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[发明专利]一种以珍珠岩为主要原料的低介低膨胀堇青石微晶玻璃材料及其制备方法-CN201510818241.1在审
发明人：于永生;李珍;黄焱球;宋丽;井强山;刘鹏;宋鲁侠 -专利权人：中国地质大学（武汉）;信阳师范学院
申请日： 2015-11-20 - 公布日： 2016-01-27 - 主分类号： C03C10/08 文献下载
摘要：本发明涉及介电陶瓷材料。一种以珍珠岩为主要原料的低介低膨胀堇青石微晶玻璃材料的制备方法，其特征在于它包括以下步骤：(1)以珍珠岩矿为原料，制备微晶玻璃原料；(2)制备的微晶玻璃原料熔融水淬，研磨干燥后得玻璃粉；(3)压制成型制备坯体；(4)热处理：将坯体放入高温炉中升温至850～950℃，升温速率为5～15℃/min，保温6～10h，随炉降温，得到低介低膨胀堇青石微晶玻璃材料。该方法制备的材料具有低介电常数、低介电损耗、低热膨胀系数的特点。
一种珍珠岩主要原料低介低膨胀青石玻璃材料及其制备方法

[发明专利]制备低介材料的组合物-CN03138297.5无效
发明人： B·K·彼得森;J·F·柯纳;S·J·韦格尔;J·E·麦道加尔;T·A·戴斯;T·A·布雷梅;K·D·坎贝尔;M·德维内伊;C·E·拉姆伯格;K·乔德劳迪斯;K·森达克 -专利权人：气体产品与化学公司
申请日： 2003-05-30 - 公布日： 2004-04-07 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：为了在用作例如在层间介电体集成电路中的特性材料时改善性能，已经确认了低介材料和包含该材料的薄膜及其制造方法。在本发明的一个方面，通过控制至少一种气孔源中的环氧乙烷基团的重量％可以改善介电材料的性能。
制备材料组合

[发明专利]一种高导热绝缘层状复合材料及其制备方法-CN201210567802.1有效
发明人：韩媛媛;郭宏;张习敏;尹法章;范叶明;徐骏 -专利权人：北京有色金属研究总院
申请日： 2012-12-24 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： B32B15/04 文献下载
摘要：本发明属于电子技术领域，特别涉及一种高导热绝缘层状复合材料及其制备方法。本发明的高导热绝缘层状复合材料经高导热材料与介电材料焊接而成，该复合材料除具有低密度、高强度、耐磨损、抗腐蚀的优良性能外，还兼具高导热材料导热率高，能够将电子器件中的热量快速散发出去，以及介电材料良好的电绝缘性和低介电系数等性质因此采用焊接的方法将高导热材料与介电材料连接在一起的高导热绝缘层状复合材料用于同时要求具有高热导率、低介电常数、电绝缘性的应用场合。
一种导热绝缘层状复合材料及其制备方法

[发明专利]介电材料组合物及其制备方法和用途-CN201410723031.X有效
发明人：刘鹏波;林长红;邹华维 -专利权人：四川大学
申请日： 2014-12-02 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： C08L63/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种介电材料组合物，它包括以下重量配比的组分：环氧树脂100份、低分子量聚苯醚10份～40份、高分子量聚苯醚5份～25份、固化催化剂1份～5份；所述低分子量聚苯醚的数均分子量为1500～5500本发明介电材料组合物的组分较为简单，热固化后形成半互穿网络结构，有效地改善了聚苯醚和环氧树脂的相容性，具有低介电常数、低介电损耗、高耐热等优良性能；同时，本发明制备介电材料组合物的方法，工艺简单，操作简便，成本较低，非常适合用于制备高性能的介电材料，具有良好的应用前景。
材料组合及其制备方法用途

[发明专利]一种巨介电陶瓷填料/介电弹性体复合材料及制备方法-CN202310398844.5在审
发明人：阮梦楠;刘晓伟;刘志锋;蒋婷婷 -专利权人：天津城建大学
申请日： 2023-04-14 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： C08L9/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种巨介电陶瓷填料/介电弹性体复合材料及制备方法。所述复合材料中巨介电陶瓷填料为A位和B位掺杂钛酸锶钡(BaSrTiO3)，其中介电弹性体复合材料基体材料为天然橡胶、丁腈橡胶、硅橡胶和聚氨酯等。选取天然橡胶、丁腈橡胶、硅橡胶和聚氨酯100份，硫化剂1‑5份，巨介电陶瓷填料5‑20份共混，然后在150‑180℃高温下硫化25‑50分钟，制得介电弹性体复合材料。制得的巨介电陶瓷填料拥有巨介电常数(104‑106)以及低介电损耗(0.002‑0.2)，将其添加到天然橡胶、丁腈橡胶、硅橡胶和聚氨酯中，所制得的复合材料大大提高了介电性能，且在较低电场下获得高电致形变，使得介电弹性体应用范围更加广泛。
一种巨介电陶瓷填料弹性体复合材料制备方法

[发明专利]一种低介电液晶复合材料及其制备方法和应用-CN202110161976.7在审
发明人：王贤文;廖坚良;李培骏;黄文刚;潘宏程;梁军 -专利权人：桂林理工大学;广东优巨先进新材料股份有限公司
申请日： 2021-02-05 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： C08L67/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种低介电液晶复合材料及其制备方法和应用，所述低介电液晶复合材料，按重量份数计，包括组分：液晶聚合物40~70份；聚四氟乙烯25~50份；相容剂2~9份。本发明通过选用特定结构的液晶聚合物，添加特定量聚四氟乙烯，可以显著降低材料的介电常数，同时提高材料的流动性，改善材料的加工性能，制备得到介电常数低于2.5的液晶复合材料，能够满足目前电子电气领域的发展对低介电材料的需求
一种低介电液晶复合材料及其制备方法应用

[发明专利]介电材料的填充和处理方法-CN202180028419.6在审
发明人：尤适;任河;吉田尚美;尼古劳斯·贝基亚里斯;梅裕尔·奈克;马丁·杰·西蒙斯;梁静美;石美仪 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-04-13 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本文的多个实施方式提供了使用可流动化学气相沉积(FCVD)处理而沉积的低k介电层的基于氧的处理。FCVD沉积的低k介电层的基于氧的处理期望地增加了Ebd到装置的电容和可靠性，同时移除了孔隙。蚀刻设置在基板的顶上的金属层，以形成具有顶表面、第一侧和第二侧的一条或多条金属线；在足以减少或消除与一条或多条金属线的氧接触的条件下，在顶表面、第一侧和第二侧的顶上沉积钝化层；在钝化层的顶上沉积足以覆盖一条或多条金属线的厚度的低k介电材料的可流动层；和在足以退火并增加低k介电材料的密度的条件下，使低k介电材料的可流动层与氧接触。
材料填充处理方法

[发明专利]含有负介电层的三明治结构复合材料及其制备方法与应用-CN202310396141.9在审
发明人：刘峣;宋萧婷;张子栋;魏再新;范润华;王俊;解培涛 -专利权人：山东大学
申请日： 2023-04-10 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01G4/06 文献下载
摘要：本发明聚合物基电容器技术领域，涉及复合材料的制备，涉及含有负介电层的三明治结构复合材料及其制备方法与应用。三明治结构为紧密贴合的三层层状结构，依次由第一正介电层、中间负介电层和第二正介电层构成，第一正介电层和第二正介电层的材质为聚偏氟乙烯和氮化硼的复合材料，中间负介电层为聚偏氟乙烯和多壁碳纳米管的复合材料，聚偏氟乙烯和氮化硼的复合材料中氮化硼的含量为5～25wt％，聚偏氟乙烯和多壁碳纳米管的复合材料中多壁碳纳米管的含量为2～40wt％。本发明提供的含有负介电层的三明治结构复合材料，能够在保持高能量密度的同时保持低介电损耗。
含有负介电层三明治结构复合材料及其制备方法应用

[发明专利]一种5G毫米波通信用高透波介电材料及其制备方法-CN201911329051.8在审
发明人：占成武;周东;庄泽峰;朱栋栋;余万里 -专利权人：深圳科创新源新材料股份有限公司
申请日： 2019-12-20 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： C08L71/12 文献下载
摘要：本发明公开一种5G毫米波通信用高透波介电材料及其制备方法。该介电材料，以重量份数计包括如下组分：聚苯醚(PPO)40‑80份、高抗冲聚苯乙烯(HIPS)5‑30份、增韧剂3‑15份、抗氧剂0.1‑1份、阻燃剂5‑20份、光稳定剂0.1‑1份和润滑剂0.1‑1份将各组分按照如上所述的重量份数混合均匀，得到的混合物经熔融挤出造粒，即可得到该介电材料。该介电材料不仅具有良好的加工性能，还具有很好的机械性能，优异的阻燃性，低密度、低介电常数和低介电损耗，即该材料的加工性能、介电性能、阻燃性能以及力学性能之间达到了很好的平衡，并能够满足5G毫米波通信技术的高透波使用要求
一种毫米波通信用高透波介电材料及其制备方法

[发明专利]介电可调微波陶瓷介质材料及其制备方法-CN200910046268.8有效
发明人：翟继卫;张景基 -专利权人：同济大学
申请日： 2009-02-17 - 公布日： 2009-07-29 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明涉及电子材料与器件技术领域，公开了一种介电可调微波陶瓷介质材料及其制备方法，本发明的介电可调微波陶瓷介质材料的成分为：Ba_1-xSr_xTi_{1-本发明的介电可调微波陶瓷介质材料具有致密的微结构、低的介电常数、高的介电可调率和高的Q值，是能被用于可调微波器件的材料。}
可调微波陶瓷介质材料及其制备方法

[发明专利]用于在多级互连结构中形成空气间隙的方法-CN200810169685.7无效
发明人：夏立群;许惠雯;米哈拉·鲍尔西努;石美仪;德里克·R·维迪;伊沙姆·迈’萨德 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2008-10-09 - 公布日： 2009-05-13 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一个实施方式提供了一种用于在半导体结构中形成导电线路的方法，包括：在第一介电层中形成多个沟槽，其中空气间隙将形成在第一介电层中；在沟槽中沉积共形介电阻挡膜，其中共形介电阻挡膜包括低k介电材料，其被构成为用作抵抗在第一介电层中形成空气间隙时使用的湿蚀刻化学试剂的阻挡层；在共形低k介电层上方沉积金属扩散阻挡膜；和沉积导电材料以填充沟槽。
用于多级互连结构形成空气间隙方法

[发明专利]一种高频双面覆铜板及其制备方法与应用-CN201910106336.9有效
发明人：周立 -专利权人：江阴骏驰新材料科技有限公司
申请日： 2019-02-02 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： B32B15/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种高频双面覆铜板，从上至下依次包括铜箔、低Dk和Df绝缘层、热固高频胶复合材料组合物层、低Dk和Df绝缘层、铜箔，所述低Dk和Df绝缘层是低介电高分子复合材料组合物层或低热膨胀系数和低逸散因子的液晶高分子复合材料层；所述低介电高分子复合材料组合物层是由所述低介电高分子复合材料组合物涂布在铜箔表面经过烘烤、熟化形成；所述低热膨胀系数和低逸散因子的液晶高分子复合材料层是由所述低热膨胀系数和低逸散因子的液晶高分子复合材料涂布在铜箔表面经过烘烤本发明提供的高频双面覆铜板厚度可控制、低电性、拉力高。
一种高频双面铜板及其制备方法应用

[发明专利]一种稳定反铁电性的低介电损耗的铌酸钠陶瓷材料的制备方法-CN201510849715.9有效
发明人：侯育冬;朝鲁门;朱满康;郑木鹏 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2015-11-27 - 公布日： 2018-08-28 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：一种稳定反铁电性的低介电损耗的铌酸钠陶瓷材料的制备方法，属于介电陶瓷材料领域。通过该方法实现纯铌酸钠陶瓷中反铁电相的稳定，在100kV/cm的高电场下也没有出现电场诱导的铁电相，同时材料具有低介电损耗(<2％)。稳定反铁电相的确定是通过电性能测试得到。本发明方法简单，能耗低；所制备铌酸钠陶瓷材料具有较稳定的反铁电性和低介电损耗。
一种稳定反铁电性低介电损耗铌酸钠陶瓷材料制备方法

[发明专利]低频低介电损耗的AgTa共掺二氧化钛基介电陶瓷材料及其制备方法-CN201711013960.1有效
发明人：杨祖培;彭惠;梁朋飞;晁小练 -专利权人：陕西师范大学
申请日： 2017-10-26 - 公布日： 2019-12-17 - 主分类号： H01B3/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种低频低介电损耗的AgTa共掺二氧化钛基介电陶瓷材料及其制备方法，该陶瓷材料的通式为(Ag
陶瓷材料低介电损耗介电损耗制备二氧化钛基陶瓷介电陶瓷材料二氧化钛基高介电常数陶瓷电容器温度稳定性参数要求金属元素摩尔分数成品率共掺引入应用

[发明专利]用于减少栅极电阻的接触结构及其制造方法-CN201610192275.9在审
发明人：张家龙;赵治平;陈俊宏;曾华洲;郑价言;庄学理 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2011-10-19 - 公布日： 2016-08-10 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：第一介电层覆盖栅极和S/D区域，第一介电层具有位于S/D区域上的第一接触孔且第一接触插塞由第一材料形成，第一接触插塞与各自的S/D区域连接。第二介电层覆盖第一介电层和第一接触插塞。由第二材料形成的第二接触插塞填充形成在第一介电层和第二介电层中的第二接触孔。第二接触插塞与形成在第二介电层中的栅极和互连结构连接，互连结构与第一接触插塞连接。第二材料与第一材料不同，且第二材料具有比第一材料低的电阻。
用于减少栅极电阻接触结构及其制造方法

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