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[发明专利]混合高k第一和高k最后替代栅极工艺-CN201480071545.X有效
发明人： H·尼米;M·梅郝特瑞;M·楠达库玛 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2014-12-29 - 公布日： 2019-11-29 - 主分类号： H01L21/8249 文献下载
摘要：集成电路被提供具有金属栅极NMOS晶体管(130)和金属栅极PMOS晶体管(132)，其中金属栅极NMOS晶体管(130)具有在高质量热生长的界面电介质(106)上的高k第一栅极电介质(108)，该金属栅极PMOS晶体管(132)具有在化学生长的界面电介质(134)上的高k最后栅极电介质(136)。工艺流程被提供用于形成具有金属栅极NMOS晶体管(130)和金属栅极PMOS晶体管(132)的集成电路，该金属栅极NMOS晶体管(130)具有在高质量热生长的界面电介质(106)上的高k第一栅极电介质(108)，该金属栅极PMOS晶体管(132)具有在化学生长的界面电介质(134)上的高k最后栅极电介质(136)。
混合第一最后替代栅极工艺

[发明专利]高迁移率晶体管-CN201480071542.6有效
发明人： H·尼米;M·梅赫罗特拉;R·L·怀斯 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2014-12-29 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：包含n沟道finFET(106)和p沟道finFET(110)的集成电路(100)具有在硅衬底(102)上方的介电层(112)。所述finFET(106、110)的所述鳍具有半导体材料，该半导体材料具有与硅相比更高的迁移率。n沟道finFET(106)的鳍是在穿过所述衬底(102)上的所述介电层(112)的第一沟槽(114)中的第一硅锗缓冲层(118)上。p沟道finFET(110)的鳍是在穿过所述衬底(102)上的介电层(112)的第二沟槽(116)中的第二硅锗缓冲层(132)上。鳍在所述介电层(112)上方延伸至少10纳米。通过在所述介电层(112)中的所述沟槽(114、116)中的所述硅锗缓冲层(118、132)上外延生长形成所述鳍，接着通过CMP平面化，将所述鳍下降至所述介电层(112)。使所述介电层(112)凹陷以暴露所述鳍。可以同时地或单独地形成所述鳍。
迁移率晶体管

[发明专利]具有氮化钛栅极的高K/金属栅极CMOS晶体管-CN201480071998.2有效
发明人： H·尼米;B·K·柯克帕特里克 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2014-12-31 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：在所描述的示例中，形成一种集成电路，其具有大于4.85eV的功函数的厚TiN金属栅极(146)和具有小于4.25eV的功函数的薄TiN金属栅极(156)。形成一种集成电路，其具有大于4.85eV的功函数的替代栅极PMOS TiN金属栅极晶体管(170)和具有小于4.25eV的功函数的替代栅极NMOS TiN金属栅极晶体管(172)。形成一种集成电路，其具有大于4.85eV的功函数的先栅极的PMOS TiN金属栅极晶体管和具有小于4.25eV的功函数的先栅极的NMOS TiN金属栅极晶体管。
具有氮化栅极金属 cmos 晶体管

[发明专利]减少应变沟道PMOS晶体管的聚晶电极上的SiGe异常生长的形成的方法-CN201380034263.8有效
发明人： H·尼米;J·J·钱伯斯 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2013-07-15 - 公布日： 2018-07-17 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：使用在源极(460)和漏极(462)形成期间屏蔽栅极(434)以防曝光的保护材料(432)，减少在SiGe源极(460)和漏极(462)形成期间应变沟道PMOS晶体管的栅极(434)上的SiGe异常生长的形成。
应变沟道漏极源极保护材料方法使用生长电极屏蔽聚晶曝光

[发明专利]用于移动材料处理装置的方法、用于处理矿料的装置以及用于处理装置的机架-CN200780102366.8无效
发明人： T·穆斯托南;A·佩尔托拉;H·尼米;M·普塞纽斯;H·莱托南;T·约基奥伊南;M·佩尔托拉 -专利权人：美特索矿物公司
申请日： 2007-12-19 - 公布日： 2011-01-12 - 主分类号： B62D57/032 文献下载
摘要：一种用于使处理装置运动的方法，一种处理装置的机架以及一种处理装置，该处理装置被在基部(S)上移动。处理装置包括至少一个处理单元(2，3，4)、机架(6)以及铰接到机架(6)的至少四个支腿(7)，处理单元(2，3，4)附连到机架(6)。支腿(7)包括能够抵靠基部定位的支撑板(12)。支腿(7)可设置为支撑状态和传送状态，在支撑状态中支撑板(12)抵靠基部(S)定位，在传送状态中支撑板(12)离开基部(S)。在不将机架(6)降低到基部(S)上的情况下使处理装置运动，使得支腿(7)被控制为交替地进入支撑状态和传送状态，使得至少三个支腿(7)在处理装置运动时处于支撑状态。
用于移动材料处理装置方法以及机架

[发明专利]用于处理装置的支腿以及测量支腿位置的方法-CN200780102361.5无效
发明人： H·尼米;T·穆斯托南;H·凯尔马拉 -专利权人：美特索矿物公司
申请日： 2007-12-19 - 公布日： 2011-01-12 - 主分类号： B62D57/032 文献下载
摘要：用于处理装置(1)的支腿和测量支腿位置的方法，所述支腿包括第一传送构件(10)以及第二和第三传送构件(14、15)，所述第一传送构件铰接到所述处理装置，所述第二和第三传送构件用于改变所述支腿的位置。所述支腿(7)还包括至少一个测量装置(26、27、28)，所述至少一个测量装置用于测量所述支腿(7)相对于所述处理装置的位置。
用于处理装置以及测量位置方法