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[发明专利]形成多重内连线与内金属介电质的连接构造的改良方法-CN00131884.5无效
发明人：林建兴 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2000-10-30 - 公布日： 2004-08-25 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种多重内连线与低K值内金属介电质的装构键结的改良方法。此方法的特徵系于一内连线层上的每一对内连线间形成一渠沟，然后以一氧化介电质填充此一渠沟，以取代未形成渠沟之前，填充于此区域的K值小于3的低K值内金属介电质。此氧化介电质的K值大于此低K值内金属介电质的K值，此氧化介电质有足够的硬度可以承受装构键结下压的力量。因此，可提高多重内连线与低K值内金属介电质之间的结合强度。
形成多重连线金属介电质连接构造改良方法

[发明专利]复合低介电常数的介电结构-CN200410048960.1无效
发明人： A·考利;M·瑙约克;金善渡 -专利权人：因芬尼昂技术股份公司
申请日： 2004-06-09 - 公布日： 2005-02-02 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种用于形成一复合金属间介电结构的方法系加以提供。一起始金属间介电结构系加以提供，且其系包含一第一介电层以及二导线，而该二导线乃位于该第一介电层之中，接着，该第一介电层在该二导线间的部分系加以移除，以形成一沟渠，而该沟渠则被一第二介电材质所填充，并且，该第二介电材质系为一介电常数较该第一介电层之介电常数为低的一低k介电质。
复合介电常数结构

[实用新型]介电质膜高反射镜-CN202222874482.6有效
发明人：吴茂;杨建文 -专利权人：伯恩光学（惠州）有限公司
申请日： 2022-10-28 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： G02B5/08 文献下载
摘要：本实用新型涉及光学薄膜技术领域，具体公开了一种介电质膜高反射镜，包括基底及堆叠设置在基底上并包括交替堆叠设置的若干全介电质低折射率膜层和若干全介电质高折射率膜层的反射膜，全介电质低折射率膜层的折射率小于1.55，全介电质高折射率膜层的折射率大于2，单个全介电质低折射率膜层和单个全介电质高折射率膜层的厚度分别为2‑200nm，反射膜的厚度为1300‑3000nm。上述介电质膜高反射镜采用介电质低折射率膜层和介电质高折射率膜层交替堆叠设置，光束在各膜层界面反射回前表层的光产生相长干涉，反射率提高；各膜层均由全介电质材料成型，不含单质金属层，避免了氧化和受潮问题，延长了介电质膜高反射镜的使用寿命
质膜反射

[发明专利]具有低介电损耗的电介质的制造方法及据此制造的电介质-CN201910958668.X在审
发明人：郑盛允;安志祥 -专利权人：韩国科学技术院
申请日： 2019-10-10 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明涉及一种能够制造因温度导致的介电特性变动窄、不同频率下的介电特性不变、具有低介电损耗的低介电损耗的频率不变的电介质的电介质的制造方法及据此制造的电介质。
具有低介电损耗电介质制造方法据此

[实用新型]软性排线结构-CN201822085771.1有效
发明人：萧心端;郑智峰 -专利权人：贸联国际股份有限公司
申请日： 2018-12-12 - 公布日： 2019-06-25 - 主分类号： H01B7/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种软性排线结构，包含有导体层、第一低介电与阻抗调整粘着层、第一金属隔绝层、第二低介电与阻抗调整粘着层以及第二金属隔绝层。第一低介电与阻抗调整粘着层贴附于导体层的一侧，而第一金属隔绝层贴合于第一低介电与阻抗调整粘着层的表面，第二低介电与阻抗调整粘着层贴附于导体层的另一侧，而第二金属隔绝层贴合于第二低介电与阻抗调整粘着层的表面
阻抗调整粘着层低介金属隔绝软性排线结构导体层本实用新型贴附贴合电磁波干扰需求调整线材阻抗

[发明专利]具有低介电常数介电层的半导体元件的制造方法-CN200510088983.X有效
发明人：郑双铭;叶明灵;包天一;林耕竹 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2005-08-04 - 公布日： 2006-08-09 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种具有低介电常数介电层的半导体元件的制造方法。此方法包括沉积通式为C_xH_y的碳氢化合物层于低介电常数介电层的表面上。根据本发明的实施例，碳扩散进入低介电常数介电层中，因此可降低等离子体处理或蚀刻对低介电常数介电层所造成的伤害。在其它实施例中，则至少包括一种具有低介电常数介电层的半导体元件，其中此低介电常数介电层具有经碳调节的介电区邻近于沟渠侧壁、以及主介电区(Bulk DielectricRegion)。在较佳实施例中，经碳调节的介电区的碳浓度低于主介电区的碳浓度不超过约 5％。
具有介电常数介电层半导体元件制造方法

[发明专利]一种低介电聚酰亚胺、低介电聚酰亚胺薄膜、制备方法及其应用-CN202011442314.9在审
发明人：张步峰;廖波;钱心远 -专利权人：株洲时代华鑫新材料技术有限公司
申请日： 2020-12-08 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： C08G73/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种低介电聚酰亚胺薄膜，包括低介电聚酰亚胺，还包括引入含氟单体与所述低介电聚酰亚胺复合，制备聚酰亚胺基体材料层，再将氟化石墨烯纳米片引入到所述聚酰亚胺材料层内，得到低介电聚酰亚胺薄膜。本发明还提供了该低介电聚酰亚胺薄膜的制备方法及应用。本发明的有益效果在于：减少5G高频下的串扰和信号损耗；具有低热膨胀系数、良好光学性能、出色的耐热及机械性能。
一种低介电聚酰亚胺薄膜制备方法及其应用

[发明专利]氟系聚合物高频基板、覆盖膜和粘结片及其制备方法-CN201910592432.9在审
发明人：何家华;李韦志;杜伯贤;林志铭;李建辉 -专利权人：昆山雅森电子材料科技有限公司;雅森电子材料科技（东台）有限公司
申请日： 2019-07-03 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： H05K1/03 文献下载
摘要：本发明公开了一种氟系聚合物高频基板、覆盖膜和粘结片及其制备方法，氟系聚合物高频基板为单面覆铜基板、FRCC、双面覆铜基板，单面覆铜基板包括铜箔层、低介电胶层、氟系聚合物层和聚酰亚胺层，FRCC包括铜箔层、低介电胶层、氟系聚合物层、聚酰亚胺层和离型层，双面覆铜基板包括铜箔层、低介电胶层、氟系聚合物层和聚酰亚胺层，覆盖膜和粘结片皆包括低介电胶层、氟系聚合物层、聚酰亚胺层和离型层。本发明利用氟系聚合物本身的低Dk/Df特性，搭配具有低Dk/Df的低介电胶层、低粗糙度的铜箔，使成品具低介电损失，有利于高频高速传输。此外利用低介电胶层黏接铜箔及氟系聚合物层，并利用PI膜做为支撑，使基板拥有良好接着强度、低热膨胀系数及高尺寸安定性。
聚合物高频覆盖粘结及其制备方法

[实用新型]氟系聚合物高频基板、覆盖膜和粘结片-CN201921021106.4有效
发明人：何家华;李韦志;杜伯贤;林志铭;李建辉 -专利权人：昆山雅森电子材料科技有限公司;雅森电子材料科技（东台）有限公司
申请日： 2019-07-03 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： H05K1/03 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种氟系聚合物高频基板、覆盖膜和粘结片，氟系聚合物高频基板为单面覆铜基板、FRCC、双面覆铜基板，单面覆铜基板包括铜箔层、低介电胶层、氟系聚合物层和聚酰亚胺层，FRCC包括铜箔层、低介电胶层、氟系聚合物层、聚酰亚胺层和离型层，双面覆铜基板包括铜箔层、低介电胶层、氟系聚合物层和聚酰亚胺层，覆盖膜和粘结片皆包括低介电胶层、氟系聚合物层、聚酰亚胺层和离型层。本实用新型利用氟系聚合物本身的低Dk/Df特性，搭配具有低Dk/Df的低介电胶层、低粗糙度的铜箔，使成品具低介电损失，有利于高频高速传输。此外利用低介电胶层黏接铜箔及氟系聚合物层，并利用PI膜做为支撑，使基板拥有良好接着强度、低热膨胀系数及高尺寸安定性。
聚合物高频覆盖粘结

[发明专利]低介电散热膜用组合物及低介电散热膜-CN202010268080.4在审
发明人：井口洋之;高松纪仁;工藤雄贵;津浦笃司;堤吉弘 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2020-04-08 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： C08L79/08 文献下载
摘要：本发明的技术问题在于提供一种膜用组合物，其提供介电常数低，并且具有高散热性的膜。作为解决上述技术问题的手段，本发明提供一种低介电散热膜用组合物，其包含(A)马来酰亚胺树脂组合物与(B)氮化硼颗粒，所述(A)马来酰亚胺树脂组合物含有(A1)一分子中至少含有2个以上马来酰亚胺基的马来酰亚胺树脂与
低介电散热组合

[发明专利]电阻式随机存取存储器结构及其制造方法-CN201910322816.9在审
发明人：许博砚;吴伯伦;沈鼎瀛 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2019-04-22 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：多个存储器单元及覆盖存储器单元的间隙填充介电层，位于基板上且位于阵列区中。只位于阵列区中的缓冲层覆盖间隙填充介电层，且缓冲层的材料不同于间隙填充介电层的材料。第一低介电常数介电层只位于周边区中，且第一低介电常数介电层的材料不同于缓冲层的材料。第一低介电常数介电层的介电常数小于3。第一低介电常数介电层的顶表面与缓冲层的顶表面共平面。第一导电插塞，穿过缓冲层及间隙填充介电层，且与存储器单元之中的一者接触。
电阻随机存取存储器结构及其制造方法

[发明专利]一种半导体器件的制造方法-CN201310164714.1在审
发明人：周鸣 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-05-07 - 公布日： 2014-11-12 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件的制造方法，包括：在半导体衬底上沉积形成多孔低K材料层的步骤；选用三烷基羟基硅烷对所述多孔低K材料层进行固化处理的步骤。本发明中在沉积形成多孔的低K、超低K介电材料后或者执行完干法蚀刻、湿法清洗之后，通入三甲基羟基硅烷在紫外线（UV）光能照射下对所述超低K介电材料进行处理，其中所述超低K介电材料中的Si-O键和所述三甲基羟基硅烷（hydroxytrimethylsilane）中的羟基发生键合，填充了部分所述低K或者超低K介电材料中的空隙，使低K或者超低K介电材料的空隙减小，进而提高了所述低K或者超低K介电材料中的硬度以及机械加工强度，所述低K或者超低K介电材料的K值偏移（K-shift）性能提高了5-10%，具有非常显著的效果。
一种半导体器件制造方法

[发明专利]一种在低K介电层中形成孔隙的方法-CN201410375184.X在审
发明人：鲍宇 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-07-31 - 公布日： 2014-12-10 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种在低K介电层中形成孔隙的方法，本发明公开了一种形成空气隙的方法，包括如下步骤：步骤S1、提供一顶部具有低K介电层的衬底，且该低K介电层底部设置有一层介电阻挡层，该低K介电层顶部设置有一沟槽，且沟槽内设置有金属结构；步骤S2、对衬底表面做平坦化处理；步骤S3、将一硬质掩模板置于低K介电层的顶部上方，硬质掩膜板设置有若干通孔，且各通孔贯穿硬质掩模板的正面至反面；步骤S4、以设置有若干通孔的硬质掩膜板为刻蚀掩膜，对低K介电层向下进行刻蚀，在低K介电层形成若干孔隙。
一种介电层中形成孔隙方法

[发明专利]一种低介电液晶聚酯组合物及制备方法-CN201911322304.9有效
发明人：金良文 -专利权人：江门市德众泰工程塑胶科技有限公司
申请日： 2019-12-20 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： C08L101/12 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种低介电液晶聚酯组合物及制备方法，该低介电液晶聚酯组合物包括40～90％LCP(A)和10～60％LCP(B)纤维，其中，LCP的熔点≥280℃，介电常数低于3.5，介电损耗正切角低于该低介电液晶聚酯组合物具有良好的流动性能，介电常数低于3.5，介电损耗正切角低于0.002，同时拉伸强度大于150Mpa，满足SMT制程耐温要求。
一种低介电液晶聚酯组合制备方法

[发明专利]一种半导体器件的制造方法-CN201310731501.2在审
发明人：周鸣 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-12-26 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上依次形成蚀刻停止层和多孔低k介电层；在多孔低k介电层中形成铜金属互连结构；在铜金属互连结构的侧壁和底部沉积形成铜金属扩散阻挡层；对半导体衬底实施后处理过程，以修复受到损伤的多孔低k介电层，并提升多孔低k介电层的机械强度；在铜金属互连结构中填充铜金属互连层。根据本发明，在沉积形成铜金属扩散阻挡层之后，对半导体衬底实施后处理过程，可以修复形成铜金属互连结构时受到损伤的多孔低k介电层，提升多孔低k介电层的机械强度，避免器件性能的下降。
一种半导体器件制造方法