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[发明专利]包含阶梯结构的微电子装置，及相关存储器装置、电子系统及方法-CN202211090658.7在审
发明人： D·H·威尔士;R·J·希尔;U·M·梅奥托;M·托鲁姆 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-09-01 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10B41/35 文献下载
摘要：本申请案涉及包含阶梯结构的微电子装置，及相关存储器装置、电子系统及方法。所述微电子装置包括上覆于源极层阶的堆叠结构。所述堆叠结构包括布置成层阶的导电结构及绝缘结构的竖直交替序列。所述微电子装置包括：阶梯结构，其在所述堆叠结构内且具有包括所述层阶的横向边缘的台阶；支撑结构，其竖直延伸穿过所述堆叠结构且在所述阶梯结构的水平区域内；及导电接触件，其竖直延伸穿过所述堆叠结构且水平相邻于所述阶梯结构的所述水平区域内的所述支撑结构。所述导电接触件中的每一者具有在所述阶梯结构的所述台阶中的一者处与所述堆叠结构的所述导电结构中的一者接触的水平突出部分。
包含阶梯结构微电子装置相关存储器电子系统方法

[发明专利]包含块之间的不同介电结构的存储器装置-CN202210028544.3在审
发明人： P·泰萨里欧;D·H·威尔士;U·M·梅奥托 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-01-11 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：一些实施例包含设备和形成所述设备的方法。所述设备中的一个包含：导电材料层级，其与介电材料层级交错；存储器单元串，其包含延伸穿过所述导电材料层级和所述介电材料层级的相应柱；第一介电结构，其形成于穿过所述导电材料层级和所述介电材料层级的第一狭缝中；第二介电结构，其形成于穿过所述导电材料层级和所述介电材料层级的第二狭缝中；所述第一介电结构和所述第二介电结构将所述导电材料层级、所述介电材料层级和所述柱分离成单独部分，且所述第一介电结构和所述第二介电结构包含不同宽度。
包含之间不同结构存储器装置

[发明专利]包含分层级堆叠的微电子装置及相关电子系统及方法-CN202111548304.8在审
发明人：福住嘉晃;藤木润;M·J·金;S·古普塔;P·泰萨里欧;K·什鲁蒂;白桂鉉;K·A·里特尔;田中秋二;U·M·梅奥托;R·J·希尔;M·霍兰 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本申请案涉及包含分层级堆叠的微电子装置以及相关电子系统及方法。一种微电子装置包括：堆叠结构，其包括布置在层级中的导电结构与绝缘结构的竖直交替序列，所述堆叠结构划分为通过狭槽结构彼此分离的块结构；存储器单元串，其竖直延伸穿过所述堆叠结构的所述块结构，所述存储器单元串个别地包括竖直延伸穿过所述堆叠结构的沟道材料；额外堆叠结构，其竖直上覆在所述堆叠结构上且包括布置在额外层级中的额外导电结构与额外绝缘结构的竖直序列；第一支柱，其延伸穿过所述额外堆叠结构且竖直上覆在所述存储器单元串上，所述第一支柱中的每一者从对应存储器单元串的中心水平偏移；第二支柱，其延伸穿过所述额外堆叠结构且竖直上覆在所述存储器单元串上；及额外狭槽结构，其包括介电材料，所述介电材料延伸穿过所述额外堆叠结构的至少一部分且将所述块结构中的每一者细分为子块结构，所述额外狭槽结构水平相邻于所述第一支柱。还描述了相关微电子装置、电子系统及方法。
包含层级堆叠微电子装置相关电子系统方法

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