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[发明专利]氮化镓单晶衬底的制备方法-CN202010437129.4有效
发明人：卢敬权;庄文荣;孙明 -专利权人：东莞市中镓半导体科技有限公司
申请日： 2020-05-21 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化镓单晶衬底的制备方法，包括：1)提供一氮化镓模板，包括蓝宝石衬底、缓冲层、第一非掺杂或掺杂氮化镓层、超晶格量子阱层及第二非掺杂或掺杂氮化镓层；2)采用氢化物气相外延方法在氮化镓模板上外延生长第一氮化镓层；3)采用激光剥离方法将氮化镓模板中的蓝宝石衬底剥离，获得薄氮化镓单晶衬底；4)采用氢化物气相外延方法在薄氮化镓单晶衬上外延生长第二氮化镓层，获得厚氮化镓单晶衬底；5)将厚氮化镓单晶衬底进行研磨抛光，获得氮化镓单晶衬底本发明通过设置超晶格量子阱层，可以有效降低氮化镓单晶衬底与蓝宝石衬底之间的晶格失配，有效降低或避免氮化镓单晶衬底的翘曲，提高器件性能。
氮化镓单晶衬底制备方法

[发明专利]n型氮化镓自支撑衬底的制作方法-CN201911407202.7有效
发明人：卢敬权;何进密;任俊杰 -专利权人：东莞市中镓半导体科技有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种n型氮化镓自支撑衬底的制作方法，包括：在蓝宝石衬底上形成氮化镓模板层及非掺杂氮化镓层；剥离蓝宝石衬底，获得非掺杂薄氮化镓自支撑衬底；去除非掺杂薄氮化镓自支撑衬底中晶体质量最差的底层部分；在非掺杂薄氮化镓自支撑衬底上外延生长n型氮化镓层，获得n型厚氮化镓自支撑衬底；去除n型厚氮化镓自支撑衬底底部的非掺杂层；对n型厚氮化镓自支撑衬底进行研磨抛光，获得n型氮化镓自支撑衬底。本发明的n型氮化镓自支撑衬底的制作方法，在n型厚氮化镓自支撑衬底具有不同程度翘曲的情况下，可以将n型厚氮化镓自支撑衬底底部的非掺杂层完全去除，得到n型氮化镓自支撑衬底。
氮化支撑衬底制作方法

[发明专利]自支撑氮化镓层的制备方法-CN201911404413.5有效
发明人：特洛伊·乔纳森·贝克;王颖慧;罗晓菊 -专利权人：镓特半导体科技(上海)有限公司
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种自支撑氮化镓层的制备方法，包括如下步骤：提供衬底；于衬底上形成第一氮化镓层；于预设温度下向第一氮化镓层提供含氧气体或含氧气体预混气，以于第一氮化镓层的表面形成氧化镓颗粒层；于开口图形内及氧化镓颗粒层的表面形成第二氮化镓层；将得到的结构进行降温处理，使得第二氮化镓层剥离以得到自支撑氮化镓层。本发明可以根据需要形成所需直径和密度分布的氧化镓颗粒层；由于第二氮化镓层与第一氮化镓层的结合面有诸多氧化镓颗粒阻挡，导致二者之间形成疏松层，进而使得二者的接触力大大降低，在降温过程中又氮化镓与衬底之间存在热失配，在降温过程中即可将氮化镓层自动剥离下来，以形成自剥离氮化镓层。
支撑氮化制备方法

[发明专利]一种提高氮化镓基发光二极管电子迁移率的结构及其生产方法-CN201310118493.4无效
发明人：吴礼清;杨奎;蒋利民;郭丽彬 -专利权人：合肥彩虹蓝光科技有限公司
申请日： 2013-04-08 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种提高氮化镓基发光二极管电子迁移率的结构及其生长方法；所述结构自下而上依次为衬底、低温氮化镓缓冲层、高阻隔离层、第一非掺杂氮化镓层、第二非掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、多量子阱层、低温p型氮化镓层、p型铝镓氮层层、高温p型氮化镓层，本发明还涉及前述结构的生长方法，所述方法包括如下步骤，首先净化处理衬底，然后依次生长低温氮化镓缓冲层、高阻隔离层、第一非掺杂氮化镓层、第二非掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、多量子阱层、低温p型氮化镓层、p型铝镓氮层层、高温p型氮化镓层。本发明高阻隔离层电阻率高、漏电很小、夹断特性好，从而提高氮化镓基LED的发光效率，延长器件寿命。
一种提高氮化发光二极管电子迁移率结构及其生产方法

[实用新型]一种P型沟道氮化镓器件-CN202221668450.4有效
发明人：李波;杨红;张禹晨;王凯 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-06-29 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种P型沟道氮化镓器件，包括氮化镓衬底，所述氮化镓衬底的表面固定有氮化镓铝缓冲层，氮化镓铝缓冲层远离氮化镓衬底的一面固定有P型氮化镓层，在P型氮化镓层远离氮化镓铝缓冲层的表面两端固定有两个电极，所述电极采用引线与引脚连接；氮化镓衬底远离氮化镓铝缓冲层的表面与散热基岛固定连接，部分所述散热基岛的表面裸露于氮化镓器件的外部。所述氮化镓衬底、氮化镓铝缓冲层、P型氮化镓层、电极、引线、引脚以及散热基岛的外部通过塑封材料封装成一个整体结构。本实用新型通过在氮化镓衬底的背部增加散热基岛，能够增加器件整体的热辐射面积，提高散热效果。
一种沟道氮化器件

[发明专利]氮面III族/氮化物磊晶结构及其主动元件与其栅极保护元件-CN202010953963.9在审
发明人：黄知澍 -专利权人：黄知澍
申请日： 2020-09-11 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：在此氮面的氮化铝镓/氮化镓磊晶结构包含有一硅基底；一位于硅基底上的具碳掺杂的缓冲层；一位于缓冲层上的具碳掺杂的本质氮化镓层；一位于具碳掺杂的本质氮化镓层上的本质氮化铝镓缓冲层；一位于本质氮化铝镓缓冲层上的本质氮化镓通道层；以及一位于本质氮化镓通道层上的本质氮化铝镓层。在元件设计上，藉由将空乏型氮化铝镓/氮化镓高速电子迁移率晶体管连接至P型氮化镓栅极加强型氮化铝镓/氮化镓高速电子迁移率晶体管的栅极，藉此可以保护P型氮化镓栅极加强型氮化铝镓/氮化镓高速电子迁移率晶体管的栅极在任何栅极电压下操作都能够受到保护
iii 氮化物结构及其主动元件与其栅极保护

[发明专利]一种分离并回收砷化镓废料中镓砷的方法-CN202310518567.7在审
发明人：田庆华;刘左伟;许志鹏;郭学益 -专利权人：中南大学
申请日： 2023-05-09 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： C22B58/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种分离并回收砷化镓废料中镓砷的方法，包括以下步骤：(1)向砷化镓废料中加入碱和氧化剂选择性浸出砷化镓废料中和砷和镓，浸出完成后分离得到浸出渣和浸出液，浸出液经过多次循环浸出后得到循环浸出母液；(2)将循环浸出母液先加热，随后低温静置冷却结晶，待沉淀完全后分离结晶，得到砷酸钠晶体和一次富镓母液；(3)向一次富镓母液中加入沉砷剂二次沉砷，分离得到沉砷渣和二次富镓母液；(4)将二次富镓母液通过旋流电积回收其中的镓离子，得到金属镓。本发明的分离并回收砷化镓废料中镓砷的方法，该方法可得到高浓度的镓砷富集液，镓砷分离后，富镓母液中砷浓度低，有利于镓的电积回收。
一种分离回收砷化镓废料中镓砷方法

[发明专利]低铁4N镓的制取工艺-CN202010926106.X有效
发明人：许富军;曹金龙;刘军志;原泽蓓;王久福;许翔 -专利权人：中铝矿业有限公司
申请日： 2020-09-07 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： C25C1/22 文献下载
摘要：本发明公开了低铁4N镓的制取工艺，包括步骤一：将含镓溶液原液加入电解槽；步骤二：以0.137A/cm2的电流密度电解含镓溶液原液5个小时，电解槽内析出高铁金属镓；将电解槽内高铁金属镓取出并将电解槽内剩余的溶液作为低铁镓制取溶液；步骤三：以0.119A/cm2的电流密度电解步骤二中制得的低铁镓制取溶液，低铁镓制取溶液的电解时间控制在20个小时以内，电解槽内析出低铁金属镓，将低铁金属镓取出备用；步骤四：将步骤三中制得的低铁金属镓送至温度低于镓熔点的结晶槽内，进行结晶并制得低铁结晶镓。本发明能够降低4N镓产品中Fe的含量，保证4N镓产品能够满足制备高纯镓的质量标准，提高高纯镓的产出率。
制取工艺

[实用新型]一种适用于衬底化学剥离的氮化镓基LED外延结构-CN201821921880.6有效
发明人：武良文 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2018-11-21 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种适用于衬底化学剥离的氮化镓基LED外延结构，包括衬底、氧化镓牺牲层、保护层、氮化镓基外延功能层；其中：所述氧化镓牺牲层介于衬底与氮化镓基外延功能层之间,所述氧化镓牺牲层上设置有一个在高氮氢比载气环境下生长的保护层本实用新型的优点在于：采用氧化镓（Ga₂O₃）作为化学剥离的牺牲层，一方面氧化镓与氮化镓材料的晶格失配度较低，在氧化镓上可以成长出高品质的氮化镓基LED外延结构,另一方面氧化镓和弱酸容易发生反应而被去除（而氮化镓不会和弱酸发生反应），所以在一种有氧化镓牺牲层的氮化镓基LED外延结构中,可以利用弱酸溶液去除氧化镓牺牲层,完成衬底与氮化镓基LED外延结构层的剥离。
氧化镓牺牲层氮化镓基LED 衬底外延结构化学剥离氮化镓基外延本实用新型保护层功能层去除弱酸氮化镓材料晶格失配度外延结构层弱酸溶液氮化镓高品质高氮载气剥离生长

[实用新型]一种采用氢化物气相外延方法生长氮化镓材料的镓舟结构-CN201821365480.1有效
发明人：黄业;刘鹏;王健辉 -专利权人：东莞市中镓半导体科技有限公司
申请日： 2018-08-23 - 公布日： 2019-04-23 - 主分类号： C30B25/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种采用氢化物气相外延方法生长氮化镓材料的镓舟结构，包括镓舟组，镓舟上设有添加镓液口，镓舟组上设有入口和出口，所述镓舟组包括至少两个垂直叠加排布的镓舟，相邻的两个镓舟采用连接管道连接相通本实用新型使镓液接触面积和接触时间成倍增加，能高效率的转化氯化镓。
氢化物气相外延生长氮化镓材料本实用新型连接管道镓液垂直叠加高效率氯化镓面积和并联排布串联相通转化出口

[发明专利]具有低暗电流特性的谐振腔增强型光电探测器-CN200910237780.0无效
发明人：孙晓明;郑厚植;章昊 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2009-11-17 - 公布日： 2010-12-15 - 主分类号： H01L31/111 文献下载
摘要：一种具有低暗电流特性的谐振腔增强型光电探测器，包括：一砷化镓衬底；一砷化镓缓冲层生长在砷化镓衬底上；一谐振腔结构生长在砷化镓缓冲层上；一有源区生长在腔体下砷化镓层上，包括交替生长的铟镓砷量子点和砷化镓间隔层；一腔体中砷化镓层生长在有源区上；一势垒结构生长在腔体中砷化镓层上，包括依次生长的下铝镓砷层、砷化铝层、上铝镓砷层以及铝镓砷渐变层，其中下铝镓砷层和上铝镓砷层的组成成份都为Al0.45Ga0.55As，铝镓砷渐变层的组成成份为AlXGa1-XAs，沿着生长方向，X由0.45渐变至0；一腔体上砷化镓层生长在势垒结构上；一上反射镜生长在腔体上砷化镓层上，包括依次生长的上反射镜砷化铝层和上反射镜砷化镓层。
具有电流特性谐振腔增强光电探测器

[发明专利]一种镓掺杂晶硅的制作方法-CN201510626436.6在审
发明人：陈伟;肖贵云;李林东;金浩 -专利权人：晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2015-09-28 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本申请公开了一种镓掺杂晶硅的制作方法，包括：确定晶硅的目标电阻率；计算所需的镓原子数量；选择含镓化合物的种类；计算所需的所述含镓化合物的重量；将所述所需的含镓化合物进行装料；生长镓掺杂晶硅。本申请提供的上述镓掺杂晶硅的制作方法，由于利用含镓化合物制作镓掺杂晶硅，这类含镓化合物常温下为固态，便于储存和使用，而且单位质量的镓含量稳定，因此能够保证镓的掺杂更准确，保证对晶硅电阻率的准确控制。
一种掺杂制作方法

[发明专利]铜镓合金复合钠元素靶材的制造方法-CN201510347623.0在审
发明人：陈荣志;张瑞东 -专利权人：中国钢铁股份有限公司
申请日： 2015-06-23 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供了一种铜镓合金复合钠元素靶材的制造方法，包括以下步骤：(a)提供金属铜及金属镓；(b)真空熔炼金属铜及金属镓，形成铜镓合金溶液；(c)雾化该铜镓合金溶液，形成多个铜镓合金微液滴，并冷却上述铜镓合金微液滴，形成铜镓合金粉体；(d)混合该铜镓合金粉体与钠化合物粉体，形成铜镓合金-钠化合物复合粉体；及(e)利用电阻式热压法成型及致密化该铜镓合金-钠化合物复合粉体，制得铜镓合金复合钠元素靶材。
合金复合元素制造方法

[发明专利]一种砷化镓废料的回收方法-CN201810652482.7在审
发明人：谭明亮;李胜春;潘勇进;刘凯华 -专利权人：汉能新材料科技有限公司
申请日： 2018-06-22 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： C22B3/40 文献下载
摘要：本发明提供了一种砷化镓废料的回收方法，以解决砷化镓废料回收过程中镓的电沉积电流效率较低甚至难以提纯，并会产生大量废水的问题，包括以下步骤：S1.将砷化镓废料加入酸溶液中浸出，得到含镓的浸出液；S2.使用包含憎水基团的离子液体和有机萃取剂协同萃取含镓的浸出液中的镓，得到负载镓的有机相；S3.对负载镓的有机相通电，电沉积得到镓。上述砷化镓废料的回收方法用于回收砷化镓废料，能够有效提高镓的电沉积电流效率，并减少废水的生成，简化工艺步骤。
砷化镓电沉积回收电流效率浸出液废水简化工艺步骤有机萃取剂废料回收离子液体协同萃取憎水基团酸溶液有机相提纯浸出相通

[发明专利]氮化镓高电子迁移率晶体管及其制造方法-CN202010782423.9在审
发明人：韦维克;陈柏安 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2020-08-06 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种氮化镓高电子迁移率晶体管及其制造方法，其中，该氮化镓高电子迁移率晶体管，包括基板。氮化镓层设置在该基板上。氮化铝镓层设置在该氮化镓层上，其中该氮化铝镓层有一平坦表面。栅极层包含第一P导电型氮化镓层，设置在该平坦表面上与该氮化铝镓层接触。源极层设置在该氮化铝镓层上，位于该栅极层的第一边。第二P导电型氮化镓层埋入在该氮化镓层中。漏极层设置在该栅极层的第二边，穿过该氮化铝镓层与该第二P导电型氮化镓层接触。
氮化电子迁移率晶体管及其制造方法