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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种半导体器件的制造方法-CN201210476677.3有效
发明人：周鸣 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-11-21 - 公布日： 2017-09-08 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：该方法包括步骤S101提供衬底，在所述衬底上形成低k介电材料层；步骤S102对所述低k介电材料层进行紫外光固化处理；步骤S103对所述低k介电材料层进行氦等离子体处理，并利用四甲基硅烷对所述低k介电材料层进行处理本发明的半导体器件的制造方法，通过在形成低k介电材料层的步骤之后，增加对低k介电材料层进行氦等离子体处理以及四甲基硅烷处理的步骤，抑制了低k介电材料层对水分的吸收，在一定程度上避免了低k介电材料层产生隆起缺陷，提高了形成的低k介电薄膜的良率，进而提高了半导体器件的良率。
一种半导体器件制造方法

[发明专利]低介电橡胶树脂材料及低介电金属基板-CN202110964747.9在审
发明人：廖德超;张宏毅;刘家霖;魏千凯 -专利权人：南亚塑胶工业股份有限公司
申请日： 2021-08-20 - 公布日： 2023-02-10 - 主分类号： C08L71/12 文献下载
摘要：本发明公开一种低介电橡胶树脂材料及低介电金属基板，低介电橡胶树脂材料包括一低介电橡胶树脂组成物及一无机填料，所述低介电橡胶树脂组成物包括5重量百分比至40重量百分比的液态橡胶、20重量百分比至70重量百分比的聚苯醚树脂
低介电橡胶树脂材料金属

[发明专利]栅极间隔件及其形成方法-CN201610560440.1在审
发明人：黄渊圣;陈昭成;李俊鸿;陈华丰;李勃学 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-07-15 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种示例性器件包括在半导体衬底上方延伸的栅极堆叠件，设置在栅极堆叠件的顶面上的硬掩模，位于栅极堆叠件的侧面上的低k介电间隔件。低k介电间隔件的顶部低于硬掩模的上表面。该器件还包括电连接至邻近栅极堆叠件的源极/漏极区的接触件。接触件在低k介电间隔件上方横向地延伸，并且介电材料设置在接触件和低k介电间隔件之间。介电材料比低k介电间隔件对蚀刻具有更高的选择性。
栅极间隔及其形成方法

[发明专利]一种制作半导体器件的方法-CN201310077521.2有效
发明人：周鸣 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-03-11 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种制作半导体器件的方法，包括：在半导体衬底上依次形成第一低k介电层和硬掩膜层；图案化所述第一低k介电层和所述硬掩膜层以形成第一沟槽结构；在所述第一沟槽结构中沉积形成致密的第二低k介电层；移除所述硬掩膜层和所述第二低k介电层高出所述第一沟槽结构的部分；执行固化处理所述第一低k介电层形成多孔的第一低k介电层；在所述第一沟槽结构内的所述第二低k介电层中形成第二沟槽结构。根据本发明的制造工艺可以有效地避免采用干法刻蚀和湿法清洗工艺处理超低k介电层时产生的介电常数（k值）的损伤。
一种制作半导体器件方法

[发明专利]LCP浆料及其制备方法，LCP薄膜及其制备方法-CN202211057251.4在审
发明人：郭建君;虞成城;江煌;陈伟;潘文夏 -专利权人：深圳市信维通信股份有限公司
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： C08J3/11 文献下载
摘要：本发明属于高频材料技术领域，特别涉及一种低介电LCP浆料及其制备方法，LCP薄膜及其制备方法。其中，所述低介电LCP浆料的制备方法包括将可溶的低介电LCP粒料分散在强极性非质子溶剂中，获得低介电LCP浆料的步骤；其中，所述低介电LCP浆料的固含量为6～12％。由本发明所提供的LCP制备方法所制备得到的LCP性质均一且稳定，表面粗糙度较小，且表现出较佳的介电和力学性能。
lcp 浆料及其制备方法薄膜

[发明专利]降低多孔低K膜的介电常数的方法-CN201380036771.X在审
发明人： K·陈;J·徐;K·S·伊姆;A·T·迪莫斯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2013-06-18 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明的实施例一般是关于降低半导体制造中所使用的低k介电质薄膜的介电常数之方法。在一实施例中，一种用于降低低k的含硅介电质薄膜的介电常数(k)的方法包括使多孔的低k的含硅介电质薄膜暴露于氢氟酸溶液，接着使该低k的含硅介电质薄膜暴露于硅烷化作用剂。硅烷化作用剂与该多孔的低k介电质薄膜中的Si-OH官能基反应，以增加低k介电质薄膜中的碳浓度。
降低多孔介电常数方法

[发明专利]集成电路结构的形成方法-CN200710137093.2有效
发明人：刘重希;余振华 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2007-07-24 - 公布日： 2008-07-30 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种集成电路结构的形成方法，包括：形成低介电常数介电层；在该低介电常数介电层之中形成导线；形成自对准介电层，其中该导线以及该自对准介电层在水平地互相邻接；形成空气间隙，该空气间隙水平地邻接该自对准介电层以及该低介电常数介电层；以及在该空气间隙以及该低介电常数介电层上形成蚀刻停止层。
集成电路结构形成方法

[发明专利]介电组合物-CN201110392847.5有效
发明人：吴贻良;Y·王;柳平;胡南星;A·维格勒斯沃斯 -专利权人：施乐公司
申请日： 2011-12-01 - 公布日： 2017-06-06 - 主分类号： H01L51/40 文献下载
摘要：一种电子器件，例如薄膜晶体管，包括衬底和由介电组合物形成的介电层。所述介电组合物包括介电材料和低表面张力添加剂。该低表面张力添加剂使得形成具有更少针孔和更高器件成品率的薄的平滑介电层。在具体实施方案中，所述介电材料包括k较低的介电材料和k较高的介电材料。当沉积时，k较低的介电材料和k较高的介电材料形成分离相。
组合

[发明专利]用于互连工艺中的半导体器件及其制造方法-CN200910196266.7有效
发明人：孙武;张海洋 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-09-22 - 公布日： 2011-04-20 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于互连工艺中的半导体器件，所述半导体器件包括：前端器件层；在所述前端器件层上形成的超低k值介电层；在所述超低k值介电层上形成的低k值介电层，所述超低k值介电层的孔隙率大于所述低k值介电层；在所述低k值介电层形成的钝化层；在所述低k值介电层和所述钝化层中刻蚀形成的用于填充金属的沟槽。根据本发明的半导体器件既能保证低k值介电层带来的降低金属连线之间不利的相互作用或串扰，同时又可以实现介电层作为IMD层具有较高的强度，具有良好的VBD特性和均匀的薄层电阻特性。
用于互连工艺中的半导体器件及其制造方法

[发明专利]低介电材料与多孔隙低介电层的回复方法-CN200510108665.5无效
发明人：陈美玲;陈哲明;赖国智;苏文杰 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2005-10-18 - 公布日： 2007-04-25 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：提供了一种低介电材料的回复方法，是应用于形成有低介电材料的衬底上，此衬底已经过先前工艺，致使低介电材料的介电常数升高。此回复方法的特征在于对低介电材料进行等离子体处理，以降低其介电常数。
低介电材料多孔隙低介电层回复方法

[发明专利]一种低介电特性的含氟聚醚及其制备方法-CN202010356282.4有效
发明人：谢富平;张侃 -专利权人：镇江利德尔复合材料有限公司
申请日： 2020-04-29 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： C08G65/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种低介电特性的含氟聚醚及其制备方法，低介电特性的含氟聚醚使用蒽、对苯醌类化合物、八氟环戊烯为原料制备而成，制备得到的低介电特性的含氟聚醚具有低介电常数和低介电损耗特性，且具有良好的机械性能、优异的热性能，可用于制备低介电聚合物基材料，广泛适用于电子封装、信息通讯以及航空航天等高新技术产业领域。低介电特性的含氟聚醚的制备方法简单、产率高、适合工业化生产。
一种低介电特性含氟聚醚及其制备方法

[发明专利]判断复合介电层质量的方法-CN200910201349.0有效
发明人：李景伦 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-12-17 - 公布日： 2011-06-22 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提出一种判断复合介电层质量的方法，包括下列步骤：在半导体衬底上化学气相沉积复合介电层，所述复合介电层包括一层或者一层以上低介电常数介电层，和一层或者一层以上低介电常数阻挡层，其中，任意一层低介电常数介电层和低介电常数阻挡层的材料都不相同；对所述复合介电层进行干法蚀刻直至露出半导体衬底，形成凹槽结构；对所述凹槽结构的侧壁进行湿法蚀刻，形成刻蚀程度不同的侧壁结构；对所述复合介电层的侧壁结构进行分析，以便判断复合介电层的质量。本发明提出的判断复合介电层质量的方法，可简单有效地判断复合介电层的质量，节省大量时间。
判断复合介电层质量方法

[发明专利]低介电树脂基板-CN202110710093.7在审
发明人：盐原利夫;田口雄亮;糸川肇 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2021-06-25 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： B32B17/02 文献下载
摘要：本发明所要解决的技术问题为，提供一种使用了介电损耗角正切低且拉伸强度优异的石英玻璃布的树脂基板。本发明的解决手段为一种低介电树脂基板，其为有机树脂与实施热处理后的退火石英玻璃布复合化而得到的低介电树脂基板，其特征在于，所述退火石英玻璃布在10GHz下的介电损耗角正切小于0.0010，且布的每单位面积重量
低介电树脂

[发明专利]低介电层叠体-CN202080060744.6在审
发明人：入泽隼人 -专利权人：东洋纺株式会社
申请日： 2020-12-02 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： C09J123/26 文献下载
摘要：课题为提供一种层叠体，具有良好的粘合性、介电特性以及线性膨胀性。
低介电层叠

[发明专利]低介电粘合膜-CN202111316153.3有效
发明人：林亨珍 -专利权人：欧富莱斯有限公司
申请日： 2019-07-12 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： C09J7/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种低介电粘合膜，其中，所述低介电粘合膜包括基材，在所述基材的一面或两面上形成有粘合剂层，所述粘合剂层包括粘合剂树脂组合物，所述粘合剂树脂组合物含有：重均分子量为10000至200000g/mol的聚异丁烯类树脂(A)；重均分子量为300000至700000g/mol的异丁基‑异戊二烯橡胶(B)；增粘剂(C)；3wt％至15wt％的交联剂(D)以及引发剂(E)，所述低介电粘合膜在25℃以下的温度以及
低介电粘合

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