管和第二场效应晶体管共用同一根栅极结构;单扩散区切断设置在第二场效应晶体管的栅极结构上,用于截断第二场效应晶体管的源极和漏极
  • 一种sdb工艺测试结构
  • [发明专利]船用减摇装置-CN201210082361.6无效
  • 丁郁华;丁晓阳;马从龙;何志忠;王小进;刘小琴 - 江苏华阳重工股份有限公司
  • 2012-03-21 - 2013-09-25 - B63B39/06
  • 本发明涉及船用设备,尤其涉及船舶减摇装置中转装置的改进。本发明船用减摇装置,包括箱,该箱中安装有座,所述的座上安装有轴和转叶液压装置,所述轴可在所述的座中绕所述轴的轴线转动,所述座一侧的所述轴上安装有翼且所述的轴和所述的翼构成,所述座另一侧的所述轴安装在所述转叶液压装置的轴孔中,所述转叶液压装置中轴孔的内壁与分布在所述轴孔中的所述轴的外壁之间有间隙。本发明能够自动适应轴轴线的偏位,保证转装置正常工作,延长转装置的使用寿命,且结构简单,容易实现。
  • 船用减摇鳍转鳍装置
  • [实用新型]船用减摇装置-CN201220117357.4有效
  • 丁郁华;丁晓阳;马从龙;何志忠;王小进;刘小琴 - 江苏华阳重工股份有限公司
  • 2012-03-21 - 2012-12-12 - B63B39/06
  • 本实用新型涉及船用设备,尤其涉及船舶减摇装置中转装置的改进。本实用新型船用减摇装置,包括箱,该箱中安装有座,所述的座上安装有轴和转叶液压装置,所述轴可在所述的座中绕所述轴的轴线转动,所述座一侧的所述轴上安装有翼且所述的轴和所述的翼构成,所述座另一侧的所述轴安装在所述转叶液压装置的轴孔中,所述转叶液压装置中轴孔的内壁与分布在所述轴孔中的所述轴的外壁之间有间隙。本实用新型能够自动适应轴轴线的偏位,保证转装置正常工作,延长转装置的使用寿命,且结构简单,容易实现。
  • 船用减摇鳍转鳍装置
  • [发明专利]静态随机存取存储器单元的布局-CN201110085963.2有效
  • 廖忠志;沈政忠 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2011-04-02 - 2012-01-11 - H01L27/02
  • 本发明提供一种多静态随机存取存储器(SRAM)单元的布局。该SRAM单元包括半导体基底上的多个有源区,其中有源区包括一对相邻且具有第一间隔的有源区以及与相邻有源区间具有第二间隔的一有源区,该第二间隔大于该第一间隔;多个场效应晶体管,其形成于有源区上,其配置为交叉耦合的第一和第二反相器以存储数据,以及存取数据的至少一端口;第一接触窗,其配置于第一和第二有源区之间并同时电气接触该第一和第二有源区;以及一第二接触窗,其配置于并电气接触第三有源区本发明可缩减第一有源区的第一类型接触窗、第二有源区的第二类型接触窗以及SRAM单元面积,同时改进和保持SRAM单元的功能性和效能。
  • 多鳍式静态随机存取存储器单元布局
  • [发明专利]一种场效应晶体管标准单元结构-CN202110600440.0在审
  • 李勇 - 上海华力集成电路制造有限公司
  • 2021-05-31 - 2021-09-14 - H01L27/088
  • 本发明涉及一种场效应晶体管标准单元结构,涉及半导体集成电路结构,包括多个有效区域,每一有效区域包括多条有效,多条有效同方向排列;至少一个虚拟区域,虚拟区域包括多条虚拟,多条虚拟同方向排列,并虚拟区域将两相邻有效区域隔开;多条多晶硅,多条多晶硅同方向排列,并与有效和虚拟交叉,其中多晶硅与有效的交叉区域形成场效应晶体管的栅极区域;其中两相邻有效之间的间距为a,两相邻虚拟之间的间距为b,并b小于a,以减小场效应晶体管标准单元的面积。
  • 一种场效应晶体管标准单元结构

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