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[发明专利]一种氮化物半导体外延结构-CN202310335179.5在审
发明人：蔡长祐;胡智威;蔡清富;陈威佑 -专利权人： 南京百识电子科技有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化物半导体外延结构，要解决的是现在氮化镓功率器件的功率损耗问题，本结构涉及氮化物半导体外延结构技术领域，包含衬底，在所述衬底上依次设有成核层、过渡层、复合缓冲层、顶氮化镓层、被覆层，镁参杂层；还包含设置在铝鎵氮层(AlGaN‑Barrier)与镁参杂层(p‑GaN)之间的低温铝氮层(LT‑AlN)，所述低温铝氮层用于减少镁原子往铝鎵氮层AlGaN Barrier扩散，进而改善氮化镓功率元件之功率输出。
一种氮化物半导体外延结构

[实用新型]一种氮化镓外延片转运用固定装置-CN202321366222.6有效
发明人：蔡清富;罗艾 -专利权人： 南京百识电子科技有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种氮化镓外延片转运用固定装置，涉及外延片转运技术领域；而本实用新型包括运载箱，运载箱内壁的两侧均设置有多个限位缓冲机构，限位缓冲机构之间设置有防护机构；限位缓冲机构包括对称分布的滑槽，滑槽开设在运载箱的内壁，滑槽的内部均固定连接有阻尼器，阻尼器的外侧套设有弹簧，阻尼器的一端固定连接有滑板，滑板滑动卡接在滑槽的内部，滑板的一端延伸至滑槽的外侧且固定连接有夹板；通过在环形框垫设橡胶圈，然后将生长有氮化镓的抛光片放置到通槽的内部，通过盖上盖板，使环形凸起的一端延伸至通槽的内部，并使第一方形框套设在第二方形框的内部，对抛光片进行封存保护，进一步提高了抛光片保护效果。
一种氮化外延转运固定装置

[实用新型]一种碳化硅清洗用固定装置-CN202321347292.7有效
发明人：胡智威;罗艾 -专利权人： 南京百识电子科技有限公司
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种碳化硅清洗用固定装置，具体涉及碳化硅加工技术领域，包括底座和电机座，所述底座顶部中央固定安装有安装板，所述安装板顶部左右两侧分别固定安装有支撑板一和支撑板二，所述支撑板一与支撑板二之间设置有可调节夹持组件，所述安装板顶部中央固定安装有升降安装座组件。本实用新型通过将碳化硅镜片放置在防滑垫顶部，通过启动气缸调节防滑垫的高度，之后启动电机三，电机三带动与其输出轴固定连接的转轮转动，通过皮带带动另外一个转轮转动，从而带动丝杠一和丝杠二同步转动，且螺纹连接在丝杠一上的移动块与螺纹连接在丝杠二上的移动块均向内移动，间接带动两个弧形夹板同步朝防滑垫方向移动。
一种碳化硅清洗固定装置

[发明专利]一种降低碳化硅外延片表面缺陷的方法-CN202310336236.1在审
发明人：陈威佑;蔡清富;蔡长祐;胡智威 -专利权人： 南京百识电子科技有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种降低碳化硅外延片表面缺陷的方法，涉及降低碳化硅外延片表面缺陷的技术领域，包含表面蚀刻、缓冲层成长与外延成长三个阶段；在充满氢气的环境下,升温到摄氏1600度以上,通入含有硅源与碳源的反应气体进行外延,硅和碳的来源气体主要是硅烷和丙烷,氮气与三甲基铝则被用来做参杂浓度的气体来源，本方法在缓冲层成长过程中,除了反应气体外,通入一定占比范围的含氯气体来提高硅气体分子在和碳气体分子的在外延反应过程中键结稳定性,避免产生非碳化硅键结的反应,藉此来降低外延中因产生非碳化硅键结而形成的表面与晶体缺陷,同时并可提高外延成长速率,来获得高质量的碳化硅外延层。
一种降低碳化硅外延表面缺陷方法

[实用新型]一种碳化硅晶片掺杂浓度电子探针分析仪-CN202321025448.X有效
发明人：蔡长祐;蔡清富;陈威佑;胡智威 -专利权人： 南京百识电子科技有限公司
申请日： 2023-05-04 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G01N23/225 文献下载
摘要：本实用新型涉及分析仪技术领域，且公开了一种碳化硅晶片掺杂浓度电子探针分析仪，包括台面、升降座和分析探头，所述升降座设置于台面的顶部，所述分析探头固定安装于升降座上；所述升降座的底部固定设有安装杆，所述分析探头固定安装于安装杆的下端，所述安装杆的杆壁弹性滑动设有防护罩；所述台面的顶部转动设有转轴，所述转轴的上端固定设有旋转盘，所述旋转盘的上表面边缘处固定设有多个均匀分布的晶片放置盘，所述台面的顶部且与转轴之间设有限位机构。本实用新型不仅能够将碳化硅晶片的掺杂浓度隔离检测，而且便于对多个碳化硅晶片的掺杂浓度进行检测分析对比，提高了检测分析的效率。
一种碳化硅晶片掺杂浓度电子探针分析

[发明专利]一种降低碳化硅外延缺陷阻障层生长控制方法-CN202310335183.1在审
发明人：胡智威;蔡清富;蔡长祐;陈威佑 -专利权人： 南京百识电子科技有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种降低碳化硅外延缺陷阻障层生长控制方法，涉及碳化硅外延缓冲层的结构设计技术领域，包含碳化硅外延层、碳化硅衬底，在碳化硅外延层、碳化硅衬底之间加入复合式的碳化硅缺陷阻障层，用于使晶体产生晶格扭曲位移改变了衬底垂直型位错的伯格向量，减低了垂直型位错往上延伸至外延层的驱动力，并透过调控高浓度氮掺杂缺陷阻障层的浓度与掺杂调变碳化硅层堆叠的层数，降低因垂直型位错造成的外延表面与内部堆叠错位的缺陷密度，提高外延层质量，在后续的器件应用上，减少因缺陷所导致的器件不良率，进而提供器件产品的稳定度与性能表现。
一种降低碳化硅外延缺陷阻障生长控制方法

[发明专利]一种碳化硅外延层的缺陷阻障结构及方法-CN202310682017.9在审
发明人：胡智威;蔡清富;蔡长祐;陈威佑 -专利权人： 南京百识电子科技有限公司
申请日： 2022-02-22 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅外延层的缺陷阻障结构及方法，其中缺陷阻障结构包括至少一层设置于碳化硅衬底与碳化硅外延层之间的碳化硅缓冲层，以及至少一层生长于碳化硅衬底和碳化硅缓冲层的之间的碳化硅缺陷阻障层。碳化硅缺陷阻障层的掺杂浓度高于碳化硅衬底，所述碳化硅缺陷阻障层的掺杂浓度介于5E18/cm3～7.5E18/cm3之间；所述碳化硅缺陷阻障层的厚度介于4μm～10μm之间。上述技术方案的缺陷阻障层能产生些微的晶格扭曲位移，改变了衬底垂直型位错的伯格向量，减低了垂直型位错往上延伸至外延层的驱动力，从而降低外延层的内部与表面的缺陷数量，可以使外延层缺陷密度低于1/cm2，提高器件性能及良率。
一种碳化硅外延缺陷阻障结构方法

[发明专利]碳化硅外延层的缺陷阻障结构及方法-CN202210161021.6有效
发明人：胡智威;蔡长祐;陈威佑;蔡清富 -专利权人： 南京百识电子科技有限公司
申请日： 2022-02-22 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅外延层的缺陷阻障结构及方法，其中缺陷阻障结构包括至少一层设置于碳化硅衬底与碳化硅外延层之间的碳化硅缓冲层，以及至少一层生长于碳化硅衬底和碳化硅缓冲层的之间的碳化硅缺陷阻障层。碳化硅缺陷阻障层的掺杂浓度高于碳化硅衬底，碳化硅缺陷阻障层的掺杂浓度大于等于5E18/cm3且小于等于1E19/cm3。上述技术方案的缺陷阻障层能产生些微的晶格扭曲位移，改变了衬底垂直型位错的伯格向量，减低了垂直型位错往上延伸至外延层的驱动力，从而降低外延层的内部与表面的缺陷数量，可以使外延层缺陷密度低于1/cm2，提高器件性能及良率。
碳化硅外延缺陷阻障结构方法

[实用新型]一种碳化硅外延片加工用涂层装置-CN202320846491.6有效
发明人：肖陆军;罗艾;蔡清富;陈威佑 -专利权人： 南京百识电子科技有限公司
申请日： 2023-04-17 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： B05C1/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种碳化硅外延片加工用涂层装置，涉及碳化硅外延片领域，包括底座，所述底座的内壁安装有第一转轴，所述第一转轴的两侧均安装有第一夹持板，所述第一夹持板的内壁固定连接有第一连接套，所述第一连接套的内壁安装有第一海绵。本实用新型通过设置的第一转轴、底座和第一夹持板，第一转轴与底座对第一夹持板起到旋转作用，在使用装置时，第一弹簧对第一夹持板进行支撑，第一夹持板的设置便于对碳化硅外延片进行贴合涂层，增加了装置的使用性，通过设置的涂料箱和盖板，涂料箱对盖板起到卡合固定作用，在使用装置时，涂料箱的设置便于对涂料进行存储，便于对装置进行持续涂层，效率快，增加了装置的使用性。
一种碳化硅外延工用涂层装置

[发明专利]氮化物半导体外延结构-CN202310663305.X在审
发明人：胡智威;蔡清富;蔡长祐;陈威佑 -专利权人： 南京百识电子科技有限公司
申请日： 2022-04-21 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化物半导体外延结构，包括衬底，所述衬底上依次设有成核层、过渡层、复合缓冲层、顶氮化镓层、被覆层，过渡层为AlxGaN层，所述复合缓冲层包括第一复合缓冲层和第二复合缓冲层。本发明通过复合缓冲层的厚度与GaN层的厚度之间的调整，使相对靠近成核层的过渡层的平均铝含量大于相对远离成核层的复合缓冲层的平均铝含量，有效地减缓氮化镓层与衬底之间因晶格与热膨胀系数不匹配所产生的应力，从而克服前述两者之间缺陷过多的缺点。本发明以超晶格生长外延层，能有效控制翘曲，进而提升氮化镓品质，降低缺陷增加产品良率，超晶格复合缓冲结构生长方法中，加入不同铝含量生长方式，可更进一步有效改善翘曲，增加产品良率。
氮化物半导体外延结构

[发明专利]一种氮化镓外延底层超晶格的生长方法-CN202011547206.8有效
发明人：蔡清富;胡智威;蔡长祐;陈威佑 -专利权人： 南京百识电子科技有限公司
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓外延底层超晶格的生长方法，包括提供Si(III)生长基板；在所述生长基板表面形成AlN成核层；在所述成核层上形成AlxGaN/GaN transition layer缓冲层；其中x＝0％‑100％；在所述缓冲层上形成AlxGaN/GaN multi‑SLs bufferlayer超晶格层，其中x＝0％‑100％；多次重复所述形成超晶格层的步骤，最后在所述超晶格层表面形成氮化镓层。本发明提出的超晶格生长方法，有效控制翘曲，进而提升氮化镓品质，降低缺陷，增加产品良率，提升产品价值；在生长方法中，加入不同铝含量的生长方式，更进一步有效改善翘曲，增加产品良率。
一种氮化外延底层晶格生长方法

[实用新型]一种碳化硅外延生产载具-CN202222643088.1有效
发明人：蔡清富;胡智威;陈威佑;蔡长佑 -专利权人： 南京百识电子科技有限公司
申请日： 2022-10-09 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： C30B25/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种碳化硅外延生产载具，涉及生产载具技术领域，包括相互配合的碳硅载具和离心载具，所述碳硅载具的正面设有放置碳化硅衬底的衬底托盘，所述碳硅载具的背面边缘内侧设有凸环，所述凸环上设有卡槽，所述离心载具上设有与凸环相配合的对接环块，所述对接环块边缘内侧设有卡入到卡槽内的凸起块；本实用新型通过离心载具上的凸起块与碳硅载具上的卡槽相配合，使得碳硅载具与离心载具不会产生偏角度，同时也使得碳化硅在成长过程中背面不会有碳化硅薄膜沉积产生。
一种碳化硅外延生产

[发明专利]一种碳化硅外延底层的生长方法-CN202011547217.6有效
发明人：陈威佑;胡智威;蔡长祐;蔡清富 -专利权人： 南京百识电子科技有限公司
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅外延底层的生长方法，在成长缓冲层的过程中，堆栈一层不同碳硅比的的薄型阻障层，有效地阻挡衬底的垂直型位错往上延伸至外延层，并通过调控外延底层生长过程中的碳硅比例，进一步终止位错的成长，有效降低外延层表面微孔洞数量1～2个级数，提高外延层表面质量，在后续的三极管器件应用上，减低因表面微孔洞造成的电性不良率，进而提供器件产品的稳定度与性能表现。
一种碳化硅外延底层生长方法

[实用新型]一种生长碳化硅晶片台阶式盖环结构-CN202220537339.5有效
发明人：蔡清富;胡智威;陈威佑;蔡长祐 -专利权人： 南京百识电子科技有限公司
申请日： 2022-03-10 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种生长碳化硅晶片台阶式盖环结构，包括：用以生长碳化硅薄膜的碳化硅衬底；用以承载碳化硅衬底进入高温炉生长碳化硅薄膜的承载盘；用以放置于碳化硅衬底和承载盘之间的盖环；所述盖环与碳化硅衬底径向拼接，拼接处碳化硅衬底的厚度高于或等于盖环的厚度。本实用新型采用台阶式盖环由于衬底晶片与盖环不存在厚度差，当在气流到达晶片表面时，所以气体在缘是平流过去的，生长速度就会与中心处基本上较为相近，能有效的改善均匀性不佳的问题，进而提升碳化硅外延良率，创造产品的更高价值。
一种生长碳化硅晶片台阶式盖环结构

[发明专利]氮化物半导体外延结构-CN202210419930.5在审
发明人：胡智威;蔡清富;蔡长祐;陈威佑 -专利权人： 南京百识电子科技有限公司
申请日： 2022-04-21 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化物半导体外延结构，包括衬底，所述衬底上依次设有成核层、过渡层、复合缓冲层、顶氮化镓层、被覆层，过渡层为AlxGaN层，所述复合缓冲层包括第一复合缓冲层，所述第一复合缓冲层包括相互交迭的多个Aly1GaN层和多个GaN层，其中，y1＞x，所述第一复合缓冲层中各个第Aly1GaN层的厚度相同，各第一GaN层的厚度相同。本发明以超晶格生长外延层，能有效控制翘曲，进而提升氮化镓品质，降低缺陷增加产品良率，超晶格复合缓冲结构生长方法中，加入不同铝含量生长方式，可更进一步有效改善翘曲，增加产品良率。
氮化物半导体外延结构

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