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[发明专利]一种铑钯双金属非晶黑色氧化铟复合材料及其制备方法和在传感器中的应用-CN202310967788.2在审
发明人：魏文婷;罗娜;徐甲强 -专利权人：上海大学
申请日： 2023-08-02 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C01G15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种铑钯双金属非晶黑色氧化铟复合材料及其制备方法和在传感器中的应用，本发明提出的复合材料由铑钯双金属非晶(RhPdOx)和黑色氧化铟(B‑In2O3)两种纳米颗粒组成；其中RhPdOx纳米颗粒由液相法得到，B‑In2O3纳米颗粒由液相法和固相法得到，利用RhPdOx纳米颗粒对B‑In2O3材料修饰，通过物理混合得到两者的复合材料。本发明对NO2具有高选择性，可用于检测汽车尾气与人体呼出气中的NO2；检测限最低可达0.2ppm；并且响应值快，响应/恢复时间可达4s/8s，具有良好的应用前景。
一种双金属黑色氧化复合材料及其制备方法传感器中的应用

[发明专利]一种亚稳态氧化铟气敏材料及其制备方法与应用-CN202310682261.5在审
发明人：吴莉莉;金之栋;赵金博;刘久荣;吕伟 -专利权人：山东大学
申请日： 2023-06-08 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C01G15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米针自组装花状微球亚稳态氧化铟气敏材料、气敏元件及制备方法和应用。纳米针自组装花状微球亚稳态氧化铟气敏材料，其形貌特征为纳米针自组装形成的三维花状微球，纳米针的直径约为8nm，花状微球直径约为2‑3μm，材料主要暴露晶面为(104)，晶体结构为亚稳态菱形刚玉相。所制备的纳米针自组装花状微球亚稳态氧化铟成功实现了温和条件下制备纯净的亚稳态氧化铟材料并实现了其在气敏检测领域内的应用，尤其对H2S的检测中表现出工作温度低，灵敏度高，选择性优和检测限度低等优势，同时本发明的合成制备方法合成简便、成本较低，具有良好的工业化生产前景。
一种亚稳态氧化铟气敏材料及其制备方法应用

[发明专利]氧化镓纳米管及其制备方法和应用-CN202110036299.6有效
发明人：马永健;张晓东;李军帅;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2021-01-12 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C01G15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化镓纳米管及其制备方法和应用。所述制备方法包括：在衬底上设置催化剂，并利用所述催化剂在衬底上生长形成氧化镓纳米线；去除氧化镓纳米线顶端的催化剂，或者，使氧化镓纳米线顶部的催化剂在纳米线生长过程中被自然耗尽；在氧化镓纳米线顶端面中央位置设置金属镓，其后通过金属镓与氧化镓的自反应腐蚀使氧化镓纳米线内部被腐蚀，从而获得内部中空的氧化镓纳米管。本发明实施例提供的一种氧化镓纳米管的制备方法，利用镓自反应腐蚀技术实现了垂直于衬底表面的高晶体质量纳米管阵列的制备，避免了其他材料对纳米管的污染，此氧化镓纳米管可应用于紫外光电子、气体探测或吸附等领域。
氧化纳米及其制备方法应用

[发明专利]化合物氯硫镓铯和氯硫镓铯红外非线性光学晶体及制备方法和应用-CN202310856946.7在审
发明人：李俊杰;潘世烈;王霖安;楚羽 -专利权人：中国科学院新疆理化技术研究所
申请日： 2023-07-13 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C01G15/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种化合物氯硫镓铯和氯硫镓铯红外非线性光学晶体及制备方法和应用，该化合物的分子式为Cs3Ga8S13Cl，分子量为2627.56，其结构属于单斜晶系，空间群为Cc，采用助溶剂法制成，该晶体的化学式为Cs3Ga8S13Cl，分子量为2627.56，结晶于单斜晶系，空间群为Cc，晶胞参数为a=10.0698(5)Å，b=17.8139(8)Å，c=14.6479(6)Å，α=90°，β=90.218(2)°，γ=90°，V=2627.56(20)Å3。采用助熔剂法及坩埚下降法在密闭的真空石英管内制备氯硫镓铯红外非线性光学晶体。具有高抗激光损伤、非线性光学效应适中、透光波段宽、硬度较大、机械性能好、不易碎裂和潮解、易于加工和保存等优点，可用于制作红外非线性光学器件。
化合物氯硫镓铯红外非线性光学晶体制备方法应用

[发明专利]一种低成本形态可控的氧化镓纳米粉体制备方法-CN202310910088.X在审
发明人：卢鹏荐;曾小龙;张林;袁珊珊;范晨光;李永安 -专利权人：武汉拓材科技有限公司
申请日： 2023-07-21 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C01G15/00 文献下载
摘要：本发明公开一种低成本形态可控的氧化镓纳米粉体制备方法，包括以下步骤：S1、在常温下将高纯金属镓加入硝酸溶液中，通过TiO2膜得到硝酸镓溶液；S2、将所述硝酸镓溶液加入定量的去离子水稀释，然后在持续搅拌下加入定量的沉淀剂，陈化处理后，使沉淀与母液分离，将沉淀干燥处理；S3、将干燥处理后的沉淀在预定条件下煅烧制得高纯氧化镓；本发明以高纯金属镓为原料制备均匀性好的高纯β‑氧化镓，合成的纳米级氧化镓均匀性较好、成本低。
一种低成本形态可控氧化纳米体制方法

[发明专利]一种氧化铟废料的回收方法-CN202210779526.9有效
发明人：洪明浩;刘鸿飞;李继;李春生;殷亮;朱刘 -专利权人：广东先导稀贵金属材料有限公司
申请日： 2022-07-04 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C01G15/00 文献下载
摘要：本发明涉及金属回收技术领域，公开了一种氧化铟废料的回收方法，包括以下步骤：将铟氧化渣破碎；将破碎后的铟氧化渣和\或不达标的氧化铟粉末投入到电弧炉内；向电弧炉内通入惰性气体后开启电弧炉，经过雾化及氧化后得到氧化铟粉末；对氧化铟粉末进行去粗过滤后得到纳米In2O3产品。本发明提供的氧化铟废料的回收方法，相比电解法与置换法，本发明具有处理成本低、流程短、操作简单、直收率高等优点。同时相比于现有的直流电弧法，本发明采用的直流电压小，生产稳定且易于控制，所制备的纳米In2O3粉末大小均一，可用于制备ITO靶材。
一种氧化废料回收方法

[发明专利]一种空心分级异质结构三组分硫化物光电材料的制备和应用-CN202210197281.9有效
发明人：高文华;彭靖俊;陈佳阳;郑德论;林镇彬;陈耀文 -专利权人：汕头大学
申请日： 2022-03-01 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： C01G15/00 文献下载
摘要：本发明公开一种空心分级异质结构三组分硫化物光电材料的制备和应用，以配位聚合物Cd3(C3N3S3)2材料作为一种自模板材料，通过一步溶剂热合成法制备具有空心分级异质结构的三组分ZnIn2S4/CnIn2S4/CdS材料。具体为：(1)首先制备尺寸可以调节的八面体。(2)使用Zn(NO3)2·6H2O，InCl3·4H2O和硫代乙酰胺作为ZnIn2S4组分的前驱体与自模版Cd3(C3N3S3)2材料通过溶剂热反应得到具有空心分级异质结构的三组分ZnIn2S4/CnIn2S4/CdS(ZIS/CIS/CdS‑HHOC)。此制备方法省去了移除模板的繁琐过程，极易操作，提供了一种制备具有优异光电转换性能光电活性材料的方法。所制备的材料比表面积大，匹配的能带结构与紧密接触的界面、光利用率高以及薄的壳层和纳米片，在光催化降解，CO2还原、产氢、光合成、抗菌以及光电传感领域具有极其广阔的应用前景。
一种空心分级结构组分硫化物光电材料制备应用

[发明专利]一种冷等离子体调控氧化铟表面缺陷和相态的方法-CN202310733875.1在审
发明人：王召;郭俊鑫;王振玉;侯宝红;郑静轩;孟大朋;张岸宇;杨紫坤;张小雨;李雨欣 -专利权人：天津大学
申请日： 2023-06-20 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： C01G15/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种利用冷等离子体调控氧化铟表面缺陷和相态的方法，其生产方法主要是先将氧化铟前体氢氧化铟置于介质阻挡放电等离子体反应装置中，随后通入气体，施加高压电击穿气体放电，从而产生等离子体，等离子体中的高能电子使得氢氧化铟分解形成不同相态氧化铟的同时还能够使氧化铟晶格中的氧原子逸出，从而在氧化铟表面产生氧缺陷。本方法操作简便，条件温和，时间短，能耗低，环境友好，在材料领域有着良好的应用前景。
一种等离子体调控氧化表面缺陷相态方法

[实用新型]一种氧化镓的生产系统-CN202320578163.2有效
发明人：唐正鹏;王磊;吴伟平 -专利权人：广东长信精密设备有限公司
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： C01G15/00 文献下载
摘要：本申请涉及氧化镓生产技术领域，公开了一种氧化镓的生产系统，包括依次导通的溶解釜、第一泵、中和釜、第二泵、离心机、煅烧炉，以及用于向溶解釜、中和釜供料的供料单元、用于向溶解釜、中和釜供热的供热单元，所述中和釜设有喷头，所述喷头用于向中和釜内物料的液面喷淋氨水。通过上述设计，使中和釜内的氨水与硝酸银的接触面积增大，进而提高反应均匀程度。
一种氧化生产系统

[发明专利]一种制备p型β-Ga2-CN202310500957.1在审
发明人：刘兴林;魏强民;黄俊;杨冰 -专利权人：湖北九峰山实验室
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C01G15/00 文献下载
摘要：本发明涉及半导体材料领域，具体涉及一种制备p型β‑Ga2O3的方法、制备得到的β‑Ga2O3及其应用。所述方法包括以下步骤：将β‑Ga2O3薄膜处理至氧空位浓度达到预设值后迅速冷却至室温，之后将处于超临界流体状态的N2O引入处理后的β‑Ga2O3薄膜中，180～220℃、≥7.26Mpa的条件下氧化处理30～60min氧化氧空位，最后将氧化处理后的β‑Ga2O3薄膜在550～650℃的温度下退火处理30～60min，即得。该方法基于N2O的超临界流体工艺来降低β‑Ga2O3氧化镓背景载流子浓度，提高深能级镓空位浓度和氮原子的有效掺杂，实现对β‑Ga2O3的本征缺陷和价带工程调控，制备得到的p型β‑Ga2O3，能够应用于双极型β‑Ga2O3基电力电子器件、射频器件。
一种制备 ga base sub

[发明专利]用于锂离子电池负极的多级孔氧化铟纳米管的制备方法-CN202310865615.X在审
发明人：李学磊;刘石;刘军;楠顶;董俊慧 -专利权人：内蒙古工业大学
申请日： 2023-07-14 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C01G15/00 文献下载
摘要：本发明公开用于锂离子电池负极的多级孔氧化铟纳米管的制备方法，包括如下步骤：步骤(1)、将铟盐和对苯二甲酸置于有机溶剂中在油浴条件下搅拌均匀，得到均相分散液；步骤(2)、将均相分散液继续加热并持续搅拌进行反应，待反应结束后自然冷却至室温，得到混合反应体系；步骤(3)、将混合反应体系进行抽滤，将抽滤得到的固体产物用无水乙醇洗涤并进行干燥，干燥结束后得到前驱体MIL‑68(In)；步骤(4)、将前驱体MIL‑68(In)置于管式炉中，在空气氛围下进行热解处理，热解处理结束后得到多级孔氧化铟纳米管。本发明可以解决现有的In2O3基负极材料存在循环性能、倍率性能差等问题。
用于锂离子电池负极多级氧化纳米制备方法

[发明专利]一种P-Ov-In2-CN202310662880.8在审
发明人：金占双;刘思雨;高雨萌;韩冰;李俊杰 -专利权人：河北北方学院
申请日： 2023-06-06 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C01G15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种P‑Ov‑In2O3纳米球的制备方法及其在锂硫电池隔膜中的应用，包括以下步骤：S1、向盛有乙二醇的玻璃瓶中加入In(NO3)3·2H2O，磁力搅拌直至溶液澄清透明；S2、然后将盛有步骤S1所得溶液的玻璃瓶放置于盛有次亚磷酸的反应釜内衬中，将反应釜置于鼓风干燥箱中反应，获得P‑Ov‑In2O3NSs沉淀；S3、最后将P‑Ov‑In2O3NSs沉淀通过去离子水和无水乙醇洗涤3次后，在鼓风干燥箱50℃下干燥24h，获得P‑Ov‑In2O3NSs纳米球。本发明采用上述的一种P‑Ov‑In2O3纳米球的制备方法及其在锂硫电池隔膜中的应用，合成同时含有磷掺杂和氧缺陷的In2O3纳米球(P‑Ov‑In2O3NSs)，使其作为修饰隔膜的材料，由于氧缺陷和磷掺杂的引入，表现出对Li2Sn较强的化学吸附/催化能力并提高了电子的传导速率。
一种 ov in base sub

[发明专利]一种多孔氧化铟纳米管及其合成方法与应用-CN202210427070.X有效
发明人：周卫;俞传鑫;李贞子;王世杰;郭莉萍 -专利权人：齐鲁工业大学
申请日： 2022-04-22 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： C01G15/00 文献下载
摘要：本发明属于新材料技术领域，涉及一种多孔氧化铟纳米管及其合成方法与应用。多孔氧化铟纳米管的合成方法为：采用铟盐与对苯二甲酸进行溶剂热反应获得前驱体，将所述前驱体洗涤干燥，然后进行阶梯升温处理，即得；所述阶梯升温处理为升温过程中的温度‑时间曲线呈阶梯状。本发明合成多孔氧化铟纳米管具有独特的结构，比表面大，具有较高的光催化性能，而且本发明的合成方法条件温和、便于操作并且有利于实现大规模生产。
一种多孔氧化纳米及其合成方法应用

[发明专利]一种回旋加速器制备的68-CN202110337418.1有效
发明人：毛献金;袁学涛;陆天鸿;李桂铤;王明芳;黄文涛 -专利权人：广东回旋医药科技股份有限公司
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： C01G15/00 文献下载
摘要：本发明提供一种回旋加速器制备的68Ga粗品的纯化方法。该方法是将回旋加速器制备的68Ga粗品先采用阳离子交换柱再采用阴离子交换柱纯化。或者是将回旋加速器制备的68Ga粗品先采用阳离子交换柱再采用阴离子交换柱然后再次采用阳离子交换柱纯化。本发明可用于纯化加速器制备的68Ga粗品溶液，过程简单易行，纯化所得的68GaCl3溶液，pH大于0.5，体积小于10ml，并且还可以进一步获得体积小于等于1ml的68GaCl3溶液，能够直接用于与含配体结构化合物进行络合，放化纯达到100％。
一种回旋加速器制备 base sup 68

[发明专利]一种二元过渡金属复合负极材料及其制备方法-CN202310689897.2在审
发明人：范浩森;王孟琪;杨伟 -专利权人：广州大学
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： C01G15/00 文献下载
摘要：本发明涉及电池负极材料技术领域，尤其是涉及一种二元过渡金属复合负极材料的制备方法，包括以下步骤：步骤1：将少层MXene、In(NO3)3和SbCl3通过超声分散在乙二醇中；步骤2：将硫脲通过物理搅拌分散在乙二醇中；步骤3：将步骤1得到的溶液与步骤2得到的溶液混合并搅拌均匀得到混合液，将混合液转移至内衬为聚四氟乙烯的水热釜中进行反应；步骤4：步骤3的反应结束，待降至室温取出内衬，将步骤3得到的溶液离心获得沉淀物，并进行清洗，烘干得到中间产物MXene@(SbIn)S；步骤5：将步骤4得到的中间产物MXene@(SbIn)S置于瓷舟放入充满惰性气体的管式炉内退火，待退火完成得到目标产物MXene@Sb/In2S3。本发明还提供一种上述制备方法制备所得到的二元过渡金属复合负极材料。
一种二元过渡金属复合负极材料及其制备方法

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