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[发明专利]低介电材料-CN201910318441.9在审
发明人：鄞盟松;陈礼君 -专利权人：联茂(无锡)电子科技有限公司
申请日： 2016-03-23 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： C08L71/12 文献下载
摘要：本发明有关一种低介电材料，包含：(i)5‑50重量份的聚苯醚，数目平均分子量(Mn)＝1000‑4000，重量平均分子量(Mw)＝1000‑7000，及Mw/Mn＝1.0‑1.8；(ii)10‑90重量份的具有烯丙基的液晶高分子，Mn＝1000‑4000，Mw＝1000‑5000，Mw/Mn＝1.0‑1.8；(iii)0.01‑15重量份的双马来酰亚胺树脂；及(iV)0.01‑10重量份的高分子添加剂，其中该低介电材料Dk值:该低介电材料可应用于半固化胶片或电路基板绝缘层，且具有高Tg、低热膨胀系数、低吸水率及优异介电性能例如介电常数(Dk)及介电损耗(Df)的特性。
低介电材料重量份双马来酰亚胺树脂电路基板绝缘层数目平均分子量重量平均分子量低热膨胀系数高分子添加剂半固化胶片液晶高分子低吸水率介电常数介电损耗介电性能聚苯醚烯丙基应用

[发明专利]低介电材料-CN201610167700.9有效
发明人：鄞盟松;陈礼君 -专利权人：联茂电子股份有限公司
申请日： 2016-03-23 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： C08L71/12 文献下载
摘要：本发明有关一种低介电材料，包含：(i)5‑50重量份的聚苯醚，数目平均分子量（Mn）=1000‑4000，重量平均分子量（Mw）=1000‑7000，及Mw/Mn=1.0‑1.8；及(ii)10‑90重量份的具有烯丙基的液晶高分子，Mn=1000‑4000，Mw=1000‑5000，Mw/Mn=1.0‑1.8，其中该低介电材料Dk值:3.4‑4.0，Df值:0.0025‑0.0050。该低介电材料可应用于半固化胶片或电路基板绝缘层，且具有高Tg、低热膨胀系数、低吸水率及优异介电性能例如介电常数(Dk)及介电损耗（Df）的特性。
低介电材料

[发明专利]低k值介电材料沉积设备部件的清洗装置及清洗方法-CN201010022573.6无效
发明人：李景伦 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-01-08 - 公布日： 2011-07-13 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种低k值介电材料沉积设备部件清洗装置及清洗方法，其中低k值介电材料沉积设备部件清洗方法包括：提供多次沉积低k值介电材料后的低k值介电材料沉积设备部件；采用上述的清洗装置对所述低k值介电材料沉积设备部件加热并采用紫外光线处理；对所述低k值介电材料沉积设备部件采用稀释的氢氟酸清洗；对所述低k值介电材料沉积设备部件采用去离子水清洗；烘干所述低k值介电材料沉积设备部件。本发明能够完全去除低k值介电材料的堆积，并且对沉积低介电材料设备的有降低成本及环保再利用效果。
值介电材料沉积设备部件清洗装置方法

[发明专利]动态随机存取存储器电容器及其制备方法-CN202011349123.8在审
发明人：陈卓;王盈智;王士欣 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-11-26 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：其中，DRAM电容器包括介电层，所述介电层包括：高介电材料层；和低介电损耗材料层，设置在所述高介电材料层两侧表面。本发明的DRAM电容器的介电层包括高介电材料层和设置在高介电材料层两侧表面的低介电损耗材料层，高介电材料层可以提高介电层的介电常数，使其具有更好的介电性能；两侧表面设置的低介电损耗材料层可以有效解决高介电材料层的介电损耗，从而实现介电层的高介电常数和低介电损耗的目的。
动态随机存取存储器电容器及其制备方法

[发明专利]集成电路结构-CN200810149643.7有效
发明人：刘中伟;林耕竹;郑双铭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2008-09-16 - 公布日： 2009-10-07 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本发明涉及一种集成电路结构，包括：半导体基底、第一低介电系数材料层、第二低介电系数材料层、第一反射金属垫以及焊垫。第一低介电系数材料层位于半导体基底之上，其中第一低介电系数材料层是一种上方低介电系数材料层。低介电系数材料层直接位于第一低介电系数材料层下方。第一反射金属垫位于第二低介电系数材料层之中，且第一反射金属垫具有浮动电性。焊垫位于第一反射金属垫上方，其中焊垫以及第一反射金属垫是垂直地相互对准。
集成电路结构

[发明专利]形成平坦内金属介电层的方法-CN98116059.X有效
发明人：罗吉进 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 1998-07-15 - 公布日： 2003-03-19 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：一种在导电金属结构上形成平坦内金属介电层的方法包括在导电金属结构上形成衬氧化层；低介电材料层；未固化低介电材料层；未固化硅氧烷层；在未固化硅氧烷层与未固化低介电材料层上实施CMP，CMP停止于固化低介电材料层的表面，因此在导电金属结构的间隔中残留部分未固化低介电材料层；将未固化低介电材料层的残留部分固化；以及在固化低介电材料层与固化后的残留部分上方形成帽盖氧化层。
形成平坦金属介电层方法

[发明专利]一种基于多层高介电材料的超小型介电陶瓷变压器-CN201110343334.5无效
发明人：巩晓阳;杨雷雷;周锋子;李立本 -专利权人：河南科技大学
申请日： 2011-11-03 - 公布日： 2012-03-07 - 主分类号： H01L41/107 文献下载
摘要：一种基于多层高介电材料的超小型介电陶瓷变压器，包括降压模块、绝缘隔离层和外部附属电路，绝缘隔离层包裹在降压模块的外部，降压模块包括交替设置的高介电材料填充层和低介电材料填充层，每一低介电材料填充层都设置在两层高介电材料填充层之间，在高介电材料填充层和低介电材料填充层之间还设有导电金属隔离层，低介电材料填充层两侧的导电金属隔离层分别与变压输出高电位端电极和变压输出低电位端电极连接，降压模块两端的高介电材料填充层的外侧还分别设有与外电源输入高电位端电极和外电源输入低电位端电极连接的导电金属层该装置对介电材料要求低，有效降低原料成本；具有电压输出稳定、工艺简单、结构紧凑、生产成本低廉等显著进步。
一种基于多层高介电材料超小型陶瓷变压器

[实用新型]一种基于多层高介电材料的超小型介电陶瓷变压器-CN201120430600.3有效
发明人：巩晓阳;杨雷雷;周锋子;李立本 -专利权人：河南科技大学
申请日： 2011-11-03 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L41/083 文献下载
摘要：一种基于多层高介电材料的超小型介电陶瓷变压器，包括降压模块、绝缘隔离层和外部附属电路，绝缘隔离层包裹在降压模块的外部，降压模块包括交替设置的高介电材料填充层和低介电材料填充层，每一低介电材料填充层都设置在两层高介电材料填充层之间，在高介电材料填充层和低介电材料填充层之间还设有导电金属隔离层，低介电材料填充层两侧的导电金属隔离层分别与变压输出高电位端电极和变压输出低电位端电极连接，降压模块两端的高介电材料填充层的外侧还分别设有与外电源输入高电位端电极和外电源输入低电位端电极连接的导电金属层该装置对介电材料要求低，有效降低原料成本；具有电压输出稳定、工艺简单、结构紧凑、生产成本低廉等显著进步。
一种基于多层高介电材料超小型陶瓷变压器

[发明专利]多层半导体集成电路结构的制作方法及其电路结构-CN200310117999.X无效
发明人：必兰德拉·N.·阿格沃拉;康拉德·A.·巴瑞勒;郝玛兹德亚·M.·达拉;布莱特·H.·安格尔;迈克尔·莱恩;欧内斯特·莱文;刘晓虎(音译);文森特·迈克格黑;约翰·F.·迈克格雷斯;克耐尔·E.·默里;查瓦哈·P.·纳雅克;杜·B.·恩古耶源;哈扎拉·S.·雷索;托马斯·M.·肖 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2003-11-26 - 公布日： 2004-10-13 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种多层面半导体集成电路(IC)结构包含：第一互连层面，它包括在半导体衬底上的介电材料层，介电材料层包括钝化半导体器件和其下局部互连线的致密材料；多层介电材料互连层，制作在致密介电材料层上，每个介电材料层都包含至少一层低κ值介电材料；以及，在低κ值介电材料层中的一组叠置通路柱，所述这组叠置通路柱的每一个都与一个或多个图形导电结构互连，导电结构包含制作在低κ值介电材料中的悬臂。多个互连层面中每一个的介电层都包括软低κ值介电材料，其中悬臂和叠置通路柱组集成在软低κ值材料内，以增强抗御形成热疲劳断裂的能力。
多层半导体集成电路结构制作方法及其电路

[发明专利]介电组合物-CN201110392847.5有效
发明人：吴贻良;Y·王;柳平;胡南星;A·维格勒斯沃斯 -专利权人：施乐公司
申请日： 2011-12-01 - 公布日： 2017-06-06 - 主分类号： H01L51/40 文献下载
摘要：一种电子器件，例如薄膜晶体管，包括衬底和由介电组合物形成的介电层。所述介电组合物包括介电材料和低表面张力添加剂。该低表面张力添加剂使得形成具有更少针孔和更高器件成品率的薄的平滑介电层。在具体实施方案中，所述介电材料包括k较低的介电材料和k较高的介电材料。当沉积时，k较低的介电材料和k较高的介电材料形成分离相。
组合

[发明专利]一种半导体器件的制造方法-CN201210476677.3有效
发明人：周鸣 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-11-21 - 公布日： 2017-09-08 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：该方法包括步骤S101提供衬底，在所述衬底上形成低k介电材料层；步骤S102对所述低k介电材料层进行紫外光固化处理；步骤S103对所述低k介电材料层进行氦等离子体处理，并利用四甲基硅烷对所述低k介电材料层进行处理本发明的半导体器件的制造方法，通过在形成低k介电材料层的步骤之后，增加对低k介电材料层进行氦等离子体处理以及四甲基硅烷处理的步骤，抑制了低k介电材料层对水分的吸收，在一定程度上避免了低k介电材料层产生隆起缺陷，提高了形成的低k介电薄膜的良率，进而提高了半导体器件的良率。
一种半导体器件制造方法

[发明专利]低介电材料与多孔隙低介电层的回复方法-CN200510108665.5无效
发明人：陈美玲;陈哲明;赖国智;苏文杰 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2005-10-18 - 公布日： 2007-04-25 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：提供了一种低介电材料的回复方法，是应用于形成有低介电材料的衬底上，此衬底已经过先前工艺，致使低介电材料的介电常数升高。此回复方法的特征在于对低介电材料进行等离子体处理，以降低其介电常数。
低介电材料多孔隙低介电层回复方法

[发明专利]低k介电材料-CN200880021971.7无效
发明人：马克·L.F.·菲利普斯;特拉维斯·P.S.·托马斯 -专利权人： SBA材料有限公司
申请日： 2008-06-13 - 公布日： 2010-03-31 - 主分类号： B05D5/12 文献下载
摘要：本发明提供一种形成为溶胶的新型组成的旋涂介电材料，其含有诸如单独的原硅酸酯或与烷基化的原硅酸酯混合的硅源、极性溶剂、水、可以是强酸催化剂的酸催化剂和两性嵌段共聚物表面活性剂，任选地含有有机酸、共溶剂和/本发明还提供制备溶胶的方法、从旋涂介电材料制作并具有所需的电气和机械性能的膜、处理膜以优化膜的电气和机械性能的方法以及在硅、钢或其他表面上沉积膜的方法。
材料

[发明专利]一种阻燃低介电聚丙烯材料及制备方法和应用-CN201910240948.7在审
发明人：陈岭峰;韩志东;谢骋;孙竞;黄凯兵;仇宗来 -专利权人：哈尔滨理工大学;泛亚汽车技术中心有限公司
申请日： 2019-03-27 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： C08L23/12 文献下载
摘要：一种阻燃低介电聚丙烯材料及制备方法和应用，它涉及一种聚丙烯材料及其制备方法。本发明的目的是要解决现有方法制备的绝缘材料的介电性能、阻燃性能、绝缘性能和老化性能不能满足车载以太网导线对绝缘材料的要求的问题。一种阻燃低介电聚丙烯材料由聚丙烯树脂、改性树脂、复合阻燃剂、低介电填料、硅烷偶联剂、有机过氧化物、复合抗氧剂和复合加工助剂制备而成。方法：一、称料；二、制备阻燃低介电功能填料；三、制备功能母料；四、将功能母料和聚丙烯树脂混合，再挤出成型，得到阻燃低介电聚丙烯绝缘材料。一种阻燃低介电聚丙烯材料用于制造车载以太网导线。本发明可获得一种阻燃低介电聚丙烯材料。
低介聚丙烯材料阻燃制备制备方法和应用聚丙烯树脂功能母料绝缘材料以太网聚丙烯绝缘材料复合加工助剂有机过氧化物复合抗氧剂复合阻燃剂硅烷偶联剂改性树脂挤出成型介电性能绝缘性能老化性能阻燃性能电功能称料制造

[发明专利]一种半导体器件的制造方法-CN201310164714.1在审
发明人：周鸣 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-05-07 - 公布日： 2014-11-12 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件的制造方法，包括：在半导体衬底上沉积形成多孔低K材料层的步骤；选用三烷基羟基硅烷对所述多孔低K材料层进行固化处理的步骤。本发明中在沉积形成多孔的低K、超低K介电材料后或者执行完干法蚀刻、湿法清洗之后，通入三甲基羟基硅烷在紫外线（UV）光能照射下对所述超低K介电材料进行处理，其中所述超低K介电材料中的Si-O键和所述三甲基羟基硅烷（hydroxytrimethylsilane）中的羟基发生键合，填充了部分所述低K或者超低K介电材料中的空隙，使低K或者超低K介电材料的空隙减小，进而提高了所述低K或者超低K介电材料中的硬度以及机械加工强度，所述低K或者超低K介电材料的K值偏移（K-shift）性能提高了5-10%，具有非常显著的效果。
一种半导体器件制造方法

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