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[发明专利]复合层结构的疏水性介电层、其制备方法和电润湿器件-CN201610654050.0有效
发明人：李皓;侯嘉欣;丁文文;周国富 -专利权人：华南师范大学;深圳市国华光电科技有限公司;深圳市国华光电研究院
申请日： 2016-08-10 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： G02B26/00 文献下载
摘要：本发明公开了复合层结构的疏水性介电层、其制备方法和电润湿器件，疏水性介电层包括介电层和设于其上表面的疏水层，疏水层由疏水性聚合物材料制成，介电层含有与疏水层相同的疏水性聚合物材料，介电层的疏水性聚合物材料中掺杂有表面修饰的无机氧化物颗粒，通过设置介电层可以有效提高疏水性介电层的介电常数，从而显著提高了电润湿器件的应用电压，拓展了电润湿器件的应用范围；单独使用介电层作为疏水性介电层，因为引入了无机氧化物颗粒，会影响聚合物材料的高疏水性与低迟滞性，在介电层的上表面设置一层疏水层使得疏水性介电层能保持高疏水性和低迟滞性；而且避免了无机氧化物颗粒与导电流体的直接接触，可提高电润湿器件的稳定性。
复合结构疏水性介电层制备方法润湿器件

[发明专利]低介电玻璃、低介电玻璃的制备方法及Micro LED基板-CN202310168008.8在审
发明人：李青;李赫然;刘丹;胡恒广;闫冬成;张广涛;姚荣江;刘文渊;张盼 -专利权人：河北光兴半导体技术有限公司;东旭科技集团有限公司
申请日： 2023-02-27 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C03C4/16 文献下载
摘要：本公开提供一种低介电玻璃，其包括摩尔百分数如下的各组分：SiO2：57～59.5％；Al2O3的加入以及与其他各原料的摩尔百分数的配比，利用Ti的4价离子强烈吸引网络断键和稳固电子以及电荷的能力，使玻璃内网络致密度增加，电子位移极化和离子位移极化均减小，进而有效降低玻璃介电性能
低介电玻璃制备方法 micro led 基板

[实用新型]芯片封装体-CN200520130020.7无效
发明人：李胜源 -专利权人：威盛电子股份有限公司
申请日： 2005-10-28 - 公布日： 2007-03-21 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：其中，封装基板具有多数个图案化导电层、至少一绝缘层与多数个导电孔道，绝缘层配置于相邻这些图案化导电层之间，且这些图案化导电层之二是藉由这些导电孔道之一而相互电性连接。此外，芯片配置于封装基板上，且与封装基板相电性连接。另外，埋入式电感元件包括一导电螺旋结构与至少一低介电系数区。其中低介电系数区配置于绝缘层中，低介电系数区与导电螺旋结构相邻，且低介电系数区的介电系数小于绝缘层的介电系数。
芯片封装

[发明专利]环氧改性低介电含氟聚苯醚涂层及其制备的高频高速覆铜板-CN202010231891.7有效
发明人：刘锋;陈燕舞;洪丹;叶瑞庭 -专利权人：顺德职业技术学院
申请日： 2020-03-27 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： C08L63/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种环氧改性低介电含氟聚苯醚涂层及其制备的高频高速覆铜板，特点是环氧改性低介电含氟聚苯醚涂层包括低分子量的含氟聚苯醚结构环氧树脂、环氧树脂、稀释剂、固化剂、增韧剂、促进剂、阻燃剂、硅烷偶联剂、本发明提供的环氧改性低介电含氟聚苯醚涂层制备的高频高速覆铜板，具有低介电、高Tg、超低收缩率、低吸水率及易加工特点，可用于5G线路板领域。
改性低介电含氟聚苯醚涂层及其制备高频高速铜板

[发明专利]针对侧壁孔密封及通孔清洁度的互连整合-CN201680034165.8有效
发明人：任河;梅裕尔·B·奈克;迪内士·帕德希;普里扬卡·戴什;巴斯卡·库马;亚历山德罗斯·T·迪莫斯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-05-26 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：提供了一种密封多孔低k介电膜的方法。该方法包含以下步骤：将基板暴露于UV辐射和第一反应气体，其中基板具有限定在基板中的开口特征，开口特征由多孔低k介电层和导电材料所界定，其中多孔低k介电层是含硅和碳材料且使用UV辅助光化学气相沉积而在多孔低k介电层的暴露表面上选择性地形成孔密封层在开口特征中。
针对侧壁密封清洁互连整合

[实用新型]具有复合式叠构的低介电损耗FRCC基板-CN201720026840.4有效
发明人：杜伯贤;李韦志;李建辉;梅爱芹;林志铭 -专利权人：昆山雅森电子材料科技有限公司
申请日： 2017-01-11 - 公布日： 2017-09-12 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有复合式叠构的低介电损耗FRCC基板，从上到下依次包括低轮廓铜箔层、上极低介电胶层、芯层、下极低介电胶层和离型层，其中芯层为聚酰亚胺膜，低轮廓铜箔层为Rz值为0.4‑1.0μm的铜箔层，而且低轮廓铜箔层、上极低介电胶层、芯层和下极低介电胶层所构成接着强度>0.7kgf/cm且吸水率为0.01％‑1.5％的叠构。故本实用新型不但电性良好，而且具备高速传输性、低热膨胀系数、在高温湿度环境下稳定的dk/df性能、超低吸水率、良好的UV镭射钻孔能力、适合高密度组装的低反弹力以及极佳的机械性能。
具有复合式叠构低介电损耗 frcc 基板

[发明专利]一种人构性高介电常数的介电薄膜及其制备方法-CN201810852884.1有效
发明人：吴春亚;以色列·米加;李昀儒 -专利权人：美国麦可松科技有限公司
申请日： 2018-07-30 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种人构性高介电常数的介电薄膜及其制备方法。该介电薄膜包括多个周期性重叠的子薄膜单元，每个单元由低漏电材料的子薄膜与高介电材料的子薄膜重叠构成，每一层子薄膜的厚度均小于1nm；介电薄膜的最底层和最上层均为低漏电材料的子薄膜；低漏电材料和高介电材料的子薄膜均可以采用一种或多种不同材料；当介电薄膜采用多种不同材料时，每个子薄膜单元中，各子薄膜由最底层按漏电流先递增再递减的顺序排列，或按禁带宽度先递减再递增的顺序排列。本发明的人构性高介电常数介电薄膜具有高介电常数和低漏电流，可以用但不限于原子层沉积、化学气相沉积方法在低于300摄氏度的温度下制备而成，满足低温制备的需求。
一种人构性高介电常数薄膜及其制备方法

[发明专利]一种无卤阻燃低介电损耗玻纤增强聚丙烯材料-CN202011413922.7有效
发明人：许宏武;姚跃;陈旭东 -专利权人：广东聚航新材料研究院有限公司
申请日： 2020-12-04 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： C08L23/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种无卤阻燃低介电损耗玻纤增强聚丙烯材料，属于高分子材料技术领域。本发明所述无卤阻燃低介电损耗玻纤增强聚丙烯材料包括以下重量份的组分：聚丙烯树脂35～80份、低介电损耗玻纤10～40份、无卤阻燃剂1～4份；所述低介电损耗玻纤在4～4.5GHz频率下的介电损耗为4×10该产品通过在聚丙烯树脂中加入特定含量的无卤阻燃剂以及特定介电损耗系数的玻纤材料，不仅可有效保留聚丙烯树脂原有的力学机械性能，使材料的介电损耗较低，还提高了材料的热变形温度和阻燃性，满足其在电子产品领域的高使用要求本发明还公开了所述产品的制备方法操作步骤简单，对制备设备要求低，可实现工业化大规模生产。
一种阻燃低介电损耗增强聚丙烯材料

[发明专利]一种低介电性能轻质复合材料及其制备方法-CN202310767725.2在审
发明人：杜加伟;李忠姝 -专利权人：北京霜辰月科技有限公司
申请日： 2023-06-27 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： C08L79/04 文献下载
摘要：本发明属于复合材料技术领域，具体涉及一种低介电性能轻质复合材料及其制备方法。该低介电性能轻质复合材料由预浸料压制而成；所述预浸料包括强化纤维和基体树脂，所述强化纤维为热致液晶聚芳酯纤维；所述基体树脂包括空心玻璃微珠和氰酸酯树脂。该低介电性能轻质复合材料具有密度低、介电常数和介电损耗低、韧性好、抗冲击、吸水率低的优点，适用于飞机隐身结构、高性能雷达罩结构、印刷电路板用材料。
一种低介电性能复合材料及其制备方法

[发明专利]液晶高分子基板及其制备方法-CN202110658009.1在审
发明人：周敏 -专利权人：江西省康利泰信息科技有限公司
申请日： 2021-06-15 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H05K1/03 文献下载
摘要：本发明提供一种液晶高分子基板及其制备方法，该液晶高分子基板包括两层铜箔层以及设于两层铜箔层之间的中间芯层；中间芯层包括至少一层低介电胶层和至少两层LCP层，各低介电胶层贴合连接设于至少两层LCP层之间，位于外侧的低介电胶层与LCP层贴合连接，LCP层背离低介电胶层的表面与铜箔层贴合连接；每层LCP层的厚度为3‑50μm，每层低介电胶层的厚度为5‑125μm，每层铜箔层的厚度为1‑35μm。本发明通过将低介电胶层设置在至少两层LCP层之间构成中间芯层，再将铜箔层设置在LCP层上，使制备得到的液晶高分子基板于高频高速传输时不易造成讯号损失，有利于高频高速传输，且具有较高的接着强度和抗张强度。
液晶高分子及其制备方法

[发明专利]一种使用超低介电材料的半导体制造工艺方法-CN200510029402.5无效
发明人：朱骏 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;上海华虹（集团）有限公司
申请日： 2005-09-02 - 公布日： 2007-03-07 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种使用超低介电材料的半导体制造方法，在每层半导体金属工艺制造完成后，利用化学试剂反应移除金属间的介质材料，重新填入低介电材料，随后在此低介电材料上生长硬掩膜介质材料作为保护层，并制造下一层金属导线，依次重复过程，实现多层金属连线，同时使在金属中的低介电材料不再受到化学机械抛光的损伤，同时也大大降低由刻蚀带来的不利影响，最终成功实现使用超低介电材料的半导体制造工艺。
一种使用超低介电材料半导体制造工艺方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN200710007286.6无效
发明人：张惠林;卢永诚;包天一 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2007-01-25 - 公布日： 2007-09-05 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体结构及其形成方法，该半导体结构包括：一低介电常数介电层；一上盖层，位于该低介电常数介电层上，其中该上盖层包括选自由包括CNx、SiCN、SiCO、SiC及其组合物所组成的族群的一材料；一介层物，位于该低介电常数介电层中；以及一金属导线，位于该低介电常数介电层中并覆盖该介层物，该金属导线实体接触该介层物。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]一种低介电材料-CN201310043987.0在审
发明人：鄞盟松;陈礼君 -专利权人：联茂电子股份有限公司
申请日： 2013-02-04 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： C08L71/12 文献下载
摘要：本发明有关一种低介电材料，包含：(A)40~80重量份的聚苯醚，数目平均分子量Mn=1000~4000，重量平均分子量Mw=1000~7000，及Mw/Mn=1.0~1.8；(B)5~30重量份的双马来酰亚胺；以及(C)5~30重量份的高分子添加剂，其中该低介电材料Dk值:3.75~4.0，Df值:0.0025~0.0045。本发明所提供的低介电材料可应用于半固化胶片或电路基板绝缘层，且具有高Tg、低热膨胀系数、低吸水率及优异介电性能例如介电常数(Dk)及介电损耗（Df）的特性。
一种低介电材料

[发明专利]一种5G天线罩-CN202310190955.7在审
发明人：李成财 -专利权人：广东省亚克迪新材料科技有限公司
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： C08L69/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种5G天线罩，包括以下组分：改性PC树脂、改性ASA树脂、玄武岩纤维、低介电玻璃纤维、具有空心结构的填充物、增韧改性剂、无卤阻燃剂、耐候剂、耐老化稳定剂、紫外线吸收剂和抗菌剂；所述低介电玻璃纤维为柔性低介电玻璃纤维本发明达到了提高介电性能、机械强度和耐候性的技术效果。
一种天线罩

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201811432605.2有效
发明人：高琬贻;柯忠祁 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-11-28 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明的实施例涉及在FinFET器件中形成例如低k栅极间隔件层的低k介电材料的方法。可以使用具有通用化学结构的前体形成低k介电材料，通用化学结构包括键合在两个硅原子之间的至少一个碳原子。可以通过控制介电材料中的碳浓度实现介电材料的目标k值。本发明的实施例还涉及半导体结构及其形成方法。
半导体结构及其形成方法

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