“杰力科技股份有限公司”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果41个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]氮化镓高电子移动率晶体管及其栅极结构-CN201910141573.9有效
发明人：刘莒光;杨弘堃 -专利权人： 杰力科技股份有限公司
申请日： 2019-02-26 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化镓高电子移动率晶体管的栅极结构，包括一异质结构、一掺杂氮化镓层、一绝缘层、一未掺杂氮化镓层以及一栅极金属层。异质结构包括一信道层与位于所述信道层上的一阻障层。掺杂氮化镓层位于所述阻障层上，绝缘层则位于掺杂氮化镓层的顶部的两侧边，且未掺杂氮化镓层是位于掺杂氮化镓层与绝缘层之间。栅极金属层则位于掺杂氮化镓层上，并覆盖绝缘层与未掺杂氮化镓层。所述未掺杂氮化镓层能保护其下的掺杂氮化镓层，而绝缘层则具有防止栅极漏电的效果。
氮化电子移动晶体管及其栅极结构

[发明专利]氮化镓高电子移动率晶体管的栅极结构的制造方法-CN201910141595.5有效
发明人：刘莒光;杨弘堃 -专利权人： 杰力科技股份有限公司
申请日： 2019-02-26 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化镓高电子移动率晶体管的栅极结构的制造方法，包括在基板上依序形成一信道层、一阻障层、一掺杂氮化镓层、一未掺杂氮化镓层以及一绝缘层，再移除部分绝缘层，以形成一沟槽。在所述基板上形成一栅极金属层，覆盖绝缘层与沟槽，然后在栅极金属层上形成对准沟槽的一掩膜层，其中掩膜层与绝缘层部分重叠。利用所述掩膜层作为蚀刻掩膜，去除暴露出的栅极金属层及其下方的绝缘层、未掺杂氮化镓层以及掺杂氮化镓层，之后移除掩膜层。
氮化电子移动晶体管栅极结构制造方法

[发明专利]沟槽式金属氧化物半导体场效应管器件及其制造方法-CN202010113782.5有效
发明人：刘莒光;罗祎仑 -专利权人： 杰力科技股份有限公司
申请日： 2020-02-24 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种沟槽式金属氧化物半导体场效应管器件及其制造方法。所述器件包括基板、具有第一导电型的外延层、位于外延层中的沟槽内的栅极、栅氧化层、具有第一导电型的源极区、具有第二导电型的本体区与抗击穿掺杂区。抗击穿掺杂区是位于本体区与源极区的界面，且其掺杂浓度高于本体区的掺杂浓度。外延层具有接近源极区的第一pn结和接近基板的第二pn结。以两个pn结之间划分为N等分的N个区域，N是大于1的整数。所述N个区域内的掺杂浓度愈接近第一pn结愈大。所述N个区域分别具有一掺杂浓度积分面积，且所述N个区域中愈接近第一pn结的区域的掺杂浓度积分面积愈大。通过抗击穿掺杂区使该处具有陡峭的浓度分布，因此改善器件的UIS能力。
沟槽金属氧化物半导体场效应器件及其制造方法

[发明专利]氮化镓高电子迁移率晶体管-CN202110601772.0在审
发明人：刘莒光;杨弘堃 -专利权人： 杰力科技股份有限公司
申请日： 2021-05-31 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化镓高电子迁移率晶体管，包括：基板、成核层、缓冲层、信道层、阻挡层、栅极、源极、漏极、以及第一p型氮化镓岛。成核层设置在基板上。缓冲层设置在成核层上。信道层设置在缓冲层上。阻挡层设置在信道层上。栅极设置在阻挡层上。源极设置在栅极的第一侧的阻挡层上。漏极设置在栅极的第二侧的阻挡层上。栅极的第二侧是相对于栅极的第一侧。多个第一p型氮化镓岛分别设置在漏极的第一侧与栅极的第二侧之间，其中所述多个第一p型氮化镓岛电位是浮动的。
氮化电子迁移率晶体管

[发明专利]负载开关的控制电路-CN202010102239.5有效
发明人：简铭宏;杨珮婷;李敬赞 -专利权人： 杰力科技股份有限公司
申请日： 2020-02-19 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： G05F3/26 文献下载
摘要：本发明提供一种负载开关的控制电路，其包括电荷泵电路、振荡器以及电流信号产生器。电荷泵电路依据时脉信号以产生控制信号。负载开关依据控制信号以导通或断开。振荡器依据控制电流以产生时脉信号。电流信号产生器提供一电阻串以接收电源电压。电流信号产生器的电阻串依据电源电压以产生感测电流或感测电压。电流信号产生器并依据感测电流的倒数或感测电压的平方以产生控制电流。其中，时脉信号的频率与电源电压的电压值呈负相关。
负载开关控制电路

[实用新型]沟槽式功率半导体装置-CN202220686841.2有效
发明人：刘莒光 -专利权人： 杰力科技股份有限公司
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本实用新型提供一种沟槽式功率半导体装置，包括基板、外延层、漏极电极、第一有源器件、第二有源器件以及数个隔离沟槽结构。外延层设置于基板的一面，漏极电极设置于基板的另一面。第一有源器件设置于外延层的第一部分中，并具有第一源极电极与第一栅极电极。第二有源器件设置于外延层的第二部分中，并具有第二源极电极与第二栅极电极。隔离沟槽结构设置于外延层的所述第一部分与所述第二部分之间，以电隔离第一有源器件与第二有源器件。本实用新型提供的沟槽式功率半导体装置，能改善同一基板上的两个有源器件之间的电性隔绝能力，以且不需要额外长时间的热氧化处理或额外的光掩膜工艺。
沟槽功率半导体装置

[发明专利]电源电路-CN201910705279.6有效
发明人：简铭宏;李敬赞 -专利权人： 杰力科技股份有限公司
申请日： 2019-08-01 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H02M1/36 文献下载
摘要：本发明提供一种电源电路，其包括开关电路以及软启动控制电路。开关电路的第一端用以接收输入电压。开关电路的控制端用以接收控制信号。开关电路的第二端用以提供输出电压。软启动控制电路耦接开关电路的第二端以接收输出电压，用以根据输出电压以及第一参考电压产生控制信号以控制开关电路的导通状态。在开关电路被导通之后且当控制信号的电压值等于第二参考电压时，软启动控制电路将控制信号的斜率自第一斜率切换至第二斜率，其中第一斜率小于第二斜率以降低开关电路被导通时的涌浪电流。
电源电路

[发明专利]电源开关电路-CN201910978596.5有效
发明人：李敬赞;吴克伟;杨珮婷 -专利权人： 杰力科技股份有限公司
申请日： 2019-10-15 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H02M1/36 文献下载
摘要：本发明提供一种电源开关电路，其包括第一晶体管、第二晶体管及控制电路。第一晶体管的第一端作为电源开关电路的输入端。第一晶体管的第二端耦接节点。第一晶体管的控制端接收第一控制电压。第二晶体管的第一端作为电源开关电路的输出端。第二晶体管的第二端耦接节点。第二晶体管的控制端接收第二控制电压。控制电路检测节点的电压以判断第一晶体管与第二晶体管间的串接型态，且根据此串接型态产生第一控制电压及第二控制电压，以在完全导通第一晶体管及第二晶体管的其中一者后，才开始控制第一晶体管及第二晶体管的其中另一者的导通状态。
电源开关电路

[发明专利]电压转换电路及其控制电路-CN201810561436.6有效
发明人：李敬赞;吴克伟;简铭宏 -专利权人： 杰力科技股份有限公司
申请日： 2018-06-04 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H02H7/12 文献下载
摘要：本发明提供一种电压转换电路及其控制电路。控制电路包括电压状态比较器以及控制信号产生器。电压状态比较器接收输入电压以及输出电压，并提供基准电压。电压状态比较器依据输入电压的电压状态，使输出电压的电压值与输入电压与或基准电压的电压值进行比较，并藉以产生比较结果。电压状态比较器并依据比较结果产生偏压电压。控制信号产生器依据偏压电压以产生控制信号，并传送控制信号至驱动开关的控制端，其中，驱动开关依据控制信号以被导通或被断开。
电压转换电路及其控制电路

[发明专利]功率金氧半导体场效晶体管-CN201610421831.5有效
发明人：刘莒光 -专利权人： 杰力科技股份有限公司
申请日： 2016-06-15 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种功率金氧半导体场效晶体管，包括基板、半导体层、第一栅极、第二栅极、热氧化物层、第一化学气相沉积氧化物层以及栅极氧化层。半导体层形成于基板上并具有至少一沟槽。第一栅极位于沟槽内。第二栅极位于第一栅极上的沟槽内，其中第二栅极具有第一部分及第二部分，且第二部分位于半导体层及第一部分之间。热氧化物层位于第一栅极与半导体层之间。第一化学气相沉积氧化物层则在第一栅极与第二栅极之间。栅极氧化层一般位于第二栅极与半导体层之间。本发明提供的功率金氧半导体场效晶体管能在高电压场下维持功率金氧半导体场效晶体管的效能，并且使功率金氧半导体场效晶体管的制造信赖性获得提升。
功率半导体晶体管

[发明专利]电压转换电路及其控制电路-CN201810781346.8有效
发明人：李敬赞;杨珮婷;简铭宏 -专利权人： 杰力科技股份有限公司
申请日： 2018-07-17 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：本发明提供一种电压转换电路及其控制电路。控制电路包括比较器、时脉产生器以及升压电路。比较器对输入电压的电压值与输出电压的电压值进行比较，以产生比较信号。时脉产生器依据比较信号产生时脉信号，使得时脉信号在第一时间区间具有第一频率，且在第二时间区间具有第二频率，其中第一频率高于第二频率，且第一时间区间发生在第二时间区间之前。升压电路接收时脉信号。升压电路在第一时间区间依据第一驱动能力拉高驱动开关的控制信号，并在第二时间区间依据第二驱动能力产生控制信号，其中第一驱动能力大于第二驱动能力。
电压转换电路及其控制电路

[发明专利]电压转换电路及其控制电路-CN201810940286.X有效
发明人：李敬赞;杨珮婷 -专利权人： 杰力科技股份有限公司
申请日： 2018-08-17 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：本发明提供一种电压转换电路及其控制电路。控制电路包括电压选择电路、缓冲电路以及下拉开关。电压选择电路接收输入电压以及输出电压，并选择输入电压以及输出电压中电压值较小者作为选中电压。缓冲电路接收选中电压，并提供选中电压以作为参考电压。下拉开关的控制端接收致能信号，以依据致能信号而被导通或被断开，其中，下拉开关依据致能信号而导通，以将驱动开关的控制端的电压拉低至参考电压，并使驱动开关被断开。
电压转换电路及其控制电路

[发明专利]电压转换装置-CN201810486462.7有效
发明人：郭岳龙 -专利权人： 杰力科技股份有限公司
申请日： 2018-05-21 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：本发明提供一种电压转换装置，包括第一比较器、第二比较器、固定导通时间信号产生器、驱动级电路、电感以及参考信号产生器。第一比较器比较反馈信号以及第一参考信号以产生第一比较结果。第二比较器比较第一比较结果以及第二参考信号以产生第二比较结果。固定导通时间信号产生器产生固定导通时间信号。参考信号产生器在第一时间区间依据输入电压或驱动信号产生下降的第二参考信号，并在第二时间区间产生依据设定斜率上升的第二参考信号。参考信号产生器依据固定导通时间信号来设定第一时间区间以及第二时间区间。
电压转换装置

[发明专利]功率金氧半导体场效晶体管的制造方法-CN201610415528.4有效
发明人：刘莒光 -专利权人： 杰力科技股份有限公司
申请日： 2016-06-15 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供一种功率金氧半导体场效晶体管的制造方法，包括于基板上形成半导体层，于半导体层中形成至少一第一沟槽，于沟槽的表面形成热氧化物层，于第一沟槽内形成第一栅极，于第一沟槽内的第一栅极上形成化学气相沉积氧化物层，于第一沟槽内的化学气相沉积氧化物层上形成掩膜层，而使掩膜层与热氧化物层之间形成有第二沟槽，再于第二沟槽内形成第二栅极。因此，本发明能制作出在高电压场下可维持效能的功率金氧半导体场效晶体管，并且可使其制造信赖性获得提升。
功率半导体晶体管制造方法

[发明专利]电源转换装置-CN201510601578.7有效
发明人：杨博宇 -专利权人： 杰力科技股份有限公司
申请日： 2015-09-21 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： H02M7/217 文献下载
摘要：本发明提供一种电源转换装置，包括变压器、同步整流晶体管以及同步整流控制电路。变压器的一次侧的第一端用以接收输入电压。变压器的二次侧的第一端用以输出直流电压。同步整流晶体管的漏极端耦接变压器的二次侧的第二端。同步整流晶体管的源极端耦接接地端。同步整流控制电路接收同步整流晶体管的漏极端的信号以做为检测信号，并据以产生工作周期信号。同步整流控制电路将工作周期信号转换为充电电流与放电电流以对储能元件进行充放电并据以产生第一电压，且根据第一电压来禁能同步整流晶体管。本发明可避免功率开关的导通时间区间与同步整流晶体管的导通时间区间发生重叠而产生噪声，且可避免造成电源转换装置内部电路元件的损坏。
电源转换装置

1
2
3
下一页»
尾页
共 41 条