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[发明专利]显示面板及其制备方法-CN202210354175.7在审
发明人：谭文健;熊自阳 -专利权人：成都辰显光电有限公司
申请日： 2022-04-02 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种显示面板及其制备方法。显示面板包括至少两个子显示面板，相邻两个子显示面板相拼接，相邻两个子显示面板之间具有拼接缝，子显示面板包括基板以及位于基板一侧的多个子像素单元；封装部，封装部位于基板靠近多个子像素单元的一侧，封装部覆盖位于拼接缝的至少一侧的至少一个子像素单元，并覆盖至少一个子像素单元对应的拼接缝区域。本发明的技术方案，有助于增加相邻子显示面板之间的拼接缝对应区域的出光，从而对拼接缝对应区域的光强进行补偿，有助于降低拼接缝的视觉存在感，并均衡显示面板的整体显示效果。
显示面板及其制备方法

[发明专利]一种阵列基板、显示面板及其制备方法-CN202111436732.1在审
发明人： 熊自阳;谭文健 -专利权人：成都辰显光电有限公司
申请日： 2021-11-29 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本申请公开了一种阵列基板、显示面板及其制备方法，其中，阵列基板包括：衬底；多个背板电极，间隔设置于所述衬底的第一表面一侧；形变层，层叠设置于所述衬底和所述多个所述背板电极之间；其中，所述形变层包括间隔设置的多个形变单元，所述形变单元可在层叠方向上发生形变，且每个所述形变单元在所述第一表面的正投影覆盖至少一个所述背板电极在所述第一表面的正投影。通过上述方式，能够利用形变层的形变量补偿发光芯片的发光面不在同一高度的缺陷，有效提升显示效果。
一种阵列显示面板及其制备方法

[发明专利]一种临时基板以及发光元件的转移方法-CN202111421641.0在审
发明人：谭文健;熊自阳;朱平;刘娜;王兴发;胡鹏君;张国涛 -专利权人：成都辰显光电有限公司
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本申请公开了一种临时基板，临时基板包括：衬底；形变层，设置于衬底的一侧，形变层可在外力作用下发生形变；键合胶层，至少部分键合胶层覆盖于形变层远离衬底的一侧，键合胶层可在形变层的形变作用下发生形变；临时基板用于与至少一个发光元件配合，发光元件至少部分嵌入在键合胶层内，形变层在外力作用下发生形变，键合胶层在形变层的形变作用下发生形变，至少一个发光元件嵌入键合胶层内的深度减小。通过上述方式，能够降低发光元件与临时基板之间的粘附力，提高拾取良率。
一种临时以及发光元件转移方法

[发明专利]驱动背板和键合方法-CN202111274818.9在审
发明人： 熊自阳;宋玉华;董小彪;葛泳;谭文健 -专利权人：成都辰显光电有限公司
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本申请公开了一种驱动背板和键合方法，属于显示技术领域。本申请提供的驱动背板包括背板主体和设置于背板主体第一表面的可形变层。其中，背板主体的第一表面具有多个用于与LED芯片键合的键合区域，且键合区域与LED芯片在第一表面上的正投影重合。可形变层设置有多个贯通的第一开孔，一个第一开孔与一个键合区域对应，第一开孔在第一表面的正投影的边缘位于对应的键合区域的外围，且可形变层背离背板主体的表面超出LED芯片背离背板主体的表面。在将LED芯片转移至键合区域上时，可形变层发生形变，第一开孔的尺寸变小，且变小后的至少部分第一开孔在第一表面的正投影位于键合区域之内。本申请驱动背板能够提高巨量转移过程的转移良率。
驱动背板方法

[发明专利]卷曲式显示装置及工作方法-CN202010280277.X有效
发明人：周鹏;鲍建东;赖韦霖;熊自阳;王计伟 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
申请日： 2020-04-10 - 公布日： 2023-02-07 - 主分类号： H10K59/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种卷曲式显示装置及工作方法，属于显示技术领域。卷曲式显示装置，包括：柔性显示屏，构造为通过柔性显示屏的至少一部分来显示画面；卷绕柔性显示屏的卷屏机构，用于带动柔性显示屏展开或将柔性显示屏卷起，在将柔性显示屏部分展开时，柔性显示屏的显示区分为暴露的有效显示区和未暴露的无效显示区；检测机构，用于检测有效显示区的面积；处理机构，用于根据有效显示区的面积将柔性显示屏的原始画面数据调整为与有效显示区匹配的画面数据，并利用调整后的画面数据在有效显示区进行画面显示。通过本发明的技术方案，能够实现卷曲式显示装置在部分展开时可正常显示，显示画面的大小随卷曲长度的不同变化。
曲式显示装置工作方法

[发明专利]多量子阱结构的钙钛矿发光二极管及其制备方法-CN201810608991.X有效
发明人：高春红;王润;丁磊;玉福星;张月;马兴娟;贾亚兰;熊自阳;周东叶;姚丹 -专利权人：西南大学
申请日： 2018-06-13 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明公开了由CsPbBr3/TmPyPB构成的多量子阱结构的卤素钙钛矿发光二极管，研究了多量子阱结构对于钙钛矿发光二极管电致发光性能和稳定性的作用。本发明中最优器件是量子阱数为4的器件，器件的最大电流效率为9.16cd/A，最大的外量子效率为2.37％。与量子阱数为1的参考器件相比，电流效率和外量子效率提高了4倍多。同时，量子阱数为4的器件的稳定性与单量子阱器件的稳定性相比，是其50倍。器件性能的提高主要是因为薄膜质量得到改善，电子的注入和传输性能得到提高，扩大了激子形成区域，以及提高激子的约束能力，其最根本的原因是多量子阱结构的引入。
多量结构钙钛矿发光二极管及其制备方法

[发明专利]一种基于钙钛矿复合薄膜的发光二极管及其制备方法-CN201810409574.2有效
发明人：高春红;玉福星;周东叶;熊自阳;马兴娟;张月;贾亚兰;王润 -专利权人：西南大学
申请日： 2018-05-02 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明通过将电子传输材料和磷光敏化剂添加到无机铯卤化物钙钛矿CsPbBr3中以获得平整以及全覆盖的钙钛矿薄膜，并基于该复合钙钛矿薄膜作为发光层制备高性能绿光PeLEDs，提高了载流子传输的平衡和增加内量子效率以进一步提高钙钛矿发光器件的发光效率和工作寿命。
一种基于钙钛矿复合薄膜发光二极管及其制备方法

[发明专利]一种掩膜板及其制备方法和采用其的蒸镀方法-CN202010294640.3在审
发明人： 熊自阳;赖韦霖;鲍建东 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
申请日： 2020-04-15 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本发明提供一种掩膜板及其制备方法和采用其的蒸镀方法。该掩膜板包括框架和掩膜网，框架包括边框和连接边框的至少一个支架，支架将边框围设形成的区域分隔为至少两个张网区；掩膜网包括至少两个，各掩膜网分别对应张网于各张网区，且掩膜网的四周边缘均分别与围设形成张网区的框架固定连接。该掩膜板，通过支架将边框围设形成的区域分隔为至少两个张网区，能够使掩膜板张网区域的面积缩小，从而减小了掩膜网在张网过程中发生褶皱的风险，且能够实现掩膜网的四边张网，四边张网能够大大改善掩膜网由于重力过大而发生下垂的现象，提升采用该掩膜板的蒸镀精度，从而改善阴影效应和混色风险，提高采用该掩膜板的蒸镀质量。
一种掩膜板及其制备方法采用

[发明专利]一种基于复合激子回收层的纯无机钙钛矿发光二极管及其制备方法-CN201810515020.0有效
发明人：高春红;熊自阳;姚丹;玉福星;张月;马兴娟;王润;贾亚兰 -专利权人：西南大学
申请日： 2018-05-25 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明通过将TmPyPB:FIrpic复合激子回收层插入EML(CsPbBr
回收层激子制备复合电子传输层发光二极管三重态激子无机钙钛矿开启电压器件性能最大电流单重态发光制作

[发明专利]一种薄膜制备装置-CN201610334001.9有效
发明人：高春红;孙卫伟;陈忠阳;王治强;熊自阳 -专利权人：西南大学
申请日： 2016-05-19 - 公布日： 2018-03-23 - 主分类号： B05C13/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜制备装置，包括金属网、柔性基层、传送带、滴料机构和磁块，所述金属网平展的支撑固定在机架上，所述柔性基层平铺放置于金属网表面，所述滴料机构将液态的薄膜材料滴落在柔性基层表面上，传送带设在金属网下方并由所述驱动电机驱动匀速运动，所述多个磁块等间距的固设在传送带表面上。本装置能够提高薄膜均匀程度，并实现膜内部分子有序排列。
一种薄膜制备装置

[发明专利]一种复合薄膜和有机发光二极管及其制备方法-CN201710688589.2在审
发明人：高春红;张月;马兴娟;玉福星;熊自阳;贾亚兰 -专利权人：西南大学
申请日： 2017-08-12 - 公布日： 2017-12-08 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明提供了一种复合薄膜和基于该复合薄膜的有机发光二极管，所述复合薄膜具有双激子阻挡能力，由全无机钙钛矿和具有高的激子能量的有机载流子传输小分子材料组成，其中全无机的钙钛矿薄膜和有机小分子材料可以通过旋涂法、蒸镀法、喷墨打印法、刮涂法、化学气相沉积法等方法制备。该复合薄膜具有很好的单线态激子和三线态激子阻挡能力。该复合薄膜在有机发光二极管中作为空穴传输层，具有良好的光电性能，比传统的有机小分子作为空穴传输层的器件的电致发光效率明显提高。
一种复合薄膜有机发光二极管及其制备方法

[发明专利]一种全无机钙钛矿薄膜的制备方法-CN201710450803.0在审
发明人：高春红;马兴娟;刘大鹏;张月;玉福星;熊自阳;王治强 -专利权人：西南大学
申请日： 2017-06-15 - 公布日： 2017-09-29 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本发明提供了一种全无机钙钛矿薄膜的制备方法，包括以下步骤(1)采用控温技术，在一定温度下，将PbX2和CsX(X＝Br，Cl，I)粉末溶解到有机溶剂中，得到混合溶液；(2)将上述混合溶液旋涂到基片上；(3)将旋涂好的基片静置一段时间得到全无机钙钛矿薄膜。其中步骤(3)采用抽真空方法抽走膜面多余的有机溶剂，此方法较传统退火薄膜干燥法更简便易操作，而且获得的钙钛矿薄膜覆盖率更大(接近100％)，颗粒更小，电致发光器件的性能更加优益。本发明所述方法技术简单，成本低，有利于推进全无机钙钛矿电致发光器件的大规模生产。
一种无机钙钛矿薄膜制备方法

[实用新型]一种基于氯化铟水溶性薄膜的OLED器件-CN201620681635.7有效
发明人：高春红;孙卫伟;王治强;熊自阳;秦伟红;连心 -专利权人：西南大学
申请日： 2016-07-01 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于氯化铟水溶性薄膜的OLED器件，包括：玻璃基层；ITO透明阳极，该ITO透明阳极是设在玻璃基层上的ITO薄膜；氧化铟水溶性薄膜，其设在所述ITO透明阳极上作为空穴注入层；空穴传输层，设在所述氧化铟水溶性薄膜上；发光层，设在所述空穴传输层上；电子传输层，设在所述发光层上；电子注入层，设在所述电子传输层上；阴极，设在所述电子注入层上。本实用新型不仅能够有效地提高器件的阳极空穴注入能力，提高器件的发光效率和稳定性，还能降低制备成本，对环境友好。
一种基于氯化水溶性薄膜 oled 器件

[实用新型]用于笔记本电脑的电源插座-CN201620155128.X有效
发明人：高春红;陈卓;王治强;熊自阳;孙卫伟;秦伟红 -专利权人：西南大学
申请日： 2016-03-01 - 公布日： 2016-07-27 - 主分类号： H01R13/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于笔记本电脑的电源插座，包括插座正极、插座负极和用于固定插座正极、插座负极的绝缘固定体；所述插座负极呈环状，所述插座正极呈外端开口的筒状，且插座正极位于插座负极的中间，并在插座正极外设有绝缘层，在插座正极的侧壁和插座负极的侧壁上均开设有多个小孔。本实用新型能够防止笔记本电脑内部元器件被过大的电流烧毁。
用于笔记本电脑电源插座

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