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[发明专利]一种模拟多孔介质的微流控芯片及其制作方法-CN202311100809.7在审
发明人：秦宁;张颖龙;丁璇;赵培;陈庆霖;胡杰;辛公明;王成伟 -专利权人：山东大学
申请日： 2023-08-29 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： B01L3/00 文献下载
摘要：本发明提出了一种模拟多孔介质的微流控芯片及其制作方法，包括：从下至上依次设置的磁性衬底层及主流道层；所述主流道层的前后两端分别设置有入口流道及出口流道；所述主流道层的中部为主流道空腔，所述主流道层的一侧设置有多孔介质加载口；多孔介质颗粒通过多孔介质加载口引入主流道空腔，并利用磁性衬底层的磁吸力对其进行固定，从而在主流道空腔中形成多孔介质区域。
一种模拟多孔介质微流控芯片及其制作方法

[发明专利]一种显示面板和显示面板的制备方法-CN201911061895.9在审
发明人：宋振;王国英 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2019-11-01 - 公布日： 2020-02-04 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明实施例提供的一种显示面板和显示面板的制备方法，该显示面板包括：衬底层；第一电容基板，所述第一电容基板设置在所述衬底层上；第一介质层，所述第一介质层设置在所述第一电容基板背离所述衬底层的一面；第二电容基板，所述第二电容基板设置在所述第一介质层背离所述第一电容基板的一面；彩膜层，所述彩膜层设置在所述第二电容基板背离所述第一介质层的一侧。
电容基板显示面板介质层衬底层像素电容背离彩膜层发光区制备开口率像素压缩

[发明专利]一种浮栅控制型近红外波段双向记忆的光电存储器及其制备方法-CN202110057215.7有效
发明人：王军;韩兴伟;韩超;韩嘉悦;刘澍锴;范书铭;李浩杰 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-01-15 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L29/788 文献下载
摘要：本发明属于光电存储器领域，具体公开了一种浮栅控制型近红外波段双向记忆的光电存储器及其制备方法，光电存储器包括从下至上依次设置的衬底层、浮栅层、介质层、导电沟道层和金属电极，所述浮栅层材料为富勒烯，用于存储载流子；所述导电沟道层吸收近红外光和提供导电沟道；所述介质层为大带隙绝缘材料，所述介质层与所述浮栅层之间形成势垒，所述介质层(3)与所述导电沟道层(4)之间形成势垒。在所述衬底层(1)和所述源电极(5)之间施加正向的电压时，所述浮栅层(2)中注入电子；在所述衬底层(1)和所述源电极(5)之间施加负向的电压时，所述浮栅层(2)中注入空穴，实现了近红外波段可调制的双向记忆的存储效果
一种控制红外波段双向记忆光电存储器及其制备方法

[发明专利]一种基于柔性电容的应变传感器及其制造和测试方法-CN201610265838.2在审
发明人：秦国轩;刘昊;黄治塬;靳萌萌;党孟娇;王亚楠 -专利权人：天津大学
申请日： 2016-04-25 - 公布日： 2016-07-20 - 主分类号： G01B7/16 文献下载
摘要：一种基于柔性电容的应变传感器及其制造和测试方法，包括衬底，衬底上由下至上依次设置有底层金属极板、SiO介质层和上层金属极板，衬底上还设置有将底层金属极板、SiO介质层和上层金属极板全部覆盖在内的SU_8隔离屏蔽层，SU_8隔离屏蔽层的上端面分别设置有底层金属极板引出端头和上层金属极板引出端头，SU_8隔离屏蔽层内设置有用于底层金属极板与底层金属极板引出端头相连接的底层金属通孔，及用于上层金属极板与上层金属极板引出端头相连接的上层金属通孔
一种基于柔性电容应变传感器及其制造测试方法

[发明专利]半导体芯片上的电感的结构及其制造方法-CN96121645.X无效
发明人：凌沛清(音译) -专利权人：凌沛清(音译)
申请日： 1996-11-15 - 公布日： 2004-09-08 - 主分类号： H01L43/00 文献下载
摘要：该电感电路是在包括衬底层和介质层的半导体芯片上制作的。该电感电路包括被介质层包围的、由高磁敏感的材料(HMSM)构成的电感铁芯。包围电感铁芯的介质层又被导电线环绕，所说导电线包括下导电线、在穿过包围介质层的‘通路’中的导电线和上导电线。利用IC工艺使所说导电线构图。于是电感铁芯、包围电感铁芯的介质层、和环绕导电线构成电感电路，电感电路形成于包括衬底层和介质层的半导体芯片上。
半导体芯片电感结构及其制造方法

[实用新型]一种双向ESD保护器件-CN201921766696.3有效
发明人：张鹏;杨钰琳;宋文龙 -专利权人：启东吉莱电子有限公司
申请日： 2019-10-21 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种双向ESD保护器件，由N+衬底层、P型外延层和N+掺杂层组成的芯片；所述N+衬底层上方设P型外延层，P型外延层上方设N+掺杂层；深隔离槽位于芯片左右两侧，其中靠近芯片中心区域的深隔离槽内设有掺杂的多晶浮岛，隔离介质层介于深隔离槽与正面电极之间，正面电极位于N+掺杂层和隔离介质层上方，背面电极形成于N+衬底层之下。
一种双向 esd 保护器件

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202010642702.5在审
发明人：韩秋华;王艳良 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2020-07-06 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，其中形成方法包括：提供衬底；在衬底上形成鳍部结构，鳍部结构包括交替位于衬底上的第一鳍部层和第二鳍部层，且在最底层的第一鳍部层和第二鳍部层之间具有牺牲层；在衬底上形成横跨鳍部结构的伪栅结构；在伪栅结构两侧的鳍部结构内形成第一凹槽，第一凹槽底部暴露出最底层的第一鳍部层的表面；在第一凹槽侧壁上形成第一侧墙；沿第一凹槽刻蚀最底层的第一鳍部层以及部分厚度的衬底，在最底层的第一鳍部层和衬底内形成第二凹槽；刻蚀去除剩余的最底层的第一鳍部层至暴露出衬底表面；在衬底表面和第二凹槽内形成底部电介质隔离层。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]平面螺旋电感及相应的宽带射频功率放大器内匹配电路-CN202111060838.6在审
发明人：任建伟;丛密芳;李科;李永强;宋李梅;赵发展 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-09-10 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H01L49/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种平面螺旋电感，包括:衬底层；介质层，其形成于所述衬底层上；电感单元，其形成于所述介质层上，形成涡形螺旋线，所述螺旋电感线具有凹槽，本发明在在电感单元上设置凹槽，在不调整平面螺旋电感尺寸的前提下
平面螺旋电感相应宽带射频功率放大器匹配电路

[发明专利]一种双地槽平行微带线90度相位移相器-CN201710245811.1在审
发明人：何进;陈鹏伟;王豪;刘峰 -专利权人：武汉大学
申请日： 2017-04-14 - 公布日： 2017-12-01 - 主分类号： H01Q3/34 文献下载
摘要：本发明涉及毫米波无线通信技术，特别涉及一种双地槽平行微带线90度相位移相器，采用工艺130nm SiGe BiCMOS；包括地金属层和顶层金属层，输入、输出端口，电介质层和衬底层，还包括地金属层中心设置一条底层金属传输线，同时在顶层金属层上设置一条平行对称的顶层金属传输线；底层金属传输线与顶层金属传输线中心设置有180度相位反相器；地金属层上以底层金属传输线中线为轴设置两平行对称沟槽，输入端口与顶层金属传输线和底层金属传输线的左端连接，输出端口与顶层金属传输线和底层金属传输线的右端连接；电介质层包围在地金属层和顶层金属层的底部和外围，衬底层设置于电介质层底部。
一种地槽平行微带 90 相位移相器

[发明专利]一种声光耦合衬底、器件及器件制备方法-CN202210099645.X在审
发明人：欧欣;伊艾伦 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： G02F1/11 文献下载
摘要：本申请公开了一种声光耦合衬底、器件及器件制备方法，其中，一种声光耦合衬底，包括依次层叠设置的衬底层、介质层、声学层和光学层：衬底层的材料包括硅；介质层的材料包括二氧化硅；声学层的材料包括高质量氮化铝，高质量是指在本声光耦合衬底、器件通过直接键合形成，改善了目前利用离子束技术制备硅基碳化硅薄膜的离子损伤的问题，同时实现了硅基高单晶质量的声学器件层和光学器件层的晶圆级异质集成。
一种声光耦合衬底器件制备方法

[发明专利]压力传感器形成方法-CN201410545227.4有效
发明人：郭亮良;郑超;刘国安;刘煊杰 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2014-10-15 - 公布日： 2018-09-07 - 主分类号： G01L1/22 文献下载
摘要：本发明提供一种压力传感器形成方法，包括：提供第一半导体衬底；形成覆盖所述第一半导体衬底表面的绝缘层和覆盖所述绝缘层表面的衬底层；形成覆盖所述衬底层表面的器件层，所述器件层内形成有压阻结构；形成覆盖所述器件层的介质层；形成覆盖所述介质层表面的保护层，所述保护层内形成有连接区；形成贯穿所述保护层和介质层的第一沟槽，所述第一沟槽暴露出压阻结构部分表面；提供具有连接表面的第二半导体衬底，所述连接表面形成有第二沟槽；键合连接所述连接区和连接表面，形成空腔；去除第一半导体衬底，暴露出绝缘层。
压力传感器形成方法

[发明专利]发光二极管管芯的基底结构体及制造基底结构体的方法-CN200510008664.3有效
发明人：胡家琪;骆锦嘉;边树仁 -专利权人：乐清市亿昊科技发展有限公司
申请日： 2005-03-03 - 公布日： 2005-08-17 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明的基底结构体具有衬底、缓冲层和反射镜层，缓冲层设置在衬底上，反射镜层设置在缓冲层上；反射镜层由具有微孔阵列的金属基底层和沉积在金属基底层的表面上及微孔阵列的微孔中的金属反射层组成。该基底结构体的制造方法具有以下步骤：①在衬底上生成缓冲层；②在缓冲层上沉积金属介质层；③在金属介质层上沉积掩膜层；④在金属介质层生成微孔阵列而使金属介质层成为金属基底层，然后用腐蚀剂洗去掩模层；⑤在金属基底层的微孔阵列上沉积银或铝的薄层形成金属反射层
发光二极管管芯基底结构制造方法

[发明专利]压缩式纳米纤维复合介质-CN201180021128.0无效
发明人： L·李;T·B·格林 -专利权人：克拉考公司
申请日： 2011-02-24 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： B01D69/12 文献下载
摘要：本发明涉及用于分离燃料中乳化的游离水的聚结介质，其包括包含衬底层和亲水细纤维层的压缩式复合过滤介质。
压缩纳米纤维复合介质

[发明专利]一种双槽型3D图形叠层掩模衬底结构及其制备方法和外延生长方法-CN201910706284.9在审
发明人：张晓蓉;郑烨琳;冯筱;陈明兰 -专利权人：北京飓芯科技有限公司
申请日： 2019-08-01 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种双槽型3D图形叠层掩模衬底结构及其制备方法和外延生长方法，属于光电子技术领域。该双槽型3D图形叠层掩模衬底结构，包括一衬底，衬底上依次设有底层掩模层、顶层掩模层，顶层掩模层通过介质层与底层掩模层连接；底层掩模层设有周期性分布的底层窗口，顶层掩模层设有周期性分布的顶层窗口；每一个顶层窗口对应两个底层窗口，该两个底层窗口对称分布在其对应的顶层窗口的两侧。本发明同时提供了该衬底结构的制备方法以及基于该结构的外延层生长方法。
一种双槽型图形叠层掩模衬底结构及其制备方法外延生长

[发明专利]一种太赫兹可调偏振波片及调控方法-CN202210743838.4在审
发明人：许士通;曹洪忠;马任德 -专利权人：曲阜师范大学
申请日： 2022-06-27 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： G02F1/133 文献下载
摘要：本发明公开了一种太赫兹可调偏振器及其调控方法，其中，偏振器包括：介质光栅层；封装层；衬底层，设置于所述介质光栅层和所述封装层之间；液晶层，设置于所述衬底层以及所述封装层之间；电场发生件，与所述液晶层连接本发明公开的偏振器将大双折射的液晶材料与介质光栅结合，弥补了介质光栅相位延迟不可调谐的特性，通过外加电场和磁场实现了器件偏振特性的主动可调。
一种赫兹可调偏振调控方法