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[发明专利]二氧化硅纳米层压材料的汽相沉积-CN03809539.4有效
发明人： R·G·戈登;D·豪斯曼;J·贝克尔 -专利权人：哈佛学院院长等
申请日： 2003-03-28 - 公布日： 2005-08-03 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明涉及在固体基材上薄膜沉积用材料与方法。通过含铝化合物与硅烷醇反应，在加热基材上沉积二氧化硅/氧化铝纳米层压材料。纳米层压材料在长宽比大于40∶1的空穴内具有非常均匀的厚度和优良的阶梯覆盖。本发明还涉及尤其通过生产半多孔介电材料用的材料与方法，生产在微电子器件中，在导电体的绝缘中使用的改进多孔介电材料用的材料与方法，其中表面孔隙度显著下降或消除，同时保持内部孔隙度，以维持整个介电材料所需的低还使用本发明，用低k介电材料选择填充窄槽，同时避免任何电介质在沟槽外部的表面上沉积。
二氧化硅纳米层压材料沉积

[发明专利]一种对低介电材料表面进行处理形成光学抗反射层的工艺-CN200410093458.2无效
发明人：朱骏 -专利权人：上海华虹(集团)有限公司;上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2004-12-23 - 公布日： 2005-08-03 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：本发明为一种对低介电材料表面等离子体处理形成光学抗反射层的工艺。本发明中对低介电材料表面进行2～5次等离子体处理，并通过调节处理时间、温度、压力工艺参数，调节表面介质薄膜的折射率、消光系数，从而形成表面抗反射薄膜，取代工业界常规使用的有机、无机抗反射层，大大简化工艺操作而且，在低介电材料表面形成的抗反射薄膜层将会在后续刻蚀、化学机械抛光工艺中移除，这样介电常数将不会变化，仍然具有低介电常数的优势。
一种低介电材料表面进行处理形成光学反射层工艺

[发明专利]一种低介电高强度玻纤增强生物基PA材料及其制备方法-CN201911342408.6在审
发明人：李杰;肖浩;周良霄;蔡青;周文 -专利权人：上海普利特伴泰材料科技有限公司;上海伴泰企业发展中心（有限合伙）;上海普利特复合材料股份有限公司;浙江普利特新材料有限公司
申请日： 2019-12-23 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： C08L77/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种低介电高强度玻纤增强生物基PA材料及其制备方法，由以下按重量份数计的原料组成：生物基PA：20‑80份；玻璃纤维：10‑60份；空心玻璃微珠：1‑20份；偶联剂：0.1‑0.5份；润滑剂本发明的低介电高强度玻纤增强生物基PA材料,以可再生生物基PA为原材料，低介电玻璃纤维和空心玻璃微珠增强改性，材料兼具良好的机械性能，很低的介电常数，可以满足日益发展的信息传输设备需求。
一种低介电高强度增强生物 pa 材料及其制备方法

[发明专利]羧基改性环硅氧烷的制备方法及低介电多孔聚酰胺液晶材料及其制备方法-CN202310114813.2在审
发明人：庄劲松;李联伟;罗振宇;李连明;张政;蔡鹏 -专利权人：江苏久耀新材料科技有限公司
申请日： 2023-02-15 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： C07F7/21 文献下载
摘要：本发明涉及一种羧基改性环硅氧烷的制备方法及低介电多孔聚酰胺液晶材料及其制备方法，该液晶材料由芳香族二元胺、芳香族二元羧酸和羧基改性环硅氧烷三种单体缩聚，然后经两台挤出机分别挤出不发泡表层和超临界发泡芯层该液晶聚合物材料表面层光滑平整，芯层多孔，密度可调，具有低介电常数与介电损耗，同时保持优异的力学性能，能够满足5G技术发展对低介电材料的需求。
羧基改性环硅氧烷制备方法低介电多孔聚酰胺液晶材料及其

[发明专利]一种适用于高频高速的改性低介电PI薄膜及其制备方法-CN202310481862.X在审
发明人：吴兆启 -专利权人：深圳力越新材料有限公司
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C08L79/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用于高频高速的改性低介电PI薄膜及其制备方法，该改性低介电PI薄膜包括聚酰亚胺基础材料和改性剂，其中，所述改性剂包括环氧树脂和含有函数化苯环的聚合物，所述改性剂的比例为0.1‑30wt本发明制备的改性低介电PI薄膜，通过聚酰亚胺基础材料和改性剂加热溶解形成混合溶液，在气氛保护下加热和固化，在基板上形成改性低介电PI薄膜，不仅可以降低PI薄膜的介电常数，而且还可以提高其耐高温性和抗气体击穿性能该薄膜具有低介电常数、低损耗、高温稳定性等特点，能够满足高频高速领域的需求。
一种适用于高频高速改性低介电 pi 薄膜及其制备方法

[发明专利]一种含银的壳核石墨烯基介电弹性复合材料及其制备方法-CN201610937598.6在审
发明人：李风浪;李舒歆 -专利权人：东莞市联洲知识产权运营管理有限公司
申请日： 2016-10-25 - 公布日： 2017-04-19 - 主分类号： C08L7/00 文献下载
摘要：本发明提供一种含银的壳核石墨烯基介电弹性复合材料及其制备方法，该含银的壳核石墨烯基介电弹性复合材料中包括含银的壳核石墨烯填料和橡胶，具体制备方法为将纳米钛酸钡粒子、纳米二氧化钛粒子或者纳米铌镁酸铅粒子高介电陶瓷粒子加入多巴胺水溶液形成聚多巴胺包覆陶瓷颗粒，再将银离子和氧化石墨烯包覆于聚多巴胺包覆陶瓷颗粒表面，经水合肼的氨水还原得到含银的壳核石墨烯陶瓷填料，再与天然橡胶、硅橡胶、丁腈橡胶、丁基橡胶和丙烯酸橡胶混合，硫化，得到含银的壳核石墨烯基介电弹性复合材料本发明的制备方法简单，绿色环保，制备的含银的壳核石墨烯基介电弹性复合材料具有高介电常数、大电致形变、低介电损耗和低弹性模量。
一种石墨烯基介电弹性复合材料及其制备方法

[发明专利]一种用于LFT-D工艺的高流动阻燃PP基料，及低介电低应力无卤阻燃聚丙烯复合材料-CN202010003558.0有效
发明人：涂永鑫;刘雪婷;孙少文;陈景威;费晨洪;王绍杰 -专利权人：万华化学（宁波）有限公司;万华化学集团股份有限公司
申请日： 2020-01-03 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： C08L23/12 文献下载
摘要：工艺生产的高流动无卤阻燃PP基料，其主要原料包括：聚丙烯、无卤阻燃剂、阻燃协效剂、抗氧剂、耐候助剂、润滑剂和相容剂，所述阻燃协效剂包括负载型磷钨酸粉末和改性水滑石；将无卤阻燃PP基料，通过LFT‑D工艺，引入低介电玻璃纤维，制得低介电低应力无卤阻燃聚丙烯复合材料。本发明制备高流动无卤阻燃基料，结合LFT‑D工艺，将低介电基料与低介电玻纤结合起来，相比传统的GMT和PP‑LGF工艺，达到优异性能的同时，实现高阻燃和低介电性能，DK(介电常数)为2.8(2.5GHz)以下，介电损耗(Df)＜3*10‑3(2.5GHz)，未来在5G时代具有广阔的发展前景。
一种用于 lft 工艺流动阻燃 pp 基料低介电低应力聚丙烯复合材料

[发明专利]钛酸锶钡/铌酸锌铋异质结构材料及其制备方法-CN200710121834.8无效
发明人：符汪洋;周岳亮;曹玲柱;汪宏 -专利权人：中国科学院物理研究所;西安交通大学
申请日： 2007-09-14 - 公布日： 2009-03-18 - 主分类号： H01B3/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种钛酸锶钡/铌酸锌铋异质结构材料，包括至少一层钛酸锶钡层和至少一层铌酸锌铋层，其中，所述钛酸锶钡层为锰掺杂的钛酸锶钡层。本发明的钛酸锶钡/铌酸锌铋异质结构材料有机地结合了钛酸锶钡材料的高介电可调性与铌酸锌铋材料的低介电损耗特性，通过使用锰掺杂钛酸锶钡层，以及有目的地调控锰掺杂钛酸锶钡和铌酸锌铋层各自的厚度和生长条件，得到了一种同时具有高介电可调率和低介电损耗特性的锰掺杂钛酸锶钡/铌酸锌铋异质结构材料。
钛酸锶钡铌酸锌铋异质结构材料及其制备方法

[发明专利]一种超轻低介电常数低介电损耗材料及其制备方法-CN201911138811.7在审
发明人：杨桂生;赵亚囡;李兰杰 -专利权人：上海杰事杰新材料（集团）股份有限公司
申请日： 2019-11-20 - 公布日： 2021-05-21 - 主分类号： C08L45/00 文献下载
摘要：本发明属于高分子材料技术领域，公开了一种超轻低介电常数低介电损耗材料及其制备方法。本发明的超轻低介电常数低介电损耗材料由包含以下重量份的组分制成：45～90份的环烯烃共聚物、7～50份的聚丙烯、1～5份的发泡剂、2～10份的增韧剂、0.2～0.6份的抗氧剂和0.2～0.7份的润滑剂。本发明的超轻低介电常数低介电损耗材料的制备方法包括以下步骤：称取：45～90份的环烯烃共聚物、7～50份的聚丙烯、1～5份的发泡剂、2～10份的增韧剂、0.2～0.6份的抗氧剂和0.2～0.7份的润滑剂，经高混机高速混匀，然后将混合料倒入螺杆挤出机中，经螺杆挤出机拉条切粒后与1～5份的发泡剂经高混机高速混匀，然后将混合料倒入螺杆挤出机中，经螺杆挤出机挤出制得超轻低介电常数低介电损耗材料。
一种超轻低介电常数低介电损耗材料及其制备方法

[发明专利]一种低介电损耗高耐候聚丙烯复合材料及其制备方法-CN201611163842.4在审
发明人：杨桂生;赵亚囡;李兰杰 -专利权人：上海杰事杰新材料（集团）股份有限公司
申请日： 2016-12-15 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： C08L23/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种低介电损耗聚丙烯复合材料及其制备方法，其生产原料包括如下组分：55‐77份聚丙烯、1‐3份相容剂、3‐12份玻璃微珠、1‐4份钛白粉、0.5‐1.0份抗氧剂、0.3‐1.0份耐候助剂和15‐30份玻璃纤维；其生产方法包括：将除玻璃纤维之外的各组分混合、拉条和切粒后得到聚丙烯树脂半成品，将玻璃纤维浸渍在熔融的聚丙烯树脂半成品中，拉条和切粒后得到低介电损耗聚丙烯复合材料；本发明的低介电损耗聚丙烯复合材料具有较低的介电损耗
聚丙烯复合材料低介电损耗玻璃纤维聚丙烯树脂拉条切粒制备半成品聚丙烯浸渍玻璃微珠介电损耗力学性能耐候助剂生产原料通信领域抗氧剂耐候性相容剂钛白粉熔融应用生产

[发明专利]一种高温超导电缆用低介电损耗绝缘材料及制备方法-CN201811158801.5有效
发明人：王明洋;杜伯学;李进;侯兆豪;韩晨磊;许然然 -专利权人：天津大学
申请日： 2018-09-30 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： H01B3/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种高温超导电缆用低介电损耗绝缘材料及制备方法。该制备方法包括如下步骤：将厚度为120μm的不锈钢模具预加热至190℃，将聚四氟乙烯滤纸‑聚丙烯薄膜‑聚四氟乙烯滤纸依次叠加，放入已预热的模具中，在1.5MPa压强下热压10分钟后冷却至室温，即得所述高温超导电缆用低介电损耗绝缘材料本发明高温超导电缆用低介电损耗绝缘材料的相对介电常数和介电损耗角均有所下降，局部放电性能增强，击穿电压提高，可以耐受更高的电压，提高了高温超导电缆的运行可靠性。
一种高温超导电缆用低介电损耗绝缘材料制备方法

[发明专利]一种微波旋磁‑介电复合陶瓷材料及其制备方法-CN201510260718.9有效
发明人：刘成;张怀武;苏桦;周廷川 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2015-05-20 - 公布日： 2017-07-11 - 主分类号： H01B3/12 文献下载
摘要：本发明提出了一种微波旋磁‑介电复合陶瓷材料及其制备方法，属于材料技术领域。所述微波旋磁‑介电复合陶瓷材料包括微波旋磁相LZTF和微波介电相LZT，所述微波旋磁相LZTF的质量百分比为35wt％～50wt％，所述微波介电相LZT的质量百分比为50wt％～65wt％，所述微波旋磁相LZTF为Li0.43Zn0.27Ti0.13Fe2.17O4，所述微波介电相LZT为Li2ZnTi3O8。本发明得到的复合材料具有低矫顽力、低铁磁共振线宽、高饱和磁化强度特性，同时兼具低介电常数、高品质因数、低温度系数特性，为LTCC元器件向高频化、宽频化、小型化发展提供了一种有效的解决方案。
一种微波复合陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]低介电损耗环氧树脂复合材料及其制备方法-CN202310047974.4在审
发明人：燕莎;王志民;张伟 -专利权人：陕西黄河新兴设备有限公司
申请日： 2023-01-31 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： C08L63/00 文献下载
摘要：本发明属于树脂复合材料技术领域，涉及一种低介电损耗环氧树脂复合材料及其制备方法，包括以下质量份的各个原料：苯酚型环氧树脂50‑60份、双酚A型氰酸酯树脂5‑10份、双酚F型环氧树脂5‑15份、热塑性树脂本发明提供一种低介电损耗环氧树脂复合材料及其制备方法，具有高的热稳定性、低介电损耗及高的力学强度。
低介电损耗环氧树脂复合材料及其制备方法

[实用新型]一种分层式电磁波透镜-CN202122511982.9有效
发明人：郑洪振;芦永超;孙耀志;李家铎;李涛 -专利权人：广东福顺天际通信有限公司
申请日： 2021-10-19 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01Q15/08 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种分层式电磁波透镜，其特点在于由若干拼接层层叠构成透镜的主体，各拼接层均由低介电常数材料制成，在每相邻的2层拼接层之间均夹置有一介电材料层，各介电材料层包括若干介电微粒，各介电材料层中从其中心至边缘的单位体积内的介电微粒分布是由密集变得越来越稀疏的，主体内的这些介电微粒构成一个立体的透镜体；在所述透镜体内，所有的由内至外方向的单位体积内的介电微粒分布也是由密集变得越来越稀疏的，所述的由内至外方向是指从透镜体的中心区域指向透镜体的边界。
一种分层电磁波透镜

[发明专利]用于倒置型有机发光组件的阴极结构-CN200410084121.5有效
发明人：叶永辉;吴忠帜;陈介伟;林俊良;杨志仁 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2004-10-18 - 公布日： 2006-04-26 - 主分类号： H05B33/20 文献下载
摘要：一种用于倒置型有机发光组件的阴极结构，包括一导电电极层、一有机材料层、一介电材料层以及一金属层；其特征在于所述有机材料层位于导电电极层之上，介电材料层位于有机材料层之上，金属层位于介电材料层之上；这种用于倒置型有机发光组件的阴极结构，可避免使用低功函数、高活性的金属，因此有利于有机发光组件和显示器的制作以及环境稳定性。
用于倒置有机发光组件阴极结构