“介质衬底层”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果1276631个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]MIM电容器及其制备方法-CN201510080421.4有效
发明人：郭海波;唐永进 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2015-02-13 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明的MIM电容器及其制备方法，包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上依次沉积第一底层金属层、第二底层金属层以及介质层，第一底层金属层与第二底层金属层形成下极板；选择性刻蚀介质层以及第二底层金属层，在介质层以及第二底层金属层中形成若干暴露出第一底层金属层的沟槽；沉积顶层金属层，顶层金属层填充沟槽，并覆盖介质层，顶层金属层形成上极板；去除沟槽所在区域内的顶层金属层以及第一底层金属层。本发明中，刻蚀介质层以及第二底层金属层，形成沟槽，顶层金属层填充沟槽，使得第一底层金属层与顶层金属层连接，将第一底层金属层与第二底层金属层中聚集的电荷通过顶层金属层释放掉，从而避免形成的MIM电容器中产生电弧放电缺陷
mim 电容器及其制备方法

[发明专利]一种具有等离子体阵列电极太赫兹光电导天线-CN202310751772.8在审
发明人：贾光瑞;岳梓巍;苗宇航 -专利权人：河南师范大学
申请日： 2023-06-25 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有等离子体阵列电极太赫兹光电导天线，沿光电导天线的信号输入方向到信号输出方向依次为电极层、薄膜介质层、半导体衬底层和透镜，其中透镜位于半导体衬底层下表面，薄膜介质层位于半导体衬底层上表面，电极层位于半导体衬底层上表面紧贴薄膜介质层，电极层包括梯形电极阵列和金属纳米球阵列，梯形电极阵列包括左侧梯形电极阵列和右侧梯形电极阵列，左侧梯形电极阵列和右侧梯形电极阵列结构相同且两者呈镜像对称布置，金属纳米球阵列设置于左侧梯形电极阵列和右侧梯形电极阵列之间的衬底内部。
一种具有等离子体阵列电极赫兹电导天线

[发明专利]一种氧化镓SBD器件及其制备方法-CN202011586805.0在审
发明人：贾涵博;赵浩男;武锦 -专利权人：中国科学院微电子所苏州产业技术研究院
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种氧化镓SBD器件及其制备方法，氧化镓SBD器件包括：欧姆接触金属层，所述欧姆接触金属为金属钛；衬底层，所述衬底层设置在所述欧姆接触金属的面上；外延层，所述外延层设在所述衬底层的远离所述欧姆接触金属层的面上；斜面层，所述斜面层设置在所述外延层的远离所述衬底层的面上；介质层，所述介质层设置在所述斜面层的远离所述外延层的面上；肖特基接触金属层，所述肖特基接触金属层设置在所述介质层的远离斜面层的面上。
一种氧化 sbd 器件及其制备方法

[发明专利]可调谐多波段超窄带电磁波吸收器-CN202010134619.7有效
发明人：钟浩宗;刘晓山;刘桂强;付国兰;潘平平;刘正奇 -专利权人：江西师范大学
申请日： 2020-03-02 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： G02B5/00 文献下载
摘要：所述吸收器由下及上依次设有三层结构，分别是金属衬底层、介质层和超表面结构层，介质层连接于金属衬底层上表面，超表面结构层连接于介质层上表面，其中超表面结构层由周期排列的硅纳米线组成。金属衬底层厚度超过300纳米，可以完全抑制光的传播。电磁波传播到超表面结构层，产生多种模式的共振并与金属衬底层产生耦合共振，产生了多波段超窄带完美吸收。
调谐波段窄带电磁波吸收

[发明专利]低热阻硅基氮化镓微波毫米波器件材料结构及制备方法-CN202010864740.5有效
发明人：张进成;郝璐;刘志宏;刘俊伟;宋昆璐;周弘;赵胜雷;张雅超;张苇杭;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2020-08-25 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L29/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种低热阻硅基氮化镓微波毫米波器件材料结构及制备方法，该器件材料结构包括：硅衬底层(1)；高热导率介质层(2)，位于所述硅衬底层(1)的上表面，且与所述硅衬底层(1)之间形成凹凸不平的第一图案化界面；缓冲层(3)，位于所述高热导率介质层(2)的上表面，且与所述高热导率介质层(2)之间形成凹凸不平的第二图案化界面；沟道层(4)，位于所述缓冲层(3)的上表面；复合势垒层(5)，位于所述沟道层(4)的上表面该低热阻硅基氮化镓微波毫米波器件材料结构中，高热导率介质层与硅衬底层以及缓冲层之间均形成凹凸不平的图案化界面，增大了界面的接触面积，降低了界面热阻，从而减小了器件的热阻，提高了器件的散热性能。
低热阻硅基氮化微波毫米波器件材料结构制备方法

[发明专利]磁记录介质和磁存储装置-CN03822082.2无效
发明人：安东尼·阿简;E.·诺埃尔·阿巴拉 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2003-01-15 - 公布日： 2005-10-12 - 主分类号： G11B5/64 文献下载
摘要：一种磁记录介质，包括衬底、记录磁层和设置在衬底和磁层之间的底层，记录磁层由CoCr合金构成并具有(1120)晶体织构，底层由AlV或AlRuV合金构成。
记录介质存储装置

[发明专利]在全息存储介质中存储数据的结构-CN200780011645.3无效
发明人： F·舒尔曼斯 -专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
申请日： 2007-03-28 - 公布日： 2009-04-22 - 主分类号： G11B7/0065 文献下载
摘要：本发明涉及在全息存储介质中存储数据的结构，包括空间光调制器介质(18)，检测器(20)，全息存储介质(10)，位于空间光调制器介质与全息存储介质之间的第一透镜(22)，以及位于全息存储介质与检测器之间的第二透镜(24)，其中空间光调制器介质的表面与第一透镜的主平面之间的距离对应于第一透镜的焦距，第一透镜的主平面与穿过全息存储介质的参考平面之间的距离对应于第一透镜的焦距，其中穿过全息存储介质的参考平面与第二透镜的主平面之间的距离对应于第二透镜的焦距，第二透镜的主平面与检测器的感光面之间的距离对应于第二透镜的焦距，其中全息存储介质包括处于第一衬底层与第二衬底层之间的全息记录层，其中第一衬底层的厚度与第二衬底层的厚度不同，并且其中穿过全息存储介质的参考层并不穿过全息记录层
全息存储介质数据结构

[发明专利]一种消除热应力的TSV结构-CN201810774674.5在审
发明人：詹望 -专利权人：河南汇纳科技有限公司
申请日： 2018-07-13 - 公布日： 2018-12-04 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种消除热应力的TSV结构，包括硅衬底层，其特征在于：所述硅衬底层上下侧均设置有绝缘的二氧化硅层，所述硅衬底层设置有贯穿硅衬底层的铜柱，所述铜柱侧面与硅衬底层之间设置有空气间隙，所述铜柱上下两端连接铝基片；本发明利用环形空气缝替代通常的二氧化硅作为TSV的铜柱与硅衬底的绝缘层，在铜柱高温变形时，空气间隙为铜柱的膨胀提供了自由变形区，使铜柱不再挤压硅衬底，同时能够有效降低二氧化硅介质层的应力作用区间。
铜柱硅衬底层空气间隙硅衬底热应力绝缘层二氧化硅介质层二氧化硅层二氧化硅高温变形环形空气上下两端铜柱侧面应力作用自由变形铝基片绝缘挤压膨胀贯穿替代

[发明专利]具有宽光谱响应的硅探测器结构及其制作方法-CN201110256554.4无效
发明人：刘德伟;黄永光;朱小宁;王熙元;马丽;朱洪亮 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2011-09-01 - 公布日： 2011-12-21 - 主分类号： H01L31/101 文献下载
摘要：一种具有宽光谱响应的硅探测器结构，包括：一n型硅基衬底层，其表面有一圆形凹槽；一二氧化硅介质掩蔽层，形成于n型硅基衬底层表面圆形凹槽的周边，中间为环形结构；一p型参杂层，位于n型硅基衬底层的圆形凹槽内；一正面接触电极，制作在二氧化硅介质掩蔽层环形结构的内壁及覆盖部分环形结构表面的边缘，形成环状结构；一增透膜层，制作在正面接触电极的环状结构内，并覆盖p型参杂层的表面；一广谱吸收黑硅层，制作在n型硅基衬底层的背面；一介质钝化层，该介质钝化层为点状，形成在广谱吸收黑硅层的表面；一背面接触电极，制作在广谱吸收黑硅层的表面并覆盖点状的介质钝化层。
具有光谱响应探测器结构及其制作方法

[发明专利]等离子显示面板的制造方法-CN201180015696.X无效
发明人：武田英治;辻田卓司;桥本润;后藤真志 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2011-03-16 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： H01J9/02 文献下载
摘要：包括含有金属氧化物的衬底层和、分散配置在衬底层上的凝集粒子的等离子显示面板的制造方法包括以下工艺。在电介质层上形成衬底层。接着，在衬底层上涂布第1有机溶剂，从而形成第1涂布层。接着，加热第1涂布层及第2涂布层，从而使第1有机溶剂及第2有机溶剂蒸发，且在衬底层上分散配置凝集粒子。
等离子显示面板制造方法

[发明专利]一种深耗尽的图像传感器像素单元结构及制作方法-CN201910800477.0在审
发明人：顾学强;李梦;孙德明 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司
申请日： 2019-08-28 - 公布日： 2019-12-06 - 主分类号： H01L21/761 文献下载
摘要：本发明公开了一种深耗尽的图像传感器像素单元结构，包括：埋设于P^‑硅衬底中的介质绝缘层，设于所述P^‑硅衬底中并位于所述介质绝缘层上方的P阱，设于所述P^‑硅衬底中并位于所述P阱一侧的光电二极管，设于所述介质绝缘层下方的所述P^‑硅衬底背面上的P⁺⁺注入衬底层；其中，通过所述介质绝缘层对所述P阱和所述P⁺⁺注入衬底层进行完全的物理隔离，以阻断漏电通路，避免了漏电的产生，从而提升了图像传感器的性能。
介质绝缘层硅衬底衬底层图像传感器像素光电二极管图像传感器单元结构漏电通路物理隔离漏电耗尽埋设背面

[发明专利]铁电晶体管结构及其制备方法-CN202211704312.1在审
发明人：罗军;陈博涵;许静 -专利权人：中国科学院微电子研究所;广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明提供一种铁电晶体管结构及其制备方法，铁电晶体管结构包括：底层衬底；位于底层衬底的表面，且沿背离底层衬底方向依次设置的铁电层、绝缘介质层和顶层衬底；位于顶层衬底上的场效应晶体管；以及，贯穿顶层衬底并与铁电层电连接的控制电极
晶体管结构及其制备方法

[发明专利]一种带有衬底埋层的半导体装置及其制造方法-CN201610890158.X在审
发明人：陈文锁;欧宏旗;钟怡;杨婵;张培健;刘建 -专利权人：重庆中科渝芯电子有限公司
申请日： 2016-10-12 - 公布日： 2018-04-20 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种带有衬底埋层的半导体装置及其制造方法，其特征在于，包括重掺杂第一导电类型衬底层、轻掺杂第一导电类型外延层、第二导电类型保护环区、第一导电类型衬底埋层和场介质层。所述第一导电类型衬底埋层覆盖于重掺杂第一导电类型衬底层之上的部分表面。所述轻掺杂第一导电类型外延层覆盖于第一导电类型衬底埋层之上。所述轻掺杂第一导电类型外延层还覆盖于重掺杂第一导电类型衬底层之上的部分表面。所述第二导电类型保护环区覆盖于轻掺杂第一导电类型外延层之上的部分表面。所述场介质层覆盖于轻掺杂第一导电类型外延层之上的部分表面。
一种带有衬底半导体装置及其制造方法

[实用新型]一种带有衬底埋层的半导体装置-CN201621117053.2有效
发明人：陈文锁;欧宏旗;钟怡;杨婵;张培健;刘建 -专利权人：重庆中科渝芯电子有限公司
申请日： 2016-10-12 - 公布日： 2017-07-11 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种带有衬底埋层的半导体装置，其特征在于，包括重掺杂第一导电类型衬底层、轻掺杂第一导电类型外延层、第二导电类型保护环区、第一导电类型衬底埋层和场介质层。所述第一导电类型衬底埋层覆盖于重掺杂第一导电类型衬底层之上的部分表面。所述轻掺杂第一导电类型外延层覆盖于第一导电类型衬底埋层之上。所述轻掺杂第一导电类型外延层还覆盖于重掺杂第一导电类型衬底层之上的部分表面。所述第二导电类型保护环区覆盖于轻掺杂第一导电类型外延层之上的部分表面。所述场介质层覆盖于轻掺杂第一导电类型外延层之上的部分表面。
一种带有衬底半导体装置

[发明专利]一种微机电系统传感器及电子设备-CN202210590065.0在审
发明人：朱恩成;陈磊;张强;王栋杰;丁凯文;胡洪 -专利权人：青岛歌尔智能传感器有限公司
申请日： 2022-05-26 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H04R19/00 文献下载
摘要：所述微机电系统传感器包括衬底层、第一电极层和支撑层，所述支撑层设置于所述第一电极层和所述衬底层之间，以使所述第一电极层与所述衬底层之间形成悬空间隙。本公开实施例的一个技术效果在于，通过设置所述支撑层于所述第一电极层和所述衬底层之间，以形成悬空间隙。在提高所述第一电极层和所述衬底层之间的距离的同时，也使减小了介质介电常数ε，从而增加了整个传感器有效电容的输出。
一种微机系统传感器电子设备