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[发明专利]氮化镓外延片的制备方法-CN202210242971.1在审
发明人：李兵兵;黄兆斌 -专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2022-03-11 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本申请涉及一种氮化镓外延片的制备方法，所述制备方法包括：提供一衬底；在所述衬底上生长高温氮化镓核；在所述衬底及所述高温氮化镓核上完成低温氮化镓成核层的生长；在所述衬底、所述高温氮化镓核及所述低温氮化镓成核层上完成氮化镓岛的三维生长；对所述氮化镓岛进行二维生长，其解决了氮化镓外延片生长状态受到金属有机化学气相沉积设备的反应腔状态影响的问题。
氮化外延制备方法

[发明专利]一种制备硫酸镓的方法-CN201110377858.6有效
发明人：刘彩玫;管督;常晖;卞玉倩;杨波 -专利权人：中国铝业股份有限公司
申请日： 2011-11-24 - 公布日： 2012-06-13 - 主分类号： C01G15/00 文献下载
摘要：一种制备硫酸镓的方法，涉及一种从金属镓的电解废液中制备硫酸镓的方法。其特征在于其制备过程是采用生产金属镓的电解废液为原料。本发明的一种制备硫酸镓的方法，有效解决了在高纯镓的生产过程中，电解废液不能重复循环利用，将电解废液作为制备硫酸镓的原料，实现了废液的资源化利用，制备的硫酸镓纯度达到99.99％以上。
一种制备硫酸方法

[发明专利]一种低接触电阻率的半赫斯勒合金热电器件及制备方法-CN201910054270.3有效
发明人：陈立东;邢云飞;柏胜强;刘睿恒 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2019-01-21 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L35/08 文献下载
摘要：所述半赫斯勒合金热电元件包括半赫斯勒合金热电材料、以及一体形成在所述半赫斯勒热电合金材料至少一端的电极层；所述电极层的材料的熔点温度在1000℃以上，优选为熔点在2000℃以上，更优选地，所述电极层的材料为铬单质、钼单质、钨单质、以铬单质、钼单质、钨单质金属三种金属为主体的合金、或以铬单质、钼单质、钨单质三种金属为主体的伪合金中的至少一种。
一种接触电阻率赫斯合金热电器件制备方法

[发明专利]铜-铬-锆合金材料及其制备方法-CN201210447050.5无效
发明人：张修庆;陈舸;陈小娜 -专利权人：华东理工大学
申请日： 2012-11-09 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： C22C9/00 文献下载
摘要：所述合金材料以单质铜、单质铬和单质锆为原料，主要经熔炼法或球磨法制得；所制得的铜合金材料在室温下的拉伸强度大于或等于达到800MPa，电导率大于或等于60％IACS，软化温度大于或等于500℃；其中，以单质铜、单质铬和单质锆的总重量为100％计，单质铬的用量为0.5wt％～9.0wt％，单质锆的用量为0.5wt％～9.0wt％，单质铜的用量为90wt％～99wt％。
合金材料及其制备方法

[发明专利]单质硒作为催化剂的应用-CN201210391355.9有效
发明人：柴立元;刘恢;杨本涛;彭兵;闵小波;杨志辉 -专利权人：中南大学
申请日： 2012-10-16 - 公布日： 2013-01-09 - 主分类号： C01B17/06 文献下载
摘要：单质硒作为催化剂的应用，具体是将单质硒应用于催化亚硫酸盐反应制备单质硫。本发明中应用单质硒作为催化剂制备出高纯单质硫，突破了传统方法制备单质硫需要的高温高压环境；催化剂结构性能稳定，可以回收并反复使用，工艺和设备简单，生产成本低，不污染环境。
单质作为催化剂应用

[发明专利]一种具有防反射层的砷化镓太阳能电池-CN201710498727.0在审
发明人：黄孝如 -专利权人：海门市绣羽工业设计有限公司
申请日： 2017-06-27 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有防反射层的砷化镓太阳能电池，所述砷化镓太阳能电池依次包括：砷化镓衬底；位于砷化镓衬底上的背电场层；位于背电场层上的砷化镓p‑n结，所述砷化镓p‑n结包括层叠设置的n型砷化镓层和p型砷化镓层；位于砷化镓p‑n结上的砷化铝镓窗口层；位于砷化铝镓窗口层上的电极接触层；位于电极接触层上的防反射层；以及，位于电极接触层上的若干电极。
砷化镓砷化镓太阳能电池电极接触层防反射层砷化铝镓背电场窗口层衬底光电转换效率防反射结构太阳能电池层叠设置电极反射

[发明专利]一种基于Si衬底氮化镓HEMT低电阻欧姆接触的结构及其制作方法-CN201811384310.2在审
发明人：王东;陈兴;吴勇;张进成;何滇;伍旭东;檀生辉;卫祥;张金生;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学芜湖研究院
申请日： 2018-11-20 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： H01L29/45 文献下载
摘要：一种基于Si衬底氮化镓HEMT低电阻欧姆接触的结构及其制作方法，属于微电子技术领域，包括Si衬底、低温氮化铝成核层、铝镓氮过渡层一、铝镓氮过渡层二、铝镓氮过渡层三、氮化镓缓冲层、氮化镓沟道层、铝镓氮势垒层、分居两端的漏电极和源电极以及两者中间的栅电极，上述各层从下至上依次排布，其中在氮化镓沟道层与铝镓氮势垒层之间形成二维电子气沟道，栅电极和铝镓氮势垒层之间还设有栅介质层，本发明制造工艺简单，重复性好，适用于Si衬底氮化镓HEMT器件应用。
衬底铝镓氮过渡层铝镓氮势垒层氮化镓HEMT 欧姆接触氮化镓低电阻沟道层栅电极低温氮化铝成核层氮化镓HEMT器件二维电子气沟道微电子技术领域氮化镓缓冲层栅介质层制造工艺漏电极源电极排布制作应用

[发明专利]通过扩散来在氮化镓材料中形成掺杂区的方法及系统-CN201980022393.7在审
发明人：奥兹古·阿克塔斯;弗拉基米尔·奥德诺博柳多夫;杰姆·巴斯切里 -专利权人：克罗米斯有限公司
申请日： 2019-02-08 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种通过扩散来在氮化镓材料中形成掺杂区的方法，包括：提供包括氮化镓层的衬底结构以及在所述氮化镓层上形成掩模。所述掩模暴露所述氮化镓层的顶表面的一个或多个部分。该方法还包括：在所述氮化镓层的所述顶表面的所述一个或多个部分上沉积含镁氮化镓层，并且在沉积所述含镁氮化镓层的同时，通过使镁穿过所述一个或多个部分扩散到所述氮化镓层中来在所述氮化镓层中形成一个或多个镁掺杂区所述含镁氮化镓层提供镁掺杂剂源。该方法还包括去除所述含镁氮化镓层以及除所述掩模。
通过扩散氮化材料形成掺杂方法系统

[发明专利]Ⅲ族-氮化物发光二极管与其形成方法-CN201010617652.1有效
发明人：果尚志;林弘伟;吕宥蓉 -专利权人：果尚志
申请日： 2010-12-27 - 公布日： 2012-02-08 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明是有关于一种Ⅲ族-氮化物发光二极管与其形成方法，其主要包含：一第一电极；一n型氮化镓纳米柱数组，具有多个n型氮化镓纳米柱与该第一电极欧姆接触；一或多个氮化铟镓纳米碟，设置于每个n型氮化镓纳米柱上；一p型氮化镓纳米柱数组，具有多个p型氮化镓纳米柱，其中每个p型氮化镓纳米柱对应一个n型氮化镓纳米柱，且被设置于每个所对应的n型氮化镓纳米柱上方的该氮化铟镓纳米碟的上方；以及一第二电极，与该p型氮化镓纳米柱数组欧姆接触
氮化物发光二极管与其形成方法

[发明专利]半导体装置-CN201310585132.0有效
发明人：黄济兴;蔡明玮;薛清全;庄博钦 -专利权人：台达电子工业股份有限公司
申请日： 2013-11-19 - 公布日： 2017-08-29 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体装置包含基板、第一氮化镓场效晶体管、第二氮化镓场效晶体管与氮化镓二极管。第一氮化镓场效晶体管置于基板上。第一氮化镓场效晶体管为耗尽型场效晶体管。第二氮化镓场效晶体管置于基板上。第二氮化镓场效晶体管为增强型场效晶体管。氮化镓二极管置于基板上。第一氮化镓场效晶体管、第二氮化镓场效晶体管与氮化镓二极管皆置于基板的同一侧并互相电性连接。
半导体装置

[发明专利]白色发光二极管-CN00119000.8有效
发明人：许进恭;刘家呈;周铭俊;章绢明;李秉杰 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2000-09-13 - 公布日： 2002-04-03 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：白色发光二极管,包含由蓝宝石形成的绝缘基片、氮化镓长晶层、n型氮化镓缓冲层、p型氮化镓接触层、p型氮化铝镓限制层、氮化铟镓多重量子阱发光层,每一阱中掺杂锌、n型氮化铝镓限制层、n型氮化镓接触层、氧化铟锡透明导电层,其中部分以蚀刻除去,使露出部分n型氮化镓接触层、形成在n型氮化镓接触层的露出部分上与透明导电层接触的n型Ni/Au前电极,蓝宝石不导电,须将发光二极管蚀刻至p型氮化镓接触层,然后在p型氮化镓接触层上形成
白色发光二极管

[发明专利]一种基于阴离子交换树脂从盐酸洗脱含镓溶液中提纯镓的方法-CN201911276181.X有效
发明人：何春林;韦悦周;梁洁;卢思名;王欣鹏;藤田豊久 -专利权人：广西大学
申请日： 2019-12-12 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： C22B58/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于阴离子交换树脂从盐酸洗脱含镓溶液中提纯镓的方法，针对拜耳循环母液吸附镓后酸解吸含镓溶液，采用阴离子交换树脂进行镓的柱吸附提纯，实现从盐酸溶液中吸附提纯镓并除去其他杂质元素(如钒、铝、后续经水解吸、氢氧化钠沉淀可制备高品质的氢氧化镓，可煅烧生产高纯度的氧化镓或进行电解获得高纯度的金属镓。本发明利用碱性吸附‑盐酸解吸‑酸性吸附‑纯水解吸工艺显著提高镓的纯度、镓回收率、产品纯度，吸附后酸液废水可循环利用，解吸剂采用纯水具有无污染特点。
一种基于阴离子交换树脂盐酸洗脱溶液提纯方法

[发明专利]高质量氮化镓体单晶及其生长方法和制备系统-CN202011536638.9有效
发明人：司志伟;刘宗亮;徐科 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种高质量氮化镓体单晶及其生长方法和制备系统。所述方法包括：先在籽晶上生长形成高掺杂氮化镓层，之后在所述高掺杂氮化镓层上进行三维岛状氮化镓以及二维氮化镓的生长。本发明实施例提供的一种利用助熔剂法生长高质量、无裂纹氮化镓体单晶的方法，通过控制生长条件依次进行高掺氮化镓层以及三维岛状氮化镓、二维氮化镓的生长，从而较好地释放助熔剂法氮化镓和HVPE籽晶界面之间由于晶格失配导致的应力，避免氮化镓单晶生长过程中产生裂纹。
质量氮化镓体单晶及其生长方法制备系统

[发明专利]氮化镓高电子移动率晶体管及其栅极结构-CN201910141573.9有效
发明人：刘莒光;杨弘堃 -专利权人：杰力科技股份有限公司
申请日： 2019-02-26 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化镓高电子移动率晶体管的栅极结构，包括一异质结构、一掺杂氮化镓层、一绝缘层、一未掺杂氮化镓层以及一栅极金属层。异质结构包括一信道层与位于所述信道层上的一阻障层。掺杂氮化镓层位于所述阻障层上，绝缘层则位于掺杂氮化镓层的顶部的两侧边，且未掺杂氮化镓层是位于掺杂氮化镓层与绝缘层之间。栅极金属层则位于掺杂氮化镓层上，并覆盖绝缘层与未掺杂氮化镓层。所述未掺杂氮化镓层能保护其下的掺杂氮化镓层，而绝缘层则具有防止栅极漏电的效果。
氮化电子移动晶体管及其栅极结构

[发明专利]一种发光二极管的外延生产方法-CN201110365009.9无效
发明人：李志聪;李鸿渐;李盼盼;李璟;王国宏 -专利权人：扬州中科半导体照明有限公司
申请日： 2011-11-17 - 公布日： 2012-02-29 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种发光二极管的外延生产方法，涉及半导体技术领域，在衬底上依次生长低温氮化铝镓铟成核层、非故意掺杂氮化镓层、掺杂氮化镓层、掺杂的氮化镓与非掺杂氮化镓交替的周期性结构层、氮化镓铟/氮化镓多量子阱发光层和掺杂的氮化镓层利用本发明在掺杂GaN与多量子阱发光区之间之间插入一掺杂氮化镓与非掺杂氮化镓交替生长的周期性结构，可以增大氮化镓基LED器件的内部电容，改善GaN基LED的电流扩展能力，从而提高其抗静电性能，且降低GaN
一种发光二极管外延生产方法