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[发明专利]提高FBAR滤波器制备良率的方法以及FBAR滤波器-CN201910797090.4在审
发明人：李国强 -专利权人：河源市众拓光电科技有限公司
申请日： 2019-08-27 - 公布日： 2019-12-27 - 主分类号： H03H9/54 文献下载
摘要：本发明提供一种提高FBAR滤波器制备良率的方法以及FBAR滤波器，该方法包括：在第一基板上生成压电薄膜，并形成至少一个第一电极；形成支撑层，对支撑层进行刻蚀形成第一支撑层空腔，在支撑层一侧形成第一键合层；在键合衬底的一侧第二键合层，另一侧形成至少一个标记点，在键合衬底上形成贯穿键合衬底的第一通孔；将第一键合层与第二键合层键合连接，去除第一基板，在压电薄膜远离第一电极一侧形成顶电极以及与第一电极连接的电极上引结构本在制备过程中无需使用牺牲层，保留了压电薄膜的完整性，并且这种在键合衬底上开孔的结构设计，结构稳定，不易塌陷，可以很好的改善压电薄膜的品质。
压电薄膜键合层支撑层第一电极第一基板键合连接结构稳定制备过程电极标记点顶电极上开孔牺牲层刻蚀空腔良率上引通孔去除制备塌陷贯穿保留

[发明专利]一种高过载扭摆式硅微加速度计及其制备方法-CN202210211524.X在审
发明人：虢晓双;王北镇;严铖;朱建强;熊亮;周军雷;杨靖;张新凯;黎傲雪 -专利权人：湖南天羿领航科技有限公司
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： G01P15/125 文献下载
摘要：本发明公开了一种高过载扭摆式硅微加速度计及其制备方法，本发明的高过载扭摆式硅微加速度计包括SOI电极结构层和硅敏感结构，SOI电极结构层上设有三个静电电容区域及对应的引线盘，硅敏感结构包括质量块及其中部刻蚀形成的键合块和支撑梁，质量块两侧质量不同且与三个静电电容区域相对间隙布置形成平面电容结构，键合块通过支撑梁与质量块相连，键合块与SOI电极结构层之间通过键合锚点键合连接使得键合块与SOI电极结构层两者的键合平面悬空布置。本发明能极大程度减小晶圆级键合应力，提高硅微加速度计抗过载能力，保障了产品的使用寿命和长期可靠性，能提高硅敏感结构与电极层之间键合平整度，改善电容间隙一致性，加工精度更高。
一种过载扭摆式硅微加速度计及其制备方法

[发明专利]一种功率模块电极针内部连接结构及功率模块-CN202210422372.8在审
发明人：殷志柱;胡晓羽 -专利权人：上海电气集团股份有限公司
申请日： 2022-04-21 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明提供一种功率模块电极针内部连接结构及功率模块，属于功率模块技术领域，包括：预先注塑有电极针的外壳；设置于外壳内部的绝缘基板，绝缘基板具有导电铜带；绝缘基板通过导电铜带与电极针的底部分别通过铜铜键合工艺相连接有益效果：本发明的绝缘基板采用导电铜带作为连接介质与和电极针进行铜铜键合，相比铝丝键合的连接方式，导电铜带的连接面积增大，超声波功率高，降低了键合工艺要求；并且由于并非是直接对绝缘基板和电极针进行铜铜键合工艺处理，避免了在键合过程中破坏陶瓷从而导致其绝缘能力降低的风险；同时键合点处产生的热量可以从绝缘基板进行散热，降低了对塑料外壳和电极针的材料要求，可大幅降低成本。
一种功率模块电极内部连接结构

[发明专利]四氧杂杯[2]芳烃[2]三嗪键合硅胶固定相及其制备方法与应用-CN201110002896.3无效
发明人：张书胜;赵文杰;于阿娟;梁松;程远;胡锴;冶保献 -专利权人：郑州大学
申请日： 2011-01-07 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： B01J20/283 文献下载
摘要：本发明公开了一种键合量高，键合层稳定的四氧杂杯[2]芳烃[2]三嗪键合硅胶固定相，其具体制备方法为在无水碳酸钾存在下，将3-氨丙基三乙氧基硅烷化硅胶与四氧杂杯[2]芳烃[2]三嗪在N2中于30-90℃下反应，即可制得四氧杂杯[2]芳烃[2]三嗪键合硅胶固定相；实验结果表明，采用本方法合成的杯芳烃键合固定相具有键合量较高，键合层稳定，方法简便，制备成本较低、制备方法适用面较广等特点。它不仅具有传统的ODS反相色谱性能，同时能提供包容络合、氢键作用、π-π作用、及空间匹配等多种作用位点。因而在一定程度上能够替代ODS，同时也为难分离的物质提供了分离的可能性。
四氧杂杯芳烃三嗪键合硅胶固定及其制备方法应用

[发明专利]一种分布式超声引线键合质量在线检测系统-CN200810017383.8无效
发明人：冯武卫;孟庆丰;詹华 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2008-01-22 - 公布日： 2008-08-13 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种分布式超声引线键合系统键合点质量在线检测系统，该系统由主计算机、数据库服务器和网络打印机构成的质量检测中心DTC；局域网总线和网关服务器构成的局域网；隔离放大电路、开关量转换电路、A/D本发明以超声键合系统压电换能器的输入电信号作为识别键合质量的信息载体，利用DSP终端对此电信号进行采集和预处理，并将数据经过局域网发送到质量检测中心DTC，通过运行主计算机中设置的键合质量在线诊断和检测程序，实现超声键合系统键合质量的在线检测。
一种分布式超声引线质量在线检测系统

[实用新型]一种QFP四方扁平封装引线框架键合固定夹具-CN202023092686.1有效
发明人：李阳;周恒;刘金丽;谌帅业;蔡景洋;聂平健;张超超;商登辉 -专利权人：贵州振华风光半导体股份有限公司
申请日： 2020-12-21 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：一种QFP四方扁平封装引线框架键合固定夹具，包括：夹具底板、夹具压板。底板固定孔；QFP引线框架定位框的形状与QFP引线框架的形状一致，QFP引线框架定位框的平面尺寸略大于QFP引线框架的平面尺寸，QFP引线框架定位框的深度略小于QFP引线框架的厚度；夹具压板包括：压板本体，键合窗口，键合窗口斜面，压板固定孔；键合窗口贯穿所述压板本体，顶面开口尺寸大于底面开口尺寸，顶面开口与底面开口之间形成键合窗口斜面，底面开口尺寸确保露出整个引脚键合点区域。解决了QFP所有引脚键合位置必须固定在同一平面上的等问题，广泛应用于各种不同厚度的QFP封装。
一种 qfp 四方扁平封装引线框架固定夹具

[发明专利]短的和低的回路丝线键合-CN201410025484.5有效
发明人：刘兆合;刘卉林 -专利权人：嘉盛马来西亚公司
申请日： 2012-02-09 - 公布日： 2017-08-25 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明涉及短的和低的回路丝线键合，一种多管芯封装包括各自具有其上布置有多个键合焊垫（106a/b，206a/b，406a/b，506a/b，706a/b）的上表面的第一半导体管芯和第二半导体管芯。多管芯封装还包括多根键合丝线（102，202，402），每根键合丝线将在第一半导体管芯的上表面上的键合焊垫之一耦接至在第二半导体管芯的上表面上的对应的一个键合焊垫。该多根键合丝线中的键合丝线具有布置于平面上方的一高度处的扭折（114，414，418，514，518），布置于第一半导体管芯与扭折之间的第一凸点（112，116，412，416，512，516），以及布置于第二半导体管芯与扭折之间的第二凸点
回路丝线

[发明专利]一种键合设备、键合系统和键合方法-CN201910464896.1在审
发明人：霍志军;赵滨 -专利权人：上海微电子装备(集团)股份有限公司
申请日： 2019-05-30 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： B81C3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种键合设备、键合系统和键合方法，该键合设备包括键合键合腔体、真空系统、加压机构、第一加热/冷却机构、第一静电吸附机构、第二静电吸附机构和第二加热/冷却机构。冷却机构完全接触，增加了第一基底与第一加热/冷却机构的温度传导面积，使得第二加热/冷却机构在对第二基底进行加热时，第一加热/冷却机构可以快速的冷却第一基底的温度，从而可以避免第一基底的温度太高，使得第一基底在键合前融化的问题，因此可以提高键合的良率。
一种设备系统方法

[发明专利]晶圆制备方法、键合方法、键合装置、键合设备-CN202110310943.4在审
发明人：尹朋岸;胡思平 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-03-23 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本申请提供了晶圆制备方法、键合方法、键合装置、键合设备。因此，该晶圆可以直接通过互联层上的第五标识正对应其他晶圆的对准标识，使得该晶圆直接对准其他晶圆，有利于减小不同晶圆的形变差异导致的对准偏差，提高了不同晶圆间的对准精度，从而提供了一种晶圆键合方法、键合装置、键合设备。
制备方法装置设备

[发明专利]键合对位装置、倒装芯片键合机和键合方法-CN202210334711.7在审
发明人：郑嘉瑞;胡金;王明军;张浩;李虎;尹祖金;周宽林;耿小猛;李昌洪 -专利权人：深圳市联得自动化装备股份有限公司
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本发明涉及一种键合对位装置、倒装芯片键合机和键合方法，所述键合对位装置用于辅助芯片与基板的键合。所述键合对位装置包括键合头组件、用于承载所述芯片的第一载台以及用于承载所述基板的第二载台，所述键合头组件能够拾取所述芯片，所述键合头组件能够带动所述芯片沿第一方向靠近所述基板，所述第一载台及所述第二载台沿所述第一方向依次分布键合对位装置能够提高芯片与基板键合时的精度。倒装芯片键合装置包括上述键合对位装置，能够提高芯片与基板键合时的精度。键合方法应用于上述倒装新品键合装置，能够提高芯片与基板键合时的精度。
对位装置倒装芯片键合机方法

[发明专利]键合线、键合结构、键合方法及半导体器件-CN202210819321.9在审
发明人：王令;李春艳;廖勇波;马颖江 -专利权人：珠海格力电器股份有限公司
申请日： 2022-07-12 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本发明提供了一种键合线、键合结构、键合方法及半导体器件，涉及半导体封装领域，该键合线包括线芯与包裹在所述线芯外的外覆层，所述外覆层材料的熔点低于所述线芯材料的熔点，所述线芯用于与目标器件键合连接，所述外覆层用于在熔化后包裹所述线芯与目标器件之间的键合连接点基于本发明的技术方案，实现键合线与目标器件的双重连接，增加键合线与焊点之间的连接力，进而可以在满足工艺要求的前提下降低对于线芯键合工艺参数的要求，从而可以避免器件表面因键合工艺参数较大而导致弹坑并有效降低虚焊的风险
键合线结构方法半导体器件

[发明专利]键合头以及包括该键合头的键合装置-CN202211540871.3在审
发明人：崔正德;朴瑛奎;全泳坤;成知勳 -专利权人：美科陶瓷科技有限公司
申请日： 2022-12-02 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/603 文献下载
摘要：提供一种键合头和键合装置，该键合头包括：底座块；加热块，设置在所述底座块的上方，并产生热；以及抗静电块，以能够吸附芯片的方式配置在所述加热块上方，并配置为与接地电极电连接，以去除残留在表面上的电子。
键合头以及包括装置

[发明专利]MEMS晶圆键合开封装置以及方法-CN202211539674.X在审
发明人：范小涛;高强 -专利权人：上海季丰电子股份有限公司
申请日： 2022-12-02 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本申请提供了一种MEMS晶圆键合开封装置以及方法，涉及MEMS技术领域，缓解了目前MEMS的开封方式容易导致器件损伤的技术问题。该装置包括：抓取设备、点位温度检测设备、加热设备以及控制设备；加热设备用于对合封的MEMS晶片进行加热；抓取设备用于通过多个子抓取设备对加热后的MEMS晶片和MEMS合封盖之间垂直分离，以进行MEMS晶圆键合开封；点位温度检测设备用于对MEMS晶片的表面的多个点位进行温度检测，得到多个点位的温度检测结果；控制设备用于在多个点位的温度检测结果中第一点位的温度检测结果小于预设温度阈值时，控制抓取设备减小第一点位的位置处对应的第一子抓取设备的抓取力度
mems 晶圆键合开封装置以及方法

[发明专利]具有不同高度的凸点的半导体芯片和包括其的半导体封装-CN200710153554.5无效
发明人：黃智焕;金东汉;金喆禹;李相熺;裴光缜 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-09-21 - 公布日： 2008-05-28 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体芯片和一种包括该半导体芯片的半导体封装，该半导体芯片包括：多个键合焊盘，设置在半导体芯片上；多个不同高度的芯片凸点，设置在相应的键合焊盘上。
具有不同高度半导体芯片包括封装

[实用新型]一种声波器件及一种声波器件温度控制装置-CN201920934800.9有效
发明人：张树民;王国浩;汪泉;陈海龙;郑根林;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人：杭州左蓝微电子技术有限公司
申请日： 2019-06-20 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：声波器件包括第一基板，以及设置在第一基板上的声波结构、测温电阻及若干个主键合凸点；第二基板，以及设置在第二基板上的TEC器件、若干个副键合凸点与若干金属过孔。第一基板与第二基板相对设置，且通过第一基板上的若干主键合凸点依次与第二基板上的若干金属过孔、若干副键合凸点电连接。
声波器件第二基板第一基板凸点温度控制装置测温电阻副键主键本实用新型精准电压源金属加热处理微控制器相对设置声波电连接控温制冷