“D·H·威尔士”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果5个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]三维存储器阵列的密集墩-CN202310295281.7在审
发明人： S·W·鲁塞尔;E·瓦雷西;D·H·威尔士;P·凡蒂尼;L·弗拉汀 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2023-03-23 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H10B41/42 文献下载
摘要：本申请案涉及用于三维存储器阵列的密集墩。在一些实例中，存储器装置可包含与由沉积在衬底上方的交替材料层形成的特征接触而形成的墩结构。例如，存储器装置可包含第一材料与第二材料的交替层。在一些实例中，所述交替层可形成为一对交错的梳状结构。墩结构可形成为与横截面图案接触，并且可提供对剩余材料的横截面图案的机械支撑。在一些实例中，所述墩可进一步充当所述存储器装置的存储器单元或其它特征之间的分离器。例如，所述墩可延伸到所述交错梳状结构的至少一部分中，并且因此可在随后的材料沉积期间充当势垒。
三维存储器阵列密集

[发明专利]集成组合件和形成集成组合件的方法-CN202180051701.6在审
发明人： D·H·威尔士;A·R·威尔逊;P·泰萨里欧 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-08-03 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H10B41/20 文献下载
摘要：一些实施例包含一种集成组合件，其具有第一叠组，所述第一叠组具有布置在彼此上下安置的第一层次中的第一存储器单元；并且具有第二叠组，所述第二叠组在所述第一叠组之上且具有布置在彼此上下安置的第二层次中的第二存储器单元。单元材料支柱穿过所述第一叠组和所述第二叠组。所述单元材料支柱具有同所述第一叠组与所述第二叠组之间的边界相关联的第一叠组间拐曲部。所述单元材料支柱布置在包含第一存储器块区和第二存储器块区的配置内。面板在所述第一存储器块区与所述第二存储器块区之间。所述面板具有同所述第一叠组与所述第二叠组之间的所述边界相关联的第二叠组间拐曲部。一些实施例包含形成集成组合件的方法。
集成组合形成方法

[发明专利]包含阶梯结构的微电子装置，及相关存储器装置、电子系统及方法-CN202211090658.7在审
发明人： D·H·威尔士;R·J·希尔;U·M·梅奥托;M·托鲁姆 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-09-01 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10B41/35 文献下载
摘要：本申请案涉及包含阶梯结构的微电子装置，及相关存储器装置、电子系统及方法。所述微电子装置包括上覆于源极层阶的堆叠结构。所述堆叠结构包括布置成层阶的导电结构及绝缘结构的竖直交替序列。所述微电子装置包括：阶梯结构，其在所述堆叠结构内且具有包括所述层阶的横向边缘的台阶；支撑结构，其竖直延伸穿过所述堆叠结构且在所述阶梯结构的水平区域内；及导电接触件，其竖直延伸穿过所述堆叠结构且水平相邻于所述阶梯结构的所述水平区域内的所述支撑结构。所述导电接触件中的每一者具有在所述阶梯结构的所述台阶中的一者处与所述堆叠结构的所述导电结构中的一者接触的水平突出部分。
包含阶梯结构微电子装置相关存储器电子系统方法

[发明专利]包含块之间的不同介电结构的存储器装置-CN202210028544.3在审
发明人： P·泰萨里欧;D·H·威尔士;U·M·梅奥托 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-01-11 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：一些实施例包含设备和形成所述设备的方法。所述设备中的一个包含：导电材料层级，其与介电材料层级交错；存储器单元串，其包含延伸穿过所述导电材料层级和所述介电材料层级的相应柱；第一介电结构，其形成于穿过所述导电材料层级和所述介电材料层级的第一狭缝中；第二介电结构，其形成于穿过所述导电材料层级和所述介电材料层级的第二狭缝中；所述第一介电结构和所述第二介电结构将所述导电材料层级、所述介电材料层级和所述柱分离成单独部分，且所述第一介电结构和所述第二介电结构包含不同宽度。
包含之间不同结构存储器装置

[发明专利]形成半导体装置的方法及相关半导体装置及系统-CN201911127003.0在审
发明人： D·A·克朗皮特;D·H·威尔士;J·D·霍普金斯;K·Y·泰特斯 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-11-18 - 公布日： 2020-05-29 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本申请案涉及形成半导体装置的方法以及相关半导体装置及系统。形成半导体装置的方法包括在材料上形成牺牲结构及支撑柱。在牺牲结构及支撑柱上方形成层级，且形成层级柱及层级开口以暴露牺牲结构。层级开口的一或多者包括大于其它层级开口的临界尺寸。移除牺牲结构以形成空腔。在层级柱的侧壁、空腔及一或多个层级开口上方形成单元膜。在层级开口中邻近单元膜形成填充材料，并从其它层级开口移除一部分以形成邻近最上层级的凹槽。从一或多个层级开口移除大致所有填充材料。在凹槽及一或多个层级开口中形成掺杂多晶硅材料。在凹槽中及在一或多个层级开口中形成导电材料。在狭缝区中形成开口且在开口中形成电介质材料。还揭示额外方法、半导体装置及系统。
形成半导体装置方法相关系统