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[发明专利]一种5G用低介电高耐热阻燃聚丙烯复合材料及其制备方法-CN202011581927.0有效
发明人：李其龙;程书文;孙华旭;陆湛泉;姜向新;何浏炜;杨霄云 -专利权人：武汉金发科技有限公司;金发科技股份有限公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： C08L23/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种5G用低介电阻燃聚丙烯复合材料及其制备方法，包含以下重量份的成分：低介电聚丙烯树脂65‑97份、高效溴系阻燃剂1‑10份、低介电空心微粉1‑10份。本发明的一种5G用低介电阻燃聚丙烯复合材料具有低介电、高耐热、阻燃性能优良，良外观的特点，符合5G用阻燃高分子材料要求；其中，高效溴系阻燃剂在燃烧过程中通过溴自由基捕捉摊自由基中止燃烧反应，低介电空心微粉通过降低材料的密度降低材料的介电常数同时，本发明还公开一种所述5G用低介电高耐热阻燃聚丙烯复合材料的制备方法。
一种用低介电高耐热阻燃聚丙烯复合材料及其制备方法

[发明专利]形成多层低介电常数双镶嵌连线的制程-CN02146354.9无效
发明人：涂瑞能 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2002-10-24 - 公布日： 2004-04-28 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种形成多层低介电常数双镶嵌连线的制程，包括沉积具有第一低介电常数的第一介电层于基底上，蚀刻第一介电层，以形成许多双镶嵌通孔穿过第一介电层到达基底，于每个双镶嵌通孔内形成被阻隔层包覆的铜导体塞，回蚀刻第一介电层，以形成许多沟渠介于许多双镶嵌通孔之间，以及旋涂具有小于第一低介电常数的第二低介电常数的第二介电层于许多沟渠内。
形成多层介电常数镶嵌连线

[发明专利]互连结构及其制造方法-CN201611191301.2有效
发明人：吴俊毅;李建勋;周淳朴;薛福隆 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-12-21 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：该方法包括：在衬底中形成开口；在开口中形成低k介电块；在低k介电块中形成至少一个通孔；以及在通孔中形成导体。该互连结构包括衬底、介电块和导体。衬底具有位于其中的开口。介电块位于衬底的开口中。介电块具有位于其中的至少一个通孔。介电块的介电常数小于衬底的介电常数。导体位于介电块的通孔中。
互连结构及其制造方法

[发明专利]一种半导体器件的制造方法-CN201310151401.2有效
发明人：周鸣 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-04-27 - 公布日： 2018-02-06 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括提供半导体衬底，在半导体衬底上形成蚀刻停止层；在所述蚀刻停止层上形成致密低k介电层；在所述致密低k介电层上形成多孔低k介电层。根据本发明，可以增强芯片结构中的多孔低k介电层和蚀刻停止层之间的附着性，从而减轻芯片‑封装相互作用所造成的封装失效。
一种半导体器件制造方法

[发明专利]改善低介电材料层与氮氧化硅层之间介面的方法-CN201710355804.7有效
发明人：杨风波 -专利权人：联芯集成电路制造（厦门）有限公司;联华电子股份有限公司
申请日： 2017-05-05 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开一种改善低介电材料层与氮氧化硅层之间介面的方法，其步骤包含形成一低介电材料层以及在所述低介电(low‑k)材料层上形成与其接触的一氮氧化硅(SiON)层，其中形成所述氮氧化硅层的步骤包含先对所述低介电材料层的表面进行一原位氦处理
改善低介电材料氧化之间介面方法

[发明专利]通过气相化学暴露的低K介电质损伤修复-CN201380039886.4在审
发明人： K·陈;A·T·迪莫斯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2013-05-28 - 公布日： 2015-04-08 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：提供了一种用于修复及降低半导体制造中所使用的低k介电层的介电常数的方法。在一个实施例中，一种修复损伤低k介电层的方法包括使多孔的低k介电层暴露于含乙烯基硅烷的化合物；及可选择地使该多孔的低k介电层暴露于紫外线(UV)固化工艺。
通过化学暴露介电质损伤修复

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201910963679.7在审
发明人：徐朋辉 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2019-10-11 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体结构及其形成方法；形成方法包括：提供基体；在基体正面形成第一图形结构；在第一图形结构的侧壁和远离基体的表面以及基体的正面形成第一介电层；在第一介电层表面形成第一低k介质层，且第一低k介质层远离基体的表面低于第一图形结构远离基体的表面；在第一介电层和第一低k材料表面形成的第二介电层；平坦化第二介电层和部分第一介电层，直至暴露出第一图形化结构且第一低k介质层表面覆盖有第二介电层。上述半导体结构的形成方法通过调整工艺步骤，避免对第一低k介质层侧壁的损伤，保证了第一低k介质层侧壁的形貌，避免了互连结构侧壁形貌不均而产生的漏电现象，提升了器件的性能。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]一种低介电聚酰亚胺、其制备方法及低介电聚酰亚胺薄膜-CN202010424305.0在审
发明人：徐勇;陈坚;汤学妹 -专利权人：南京中鸿润宁新材料科技有限公司
申请日： 2020-05-19 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： C08G73/10 文献下载
摘要：本发明提供的一种低介电聚酰亚胺。本发明还提供了上述高性能低介电聚酰亚胺的制备方法。本发明还提供了一种低介电聚酰亚胺薄膜，包括所述低介电聚酰亚胺、含氟硅氧烷、多孔壳聚糖；其中，含氟硅氧烷的质量为低介电聚酰亚胺质量的1‑2％，多孔壳聚糖为低介电聚酰亚胺质量的0.5‑1％。本发明的聚酰亚胺薄膜，采用特殊的聚酰亚胺大大降低了介电常数，兼具优良的耐热稳定性、高玻璃化转变温度、高透明性以及优异的阻燃性能，同时通过添加含氟硅氧烷、多孔壳聚糖，获得一种具有低介电常数、高耐水性的聚酰亚胺薄膜
一种低介电聚酰亚胺制备方法薄膜

[发明专利]一种高性能低介电聚酰亚胺、其制备方法及高性能低介电聚酰亚胺薄膜-CN201910352222.2在审
发明人：徐勇;陈坚;汤学妹 -专利权人：南京中鸿润宁新材料科技有限公司
申请日： 2019-04-29 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： C08G73/10 文献下载
摘要：本发明提供的一种低介电聚酰亚胺。本发明还提供了上述高性能低介电聚酰亚胺的制备方法。本发明还提供了一种低介电聚酰亚胺薄膜，包括所述低介电聚酰亚胺、含氟硅氧烷、多孔壳聚糖；其中，含氟硅氧烷的质量为低介电聚酰亚胺质量的1‑2％，多孔壳聚糖为低介电聚酰亚胺质量的0.5‑1％。本发明的聚酰亚胺薄膜，采用特殊的聚酰亚胺大大降低了介电常数，兼具优良的耐热稳定性、高玻璃化转变温度、高透明性以及优异的阻燃性能，同时通过添加含氟硅氧烷、多孔壳聚糖，获得一种具有低介电常数、高耐水性的聚酰亚胺薄膜
一种性能低介电聚酰亚胺制备方法薄膜

[发明专利]低介电非晶质二氧化硅粉体及其制造方法、浆料、树脂组合物、预浸料、印刷布线板-CN202310079578.X在审
发明人：糸川肇;田口雄亮;野村龙之介;浦中宗圣 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2023-01-17 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C01B33/18 文献下载
摘要：本发明提供介电损耗角正切非常小的低介电非晶质二氧化硅粉体、表面处理低介电二氧化硅粉体；凝聚少的二氧化硅浆料；能够兼顾拉伸强度和介电损耗角正切的含二氧化硅的树脂组合物；以及含二氧化硅的预浸料和印刷布线板。低介电非晶质二氧化硅粉体，其为使用VMC二氧化硅的低介电非晶质二氧化硅粉体，其中，平均粒径为0.1～1.5μm，比表面积为1.5～20m2/g，碱金属和碱土类金属的合计含量为700ppm以下，硅烷醇量为100ppm以下，比重为2.2，介电损耗角正切在10GHz下为0.0007以下，(40GHz的介电损耗角正切)/(10GHz下的介电损耗角正切)为2.0以下。
低介电非晶质二氧化硅及其制造方法浆料树脂组合预浸料印刷布线

[发明专利]由二种旋涂式介电材料组成的混合式低K互连结构-CN01822901.8有效
发明人： S·M·盖茨;J·C·赫德里克;S·V·尼塔;S·普鲁肖特哈曼;C·S·蒂贝格 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2001-12-10 - 公布日： 2004-08-04 - 主分类号： H01L21/4763 文献下载
摘要：本发明提供一种双镶嵌型的金属布线加低k介电质的互连结构，其中将该导电金属线路与通路孔形成在一混合式低k(介电常数)介电质内，它包含两种旋涂式介电材料，具有不同原子成分，且这两种旋涂式介电材料中至少之一为多孔的这两种应用于构成本发明混合式低k介电质的旋涂式介电材料，各具有一约2.6或更低的介电常数，且该混合结构的各介电材料各以具有从约1.2到约2.2范围内的k值为佳。藉由利用本发明混合式低k介电质，将能够获得对于金属线路电阻(沟槽深度)的优异控制而无须另增成本。可达到此项目的而不必利用掩埋式蚀刻停止层，若存在，则形成在这两种旋涂式介电材料之间。
二种旋涂式介电材料组成混合式互连结构

[发明专利]复合式叠构高频低介电性胶膜及其制造方法-CN201510675883.0在审
发明人：杜伯贤;李韦志;梅爱芹;林志铭 -专利权人：昆山雅森电子材料科技有限公司
申请日： 2015-10-19 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种复合式叠构高频低介电性胶膜及其制造方法，该复合式叠构高频低介电性胶膜主要由一层芯层、两层极低介电胶层和两层接着性胶层复合构成，该复合式叠构高频低介电性胶膜采用双层涂布技术和二次涂布成型的方式制得该复合式叠构高频低介电性胶膜的使用条件为直接粘接CCL基材并加以低温烘干形成FPC板材，起到极佳的接着性、高耐折性、平坦性、柔软性的、高电气特性、机械特性、热力学特性的要求，而且由于该复合式叠构高频低介电性胶膜作为核心能起到增强材料的挺性
复合式叠构高频低介电性胶膜及其制造方法

[发明专利]一种低介电玻纤增强PBT复合材料及其制备方法-CN202010180728.2有效
发明人：苏健新;王湘波;郭丽;周乾桃 -专利权人：深圳市高科塑化有限公司
申请日： 2020-03-16 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： C08L67/02 文献下载
摘要：本发明涉及5G通讯材料技术领域，尤其涉及一种低介电玻纤增强PBT复合材料及其制备方法，该低介电玻纤增强PBT复合材料包括PBT树脂、聚四氟乙烯微粉、填充剂、封端剂、低介电玻纤、抗氧剂、润滑剂。本发明的低介电玻纤增强PBT复合材料在保持玻纤增强PBT材料的强度的前提下，有效地降低了PBT复合材料的介电常数与介电损耗因子，并确保无浮纤等外观缺陷以及制品光泽度，符合ROHS环保标准。本发明的低介电玻纤增强PBT复合材料的制备方法，工艺简单，生产效率高，可规模化生产。
一种低介电玻纤增强 pbt 复合材料及其制备方法

[发明专利]具有提高的透射比和降低的耦合电容的显示电路-CN201510015322.8有效
发明人：野津大辅;山形裕和;大泽裕史;林上智;张世昌;陈右铮 -专利权人：苹果公司
申请日： 2015-01-12 - 公布日： 2018-07-03 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：第一低k介电层可以形成于该钝化层之上。数据线布线结构可以形成于该第一低k介电层之上。第二低k介电层可以形成于该第一低k介电层之上。共用电压电极和相关联的存储电容可以形成于该第二低k介电层之上。该第一低k介电层和第二低k介电层可以由具有基本上相似折射率的材料形成，以使得背光透射比最大化并且可以具有适当厚度从而使得寄生电容负载最小化。
低k介电层透射比薄膜晶体管层薄膜晶体管滤色镜层显示电路耦合电容钝化层寄生电容负载背光布线结构材料形成存储电容共用电压液晶材料数据线折射率最大化最小化电极衬底显示器玻璃关联

[实用新型]显示像素电路和显示像素结构-CN201520020553.3有效
发明人：野津大辅;山形裕和;大泽裕史;林上智;张世昌;陈右铮 -专利权人：苹果公司
申请日： 2015-01-12 - 公布日： 2015-05-27 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：第一低k介电层可以形成于该钝化层之上。数据线布线结构可以形成于该第一低k介电层之上。第二低k介电层可以形成于该第一低k介电层之上。共用电压电极和相关联的存储电容可以形成于该第二低k介电层之上。该第一低k介电层和第二低k介电层可以由具有基本上相似折射率的材料形成，以使得背光透射比最大化并且可以具有适当厚度从而使得寄生电容负载最小化。
显示像素电路结构