“林汉涂”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果65个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]锂电池负极材料及其制造方法-CN201910414163.7有效
发明人： 林汉涂;黄汉璋;贺安丽;邹易谚;徐盟贵 -专利权人：友达晶材股份有限公司
申请日： 2019-05-17 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：一种锂电池负极材料，包括石墨材料与复合材料。复合材料与石墨材料交错混合以形成多个球状结构体。复合材料包括硅材料、团聚物以及多个突出物。硅材料的表面生长有多个结晶物。所述结晶物包括碳化硅。所述团聚物包括金属硅化物。所述突出物分布在团聚物的表面。所述突出物包括硅、金属以及碳。
锂电池负极材料及其制造方法

[发明专利]锂电池负极材料及其制造方法-CN201611271526.9有效
发明人： 林汉涂;贺安丽;苏莹莹;陈展添;郑荣瑞;林坤丰 -专利权人：友达晶材股份有限公司
申请日： 2016-12-30 - 公布日： 2020-01-24 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明提供一种锂电池负极材料制造方法，其包含：将一金属材及一碳材包覆于一硅材表面；进行一高温热处理，令金属材及碳材于硅材表面产生反应，而于硅材表面形成包含金属硅化物、金属氧化物、碳化硅(SiC)及硅氧化物的一复合物层，藉此形成一硅复合材；将一石墨材往复循环通过一高压通道，令石墨材受高压通道摩擦而剥离出多个石墨烯单元；交错混合石墨烯单元与硅复合材而形成一锂电池负极材料。经由碳化硅及石墨烯可提升充/放电维持率，并且经由金属硅化物及金属氧化物可抑制硅材体积膨胀，藉此延长锂电池使用寿命。
锂电池负极材料及其制造方法

[发明专利]电池硅材及其制法-CN201410233788.0有效
发明人：林坤丰;郑荣瑞;林汉涂;詹志鸿 -专利权人：友达晶材股份有限公司
申请日： 2014-05-29 - 公布日： 2017-08-01 - 主分类号： H01M4/38 文献下载
摘要：一种电池硅材及其制法，该制法用于制作一电池硅负电极。本发明是以一固定磨粒加工具接触硅基材，且通过固定磨粒加工具与硅基材的相对位移产生纳米级片状硅材。
电池及其制法

[发明专利]像素结构的制作方法-CN201210430684.X无效
发明人：方国龙;杨智钧;黄明远;林汉涂;石志鸿;廖达文;詹勋昌;蔡佳琪 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2007-12-26 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明涉及一种像素结构的制作方法，包括下列步骤：首先，提供形成有第一导电层的基板，接着提供第一遮罩于第一导电层上方，并使用激光经过第一遮罩照射第一导电层，以形成栅极。接着，形成栅极绝缘层于基板上，以覆盖栅极。继之，同时形成沟道层、源极以及漏极于栅极上方的栅极绝缘层上，其中栅极、沟道层、源极以及漏极构成薄膜晶体管。接着，形成图案化保护层于薄膜晶体管之上，图案化保护层暴露出部分漏极。接着，形成电性连接于漏极的像素电极。本发明利用激光剥离的方式来制作栅极，并且使得沟道层、源极与漏极同时制作完成，因此相比于公知的像素结构制作方法，可以简化工艺步骤并减少光掩模的制作成本。
像素结构制作方法

[发明专利]光电转换层的制造方法-CN201110354603.8无效
发明人：简怡峻;黄明义;萧杰予;吴一凡;林汉涂 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2011-10-26 - 公布日： 2012-02-15 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种光电转换层的制造方法。于基板上形成第一金属层，其包括至少两种第三族元素。于第一辅助基板上形成第一非金属层，其包括至少一种第六族元素。使第一金属层与第一非金属层接触后，进行第一热制程，以于基板与第一辅助基板之间形成第一材料混合层。将第一辅助基板与第一材料混合层分离。于第二辅助基板上依序形成包括至少一种第一族元素的第二金属层与包括至少一种第六族元素的第二非金属层。使第一材料混合层与第二非金属层接触后，进行第二热制程，以于基板与第二辅助基板之间形成第二材料混合层。分离第二辅助基板与第二材料混合层。
光电转换制造方法

[发明专利]太阳电池的制造方法-CN201110216943.4无效
发明人：黄明政;黄明义;林汉涂 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2011-07-22 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳电池的制造方法，其包括下列步骤。首先提供一基板，并于基板上形成一基底电极。之后，于基底电极上形成一铜铟镓硒结晶层。接着，对铜铟镓硒结晶层的表面进行一化学机械研磨工艺，以平坦化铜铟镓硒结晶层的表面。之后，于已平坦化的铜铟镓硒结晶层表面上形成一缓冲层。继之，于缓冲层上形成一透明导电层。借此，本发明的太阳电池的制造方法有助于量产且所制成的太阳电池具有较佳的元件特性。
太阳电池制造方法

[发明专利]铜铟镓硒薄膜的制造方法-CN201110026730.5有效
发明人：周光廷;黄明义;吴一凡;林汉涂 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2011-01-20 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种铜铟镓硒薄膜的制造方法，包括于基板上形成结晶诱发层，于结晶诱发层上形成第一前驱金属层。第一前驱金属层的材质包括铜、铟以及镓。然后，透过升温工艺使结晶诱发层与第一前驱金属层硒化为一铜铟镓硒薄膜。本发明的铜铟镓硒薄膜的制造方法主要是通过形成一结晶诱发层以使特定厚度的铜铟镓硒薄膜能够在较短时间下制作完成，且此铜铟镓硒薄膜具有良好的结晶质量。
铜铟镓硒薄膜制造方法

[发明专利]像素结构、显示面板、光电装置及其形成方法-CN200910006442.6有效
发明人： 林汉涂;陈建宏 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2007-06-15 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供一种像素结构、显示面板、光电装置及其形成方法，包含提供基板；形成图案化介电层于该基板上，且其上定义第一开口，并且第一开口暴露出部分该基板；形成图案化有机材料层于该图案化介电层上，其上定义第二开口，该第二开口对应于部分该第一开口并暴露出已暴露的部分该基板；形成第一阻障层于该暴露出的部分该基板上及该图案化有机材料层上；形成金属层于该暴露出的部分该基板的该第一阻障层上及在该图案化有机材料层的该第一阻障层上；以及除去该图案化有机材料层及位于其上的该第一阻障层及该金属层。本发明具有有效形成金属导线的效果。
像素结构显示面板光电装置及其形成方法

[发明专利]太阳电池-CN201010197017.2有效
发明人：刘致为;何伟硕;陈彦瑜;古峻源;陈建任;林汉涂;梁硕玮 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2010-05-27 - 公布日： 2010-10-20 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：一种太阳电池，其包括第一型掺杂单晶硅基板、本征非晶硅层、第二型掺杂非晶硅层、第一型掺杂结晶含锗层以及一对电极。第一型掺杂单晶硅基板具有正面以及背面。本征非晶硅层配置于正面上。第二型掺杂非晶硅层配置于本征非晶硅层上。第一型掺杂结晶含锗层配置于背面。电极与第二型掺杂非晶硅层以及第一型掺杂结晶含锗层电性连接。
太阳电池

[发明专利]制作太阳能薄膜电池的方法及太阳能薄膜电池-CN201010003191.9有效
发明人：周光廷;周汉唐;黄明远;林汉涂 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2010-01-14 - 公布日： 2010-07-07 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种制作太阳能薄膜电池的方法及太阳能薄膜电池，该方法包括下列步骤。提供一基板，并于基板上形成多个第一电极。进行一印刷工艺，将一光吸收材料印刷于基板与第一电极上，以形成多个光吸收图案，其中各光吸收图案分别对应两相邻的第一电极，且各光吸收图案部分覆盖对应的两相邻的第一电极，并部分曝露出对应的两相邻的第一电极。于光吸收图案上形成多个第二电极。
制作太阳能薄膜电池方法

[发明专利]主动阵列基板-CN200910173835.6无效
发明人： 林汉涂;杨智钧;廖金阅;陈建宏 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2008-04-07 - 公布日： 2010-03-10 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：本发明公开了一种主动阵列基板，包括：一基底；至少一扫描线；至少一数据线，与该扫描线垂直；一保护层，位于该数据在线，该保护层具有一开口以暴露出该数据线；以及，一导体层位于该保护层上位于该开口内而与该数据线电性连接；至少一薄膜晶体管，与对应的该扫描线以及该数据线电性连接；以及，至少一像素电极，与该薄膜晶体管连接。
主动阵列

[发明专利]主动阵列基板-CN200910170764.4有效
发明人： 林汉涂;杨智钧;廖金阅;陈建宏 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2008-04-07 - 公布日： 2010-03-03 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：本发明公开了一种主动阵列基板，包括：一基底，具有至少一凹槽；至少一扫描线；至少一数据线，与该扫描线垂直；至少一薄膜晶体管，与对应的该扫描线以及该数据线电性连接；至少一象素电极，与该薄膜晶体管连接；以及，一连接垫电极，位于该凹槽内。
主动阵列

[发明专利]下栅极式薄膜晶体管及其制作方法-CN200810175280.4无效
发明人：彭雅慧;曾以亚;黄坤富;陈志轩;林汉涂 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2008-11-10 - 公布日： 2009-03-25 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了一种下栅极式薄膜晶体管，包含栅极、栅极绝缘层以及微结晶硅层。栅极配置于基板上，而栅极绝缘层由氮化硅材料制成，并配置于栅极与基板上。微结晶硅层则是配置于栅极绝缘层上，且对应于栅极。其中，栅极绝缘层与微结晶硅层接触的界面具有数个氧原子，且这些氧原子的浓度范围介于10²⁰个原子/立方公分与10²⁵个原子/立方公分之间。此外，一种制作下栅极式薄膜晶体管的方法也在此揭露。
栅极薄膜晶体管及其制作方法

[发明专利]半导体结构-CN200810213918.9有效
发明人：方国龙;杨智钧;林汉涂 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2007-03-14 - 公布日： 2009-02-04 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构，包括：一基板；一栅极，设置于该基板上；一绝缘层，设置于该基板上并覆盖该栅极；一图案化半导体层，设置于该绝缘层上；一源极与一漏极，设置于该图案化半导体层上；一保护层，覆盖该绝缘层、该源极与覆盖于该漏极的部分边界，露出部分该漏极；以及一像素电极，设置于该基板上并覆盖该漏极边界的该保护层，且与露出的该漏极电性连接。
半导体结构

[发明专利]彩色滤光基板、电子装置及其制作方法-CN200810128096.4有效
发明人：曹俊杰;林汉涂 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2008-07-29 - 公布日： 2008-12-24 - 主分类号： G02F1/1335 文献下载
摘要：一种彩色滤光基板、电子装置及其制作方法。所述彩色滤光基板包括一基板、一遮光层以及多个彩色滤光图案。基板具有多个环状凹槽、多个中心区域以及一位于环状凹槽之间的遮光区域，其中各环状凹槽分别具有一与各该中心区域连接的内缘以及一与遮光区域连接的外缘。遮光层配置于遮光区域上，且从各外缘延伸至环状凹槽上方。彩色滤光图案配置于环状凹槽与中心区域上，且与遮光层的侧表面以及部分的底表面接触。所述彩色滤光图案应用于显示器时能提升显示器的光学表现。所述彩色滤光基板的制作方法可降低上述彩色滤光基板的制程的复杂度。所述电子装置具有上述的彩色滤光基板。所述电子装置的制作方法用以制作出具有上述的彩色滤光基板的电子装置。
彩色滤光电子装置及其制作方法

1
2
3
4
5
下一页»
尾页
共 65 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top