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[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202111039700.8在审
发明人： 亚伯拉罕·庾;施雪捷;金吉松 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2021-09-06 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，其中，所述半导体结构包括：沟道结构，包括间隔悬空设置于所述第一凸起部上方的第一沟道结构，所述第一沟道结构包括一个或多个依次间隔设置的第一沟道层，所述第一沟道层在沿垂直于衬底表面的方向堆叠；且沿所述第一凸起部的排列方向，所述第一沟道层为具有111晶面的波浪形结构，在半导体领域中，PMOS器件的沟道在111晶面的空穴迁移率，大于在100晶面的空穴迁移率，从而本发明实施例能够为PMOS器件提供具有111晶面的沟道，有利于提高PMOS器件的沟道迁移率，并且，所述第一沟道层为波浪形结构，还有利于增大PMOS器件的有效沟道宽度；综上，本发明实施例有利于提升半导体结构的性能。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202110495701.7在审
发明人： 亚伯拉罕·庾;金吉松 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2021-05-07 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：在伪栅结构两侧的初始叠层结构中形成凹槽，剩余的初始叠层结构用于作为叠层结构；在凹槽侧壁的沟道层上形成子掺杂层，且叠层结构中，相邻沟道层上的子掺杂层相接触用于构成初始过渡掺杂层；在初始过渡掺杂层的表面的部分厚度材料中掺杂离子，适于减小初始过渡掺杂层的耐刻蚀度；去除掺杂有离子的初始过渡掺杂层，剩余的初始过渡掺杂层用于作为过渡掺杂层；在凹槽相对侧壁上的过渡掺杂层之间形成主掺杂层，主掺杂层的离子掺杂浓度大于过渡掺杂层的离子掺杂浓度，且主掺杂层用于与过渡掺杂层构成源漏掺杂层。本发明实施例提高源漏掺杂层的形成质量、减少源漏掺杂层内部的缺陷，提升半导体结构的性能。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202110442505.3在审
发明人： 亚伯拉罕·庾;金吉松 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2021-04-23 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：去除位于栅隔断区的部分厚度器件栅极结构，形成顶部隔断开口；在顶部隔断开口的侧壁上形成内侧墙；沿着内侧墙的侧壁，去除顶部隔断开口底部的剩余器件栅极结构，在顶部隔断开口的下方形成底部隔断开口，底部隔断开口与顶部隔断开口构成隔断开口；在隔断开口中填充介电材料层，形成隔断结构，隔断结构在沿器件栅极结构的延伸方向上隔断相邻器件单元区的器件栅极结构。本发明实施例有利于对隔断开口的侧壁形貌进行控制、提高隔断开口的侧壁形貌质量，从而有利于精确控制器件栅极结构的切断位置、以及切断位置处的尺寸和形貌，进而优化半导体结构的性能。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202110373963.6在审
发明人：金吉松;亚伯拉罕·庾 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2021-04-07 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：衬底和凸立于子器件区的衬底上的凸起部；沟道结构层，位于凸起部上与凸起部间隔设置，包括一个或多个间隔设置的沟道层；介电墙，沿纵向位于相邻子器件区之间的衬底上，介电墙包括凸立衬底上的介电墙主部及沿纵向凸出介电墙主部的介电墙凸出部，介电墙凸出部与沟道层侧壁相接触；栅极结构，位于各个子器件区上，横跨沟道结构层的顶部且包围介电墙露出的沟道层；源漏掺杂层，位于栅极结构两侧凸起部上且与沟道结构层相接触。本发明实施例减小介电墙对源漏掺杂层向沟道层施加应力的影响，优化半导体结构的性能。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构及半导体结构的形成方法-CN202110328178.9在审
发明人：苏博;何超;亚伯拉罕·庾 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2021-03-26 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，结构包括：衬底，衬底上具有若干平行排列的鳍部结构；位于衬底上的栅极结构、位于栅极结构两侧鳍部结构内的源漏掺杂区以及第二绝缘层，源漏掺杂区内具有第一离子，栅极结构横跨鳍部结构且位于第二绝缘层内；位于第二绝缘层内的金属层，金属层延伸方向与鳍部结构排列方向相同，金属层位于源漏掺杂区上；位于第二绝缘层内和鳍部结构内的第一隔离结构，第一隔离结构延伸方向与鳍部结构排列方向相同，第一隔离结构位于相邻金属层之间。位于第二绝缘层内的第二隔离结构，第二隔离结构延伸方向与鳍部结构排列方向相同，第二隔离结构位于第一隔离结构上，且与第二隔离结构位于相邻的金属层之间。所述结构性能得到提升。
半导体结构形成方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN202110279223.6在审
发明人：苏博;亚伯拉罕·庾;吴汉洙 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2021-03-16 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：半导体结构的形成方法，包括：提供基底，所述基底包括衬底，位于所述衬底上的层间介质层，覆盖所述层间介质层的栅介质层，以及覆盖所述栅介质层的功函数层，覆盖所述衬底和所述功函数层的金属栅极层；刻蚀所述金属栅极层和所述功函数层，形成第一凹槽，所述第一凹槽露出所述栅介质层的顶部；在所述第一凹槽和所述栅介质层上方形成第一掩膜层，所述第一掩膜层具有第一开口，所述第一开口露出所述金属栅极层和所述功函数层，并进行离子注入工艺；去除所述第一开口露出的所述金属栅极层和所述功函数层；去除所述第一掩膜层和所述栅介质层，并露出所述衬底。上述方案能够提升半导体结构器件的性能。
半导体结构形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202011520716.6在审
发明人：金吉松;亚伯拉罕·庾 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2020-12-21 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，包括衬底以及凸立于衬底的鳍部，衬底上形成有横跨鳍部的栅极结构，栅极结构覆盖鳍部的部分顶部和部分侧壁，鳍部沿第一方向延伸，栅极结构沿第二方向延伸，第一方向和第二方向垂直；在栅极结构中待切断的位置处，刻蚀栅极结构，在栅极结构中形成隔断开口，隔断开口在第二方向上将栅极结构进行分割，且隔断开口露出的栅极结构的末端沿第二方向朝隔断开口内凸出。通过使隔断开口露出的栅极结构末端沿第二方向凸出，从而增大了隔断开口露出的栅极结构末端与被栅极结构所覆盖的相邻鳍部的距离，从而有利于提高沟道的被控制能力，进而有利于提高半导体结构的工作性能。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202011289258.X在审
发明人：金吉松;苏柏青;亚伯拉罕·庾 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2020-11-17 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：衬底；沟道结构，分立于器件区的衬底上；电源轨道线，位于电源轨道区的衬底中；栅极结构，横跨沟道结构；源漏掺杂区，位于栅极结构两侧的沟道结构中；层间介质层，位于栅极结构的侧部；电源轨接触插塞，贯穿电源轨道线顶部的部分厚度层间介质层，沿纵向电源轨接触插塞与电源轨道线的顶面全接触；源漏接触层，位于层间介质层中且与源漏掺杂区相接触，在与衬底平行的投影面上源漏接触层横跨电源轨道线。沿纵向电源轨接触插塞与电源轨道线的顶面全接触，增大了电源轨接触插塞沿纵向的尺寸、以及电源轨接触插塞与电源轨道线的接触面积，有利于减小电源轨接触插塞的电阻以及与电源轨道线的接触电阻。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN202010986121.3在审
发明人：金吉松;亚伯拉罕·庾 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2020-09-18 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，基底上形成有沟道层结构；对沟道层结构进行氧化处理，形成位于沟道层结构表面的界面层；形成覆盖界面层的栅介质层；形成覆盖栅介质层的氧吸附层，适于吸附界面层中的氧离子；对氧吸附层、栅介质层和界面层进行第一退火处理，适于使界面层中的氧离子向氧吸附层中扩散，且在第一退火处理过程中，氧吸附层吸附氧离子；在第一退火处理后，去除氧吸附层。本发明在第一退火处理的过程中，界面层中的氧离子向氧吸附层中扩散并被氧吸附层吸附，界面层中的氧离子含量减少，从而减小了界面层的厚度，这有利于减少界面层中的杂质缺陷，相应降低沟道层结构与栅介质层之间的界面态密度，进而提高半导体结构的性能。
半导体结构形成方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN202010955120.2在审
发明人：金吉松;亚伯拉罕·庾 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2020-09-11 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，基底包括第一区；在第一区上形成第一栅介质结构；在第一栅介质结构上形成第一阻挡层；对第一阻挡层进行改性处理，形成改性层；在改性层上形成第一扩散层，第一扩散层内具有极化原子；对第一扩散层和第二扩散层进行退火处理，驱动位于第一扩散层内的极化原子扩散至第一栅介质结构内，形成第一极化层。通过对第一阻挡层进行改性处理，形成改性层，形成的改性层能够增强或减弱对极化原子的阻挡作用，从而避免了利用对第一阻挡层的堆叠层数来调节对极化原子的阻挡效果，简化了制程步骤，同时也避免了第一阻挡层的堆叠层数过多而较难填入到相邻的鳍部结构之间的问题，有效提升最终形成的半导体结构的性能。
半导体结构形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202010724356.5在审
发明人：金吉松;亚伯拉罕·庾 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2020-07-24 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：基底，所述基底包括第一区；位于所述第一区上的第一极化层，所述第一极化层的材料为具有第一极化原子的半导体化合物材料；位于所述第一极化层上的第一栅极结构。通过位于所述第一区上的第一极化层，所述第一极化层的材料为具有第一极化原子的半导体化合物材料。由于所述第一极化层中所述第一极化原子直接与半导体材料形成相对应的盐类化合物，使得所述第一极化层能够具有更高的阈值电压，进而在多阈值电压的环境中，使得各个阈值电压的调节范围增大，减小了不同栅极的阈值电压相同的问题，有效提升了最终形成的半导体结构的性能。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202010675773.5在审
发明人： 亚伯拉罕·庾;金吉松 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2020-07-14 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，其中结构包括：基底，所述基底上具有鳍部，所述鳍部包括第一区以及位于第一区上的第二区；位于第一区鳍部表面的第一界面层，所述第一界面层内掺杂有第一极化原子；位于第二区鳍部表面的第二界面层，所述第二界面层内掺杂有第一极化原子和第二极化原子，且所述第一界面层的导电类型和第二界面层的导电类型相同。所述第一界面层调整阈值电压的效果大于第二界面层调整阈值电压的效果，从而平衡由于鳍部顶角处导致的栅极结构的阈值电压的差异，使得最终形成的栅极结构的位于鳍部顶部部分与位于鳍部侧壁部分的阈值电压的差异缩小，从而提高形成的半导体结构的性能。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202010676928.7在审
发明人：金吉松;亚伯拉罕·庾 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2020-07-14 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，其中结构包括：基底，所述基底上具有鳍部，所述鳍部包括第一区以及位于第一区上的第二区；位于第一区鳍部表面的第一界面层，所述第一界面层内掺杂有极化原子，且所述极化原子具有第一浓度；位于第二区鳍部表面的第二界面层，所述第二界面层内掺杂有极化原子，且所述极化原子具有第二浓度，所述第一浓度和第二浓度不同，位于第一区的第一界面层和位于第二区的第二界面层，能够平衡鳍部顶部上的栅极层和鳍部侧壁的栅极层的阈值电压之间的差异，使得最终形成的栅极结构的位于鳍部顶部部分与位于鳍部侧壁部分的阈值电压的差异缩小，从而提高形成的半导体结构的性能。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202010531867.5在审
发明人： 亚伯拉罕·庾;金吉松 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2020-06-11 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底上形成有栅极结构，栅极结构的侧壁上形成有侧墙，栅极结构两侧的基底中形成有源漏掺杂层，栅极结构两侧形成有覆盖源漏掺杂层的底部介质层；形成贯穿源漏掺杂层上方的底部介质层的底部源漏插塞、位于底部源漏插塞顶面的源漏盖帽层、位于栅极结构顶面的栅极盖帽层以及位于栅极盖帽层和源漏盖帽层之间且覆盖侧墙顶面的刻蚀阻挡层；在底部介质层上形成覆盖栅极盖帽层、源漏盖帽层以及刻蚀阻挡层的顶部介质层；形成贯穿源漏盖帽层和顶部介质层且与底部源漏插塞相接触的顶部源漏插塞；形成贯穿栅极盖帽层和顶部介质层且与栅极结构相接触的栅极插塞。本发明实施例有利于提升半导体结构的性能。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202010509211.3在审
发明人：金吉松;亚伯拉罕·庾 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2020-06-07 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；在基底上形成多个沿第一方向延伸且沿第二方向依次排列的导电功能层、位于导电功能层之间基底上的底部介质层、以及位于导电功能层中的阻断结构，阻断结构分割沿第一方向位于阻断结构两侧的导电功能层；形成覆盖底部介质层、导电功能层和阻断结构的顶部介质层；刻蚀位于阻断结构和导电功能层交界位置处上方的顶部介质层、以及位于导电功能层侧壁的部分阻断结构，形成贯穿顶部介质层且露出导电功能层的部分顶部和部分侧壁的通孔；在通孔中填充通孔互连结构，通孔互连结构与导电功能层的部分顶部和部分侧壁相接触。本发明实施例进而有利于提升半导体结构的性能。
半导体结构及其形成方法

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