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[发明专利]一种异质结电势控制绝缘栅双极型晶体管-CN201711481000.8有效
发明人：陈文锁;廖瑞金;李晓玲;蒋玉宇 -专利权人：重庆大学
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种异质结电势控制绝缘栅双极型晶体管，其特征在于：包括SOI衬底、漂移区、阳极区、阴极区和栅极区；所述SOI衬底包括衬底层、介质层和顶层硅；所述衬底层为P型或者N型掺杂的硅材料；所述介质层覆盖于衬底层之上，所述介质层为二氧化硅材料；所述顶层硅覆盖于介质层之上，所述顶层硅为P型或者N型掺杂的硅材料；一种异质结电势控制绝缘栅双极晶体管的导电功能区在顶层硅中形成；所述漂移区贴附于介质层的上方，所述漂移区由N基区构成
一种异质结电势控制绝缘栅双极型晶体管

[发明专利]一种图像传感器及其制备方法-CN201910491174.5在审
发明人：李梦 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司
申请日： 2019-06-06 - 公布日： 2019-10-22 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种图像传感器及其制备方法，包括衬底层和介质层，其中，所述衬底层包括位于浅沟槽隔离之间的光电二极管和电子接收转移模块；所述介质层中远离衬底层的一侧包括反射层，且所述反射层对应光电二极管的区域为平面反射层，对应光电二极管之外的区域为朝向衬底层的凸面反射层。
衬底层反射层光电二极管图像传感器制备光电二极管区域介质层浅沟槽隔离电子接收近红外光量子效率转移模块凸面

[发明专利]基于模块化超构表面和CMOS图像传感器的分子条形码检测法-CN202010482396.3在审
发明人：朱锦锋;李法君;谢奕浓;申家情;刘雪莹 -专利权人：厦门大学
申请日： 2020-05-28 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： G06K7/10 文献下载
摘要：尤其为基于模块化超构表面和CMOS图像传感器的分子条形码检测方法，包括窄带可调谐光源和模块化传感阵列芯片，所述模块化传感阵列芯片的单元结构由CMOS图像层、隔离层、等离激元层组成，所述CMOS图像层由衬底层和COMS像元层组成，所述隔离层由中间介质层和钝化层组成，所述等离激元层由介质衬底层和金属圆片层组成，所述衬底层、COMS像元层、中间介质层、钝化层、介质衬底层、金属圆片层自下而上复合而成。
基于模块化表面 cmos 图像传感器分子条形码检测

[发明专利]一种增强型高电子迁移率晶体管及其制备方法-CN201810585676.X有效
发明人：戚永乐;于洪宇 -专利权人：珠海镓未来科技有限公司
申请日： 2018-06-08 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：该晶体管包括依次层叠的衬底层、沟道层和势垒层；p型栅极，位于势垒层远离衬底层的一侧；阻挡介质层，位于p型栅极远离衬底层的一侧；阻挡介质层为绝缘材料；栅极金属层，位于阻挡介质层远离所述p型栅极的一侧；源极和漏极，源极和漏极位于势垒层远离衬底层的一侧。本发明实施例提供的增强型高电子迁移率晶体管，通过在p型栅极和栅极金属层之间插入阻挡介质层，阻挡介质层可以较大幅度地提高增强型高电子迁移率晶体管的p型栅极的击穿电压，同时提高增强型高电子迁移率晶体管的阈值电压
一种增强电子迁移率晶体管及其制备方法

[发明专利]全息记录介质-CN200510103269.3无效
发明人：宇野和史;手塚耕一;吉川浩宁 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2005-09-20 - 公布日： 2006-06-07 - 主分类号： G11B7/00 文献下载
摘要：全息记录介质包括全息记录层和层叠在全息记录层上的透明衬底层。记录层记录记录光束和参考光束的干涉图案。透明衬底层有面对全息记录层的内表面，并且该表面形成有用于沿规定引导方向引导记录光束和参考光束的追踪区域。追踪区域的反射率比透明衬底层的内表面中的剩余区域的反射率高。
全息记录介质

[发明专利]一种降低高速开关通道金属寄生电容金属结构及制备工艺-CN202310885181.X在审
发明人：吕宇强;鞠建宏;倪胜中 -专利权人：江苏帝奥微电子股份有限公司
申请日： 2023-07-18 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本发明公开了一种降低高速开关通道金属寄生电容金属结构及制备工艺，其中结构包括：包括一开关MOS管、衬底层、第一钝化层、顶层金属层及高分子介质层；所述衬底层上依次设置有所述第一钝化层及所述高分子介质层，所述顶层金属层设置在所述第一钝化层上，且所述开关MOS管设置在所述衬底层上；本发明通过设置增加一层重布线金属层就相当于在现有硅工艺金属中增加了多层金属介质层的效果，可以低成本高效地降低寄生电容，提升高速开关的带宽。
一种降低高速开关通道金属寄生电容金属结构制备工艺

[发明专利]一种半导体器件及制备方法-CN202110991978.9有效
发明人：杨天应 -专利权人：深圳市时代速信科技有限公司
申请日： 2021-08-27 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体器件及制备方法，涉及半导体技术领域，方法包括：通过先在第一介质层上形成底层源场板，使得底层源场板位于栅极金属和漏极金属之间，且底层源场板在衬底的正投影与栅极金属在衬底的正投影不相交；然后在底层源场板上形成第二介质层；在第二介质层上制作与底层源场板连接的互连结构。通过第二介质层以及与底层源场板连接的互连结构，能够有效降低栅源之间的寄生电容，同时，由于底层源场板与栅极金属之间的第一介质层的厚度并未发生变化，因此，也可以保证底层源场板的电场调制作用，从而能够在源场板调制作用和降低栅源之间
一种半导体器件制备方法

[发明专利]具有散热结构的绝缘体上硅衬底硅片及其制成方法-CN201010278735.2有效
发明人：李乐 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2010-09-10 - 公布日： 2011-02-16 - 主分类号： H01L23/36 文献下载
摘要：本发明提出一种具有散热结构的绝缘体上硅衬底硅片，用于在绝缘体上硅衬底上制作器件，绝缘体上硅衬底依次包括衬底层、氧化掩埋层、单晶硅顶层和层间介质层，具有散热结构的绝缘体上硅衬底硅片包括金属接触孔，金属接触孔贯穿层间介质层、单晶硅顶层和氧化掩埋层，与衬底层接触。这种绝缘体上硅衬底硅片的制作方法也一并提出。本发明所揭露的绝缘体上硅衬底硅片，在SOI衬底中形成金属接触孔，消除了氧化掩埋层对于热量的阻挡，增大SOI衬底的导热能力。
具有散热结构绝缘体衬底硅片及其制成方法

[发明专利]一种基于硅通孔的分支耦合器-CN201910868972.5在审
发明人：卢启军;刘阳;尹湘坤;朱樟明;杨银堂 -专利权人：西安电子科技大学昆山创新研究院
申请日： 2019-09-16 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于硅通孔的分支耦合器，所述分支耦合器包括硅衬底层模块、顶层模块和底层模块，所述顶层模块设置在所述硅衬底层模块的上表面，所述底层模块设置在所述硅衬底层模块的下表面；所述硅衬底模块包括贯穿于硅衬底的接地互连柱和信号互连柱，所述接地互连柱外周侧壁设置有接地互连柱介质层，所述信号互连柱的外周侧壁设置有信号互连柱介质层；利用TSV的垂直互连特性，可将分支线耦合器两个相对的1/4波长传输线结构使用垂直TSV互连线实现，其余两个相对的
硅衬底层信号互连接地互连波长传输线分支耦合器底层模块顶层模块外周侧壁硅衬底介质层分支线耦合器垂直互连电路系统结构使用隔离度硅通孔互连线上表面微带线微系统下表面减小三维兼容垂直贯穿

[发明专利]一种显示模组以及显示模组的制备方法-CN202011151894.6有效
发明人：胡跃强;欧香念;段辉高;李苓;宋强;马国斌;徐晓波 -专利权人：深圳珑璟光电科技有限公司;湖南大学;湖南大学深圳研究院
申请日： 2020-10-26 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： G02F1/1343 文献下载
摘要：本发明实施例涉及显示模组技术领域，特别是涉及一种显示模组以及显示模组的制备方法，显示模组包括第一衬底层，所述第一衬底层用于供光入射；第一电极层，叠设于所述第一衬底层，所述第一电极层用于与外部电源连接；若干电介质纳米柱，分布于所述第一电极层；第一光致取向层，叠设于所述若干电介质纳米柱；第二光致取向层；液晶层，设置于所述第一光致取向层和第二光致取向层之间；第二电极层，叠设于所述第二光致取向层，所述第二电极层用于与所述外部电源连接；第二衬底层，叠设于所述第二电极层，所述第二衬底层用于所述光出射。
一种显示模组以及制备方法

[发明专利]垂直磁记录介质、其制造方法及磁存储器件-CN200510070269.8有效
发明人：向井良一 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2005-05-13 - 公布日： 2005-12-14 - 主分类号： G11B5/667 文献下载
摘要：本发明公开了一种包括具有柱状颗粒结构的记录层的垂直磁记录介质，所述柱状颗粒结构具有磁性颗粒的适当的直径分布和均匀排列。所述垂直磁记录介质包括衬底和依次堆叠在衬底上的软磁底层、籽层、底层、记录层、保护膜及润滑层。所述底层包括由Ru或Ru合金形成的粒状晶体和使粒状晶体彼此分开，以至于隔离每个粒状晶体的间隙。在所述底层下面可以提供由Ru或Ru合金形成的连续薄膜。
垂直记录介质制造方法磁存储器

[实用新型]一种可控硅器件-CN201921815377.7有效
发明人：赖首雄;张潘德;蓝浩涛 -专利权人：深圳市德芯半导体技术有限公司
申请日： 2019-10-25 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：本申请属于半导体器件技术领域，提供了一种可控硅器件，其中，衬底层的第一侧设有正面阳极发射区、阴极发射区、绝缘介质层，衬底层的第二侧设有背面阳极发射区，通过在衬底层掺杂铂元素的方式对其少数载流子的寿命进行调节，从而在不改变衬底层的掺杂浓度情况下降低可控硅器件的关断时间，解决了现有的可控硅器件关断时间较长，应用在中高频的开关电路中时存在的关断异常的问题。
一种可控硅器件

[发明专利]一种二维可寻址VCSEL及其制备方法-CN202310028863.9有效
发明人：刘恒;王俊;苗霈;肖垚 -专利权人：苏州长光华芯光电技术股份有限公司
申请日： 2023-01-09 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01S5/42 文献下载
摘要：本申请公开了一种二维可寻址VCSEL及其制备方法，其中二维可寻址VCSEL包括多个发光单元，每个发光单元自下而上依次形成有衬底层、N‑CAP层、N‑DBR层、有源层、P‑DBR层和P‑CAP层，P‑CAP层上表面形成有P面电极和介质膜层，介质膜层向下延伸至衬底层；衬底层设置有导电孔；衬底层下表面向上至导电孔底面形成有N‑金属层。
一种二维寻址 vcsel 及其制备方法

[发明专利]金属栅极的形成方法-CN201410553899.X有效
发明人：毛刚 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2014-10-17 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种金属栅极的形成方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成若干伪栅，每个伪栅包括位于半导体衬底上的底层填充层，位于底层填充层上的刻蚀停止层，位于刻蚀停止层上的顶层填充层；在所述伪栅的侧壁上形成侧墙；形成覆盖所述半导体衬底和侧墙表面的介质层，所述介质层的表面与伪栅的顶部表面齐平；采用第一干法刻蚀工艺去除所述顶层填充层，以刻蚀停止层作为停止层；采用第二干法刻蚀工艺去除所述刻蚀停止层，暴露出底层填充层的表面；采用湿法刻蚀工艺去除所述底层填充层，形成凹槽，所述凹槽暴露出半导体衬底表面；形成填充满凹槽的金属栅极。
金属栅极形成方法

[发明专利]陀螺仪及其制造方法-CN201010200715.3有效
发明人：毛剑宏;韩凤芹;唐德明 -专利权人：江苏丽恒电子有限公司
申请日： 2010-06-11 - 公布日： 2011-12-14 - 主分类号： G01C19/56 文献下载
摘要：本发明提供了一种陀螺仪及其制造方法，该陀螺仪包括：衬底，衬底内具有底层驱动电极和位于底层驱动电极外围的底层测量电极；位于衬底上的介质层，在介质层中具有封闭的空腔；所述空腔内包括：位于衬底上的中心轴；置于衬底上且能围绕中心轴旋转的支撑环位于支撑环外围且与支撑环共中心轴的质量环；连接支撑环和质量环且支撑所述质量环悬置于所述空腔内的悬臂；位于支撑环、质量环和相邻两悬壁之间区域内的弹性部件；覆盖支撑环、质量环、悬臂和弹性部件的顶层驱动电极；连接弹性部件上顶层驱动电极与底层驱动电极的导电插塞
陀螺仪及其制造方法