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[发明专利]键合设备及键合方法-CN201810134295.X有效
发明人：刘育 -专利权人：上海微电子装备（集团）股份有限公司
申请日： 2018-02-09 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种键合设备及键合方法，所述键合设备包括：供给运动台、传输系统、键合运动台及对准测量系统。通过所述供给运动台、传输系统、键合运动台及对准测量系统连续实现了第一芯片的交接，传输和测量功能，减少单个芯片的流转时间，能够高效的完成第一芯片与基底上对应的第二芯片的键合，提高产率。进一步的，所述键合设备的尺寸紧凑，结构更加简单，对准测量系统布局在框架及键合运动台上，电气布线更方便；使用所述键合方法，预先标定对准测量系统位置，实现所述供给运动台上第一芯片与所述键合运动台上对应的第二芯片的键合
设备方法

[发明专利]键合方法及键合结构-CN202011080239.6有效
发明人：王丽娟;胡陈诚 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-10-10 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L23/482 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种键合方法及键合结构。其中，所述键合结构包括第一介质层；贯穿第一介质层的第一沟槽；位于第一沟槽侧壁的第一阻挡层；位于沟槽中的第一导电触点；位于第一导电触点底面的第二阻挡层；第二介质层；贯穿第二介质层的第二沟槽；位于第二沟槽侧壁的第三阻挡层；位于沟槽中的第二导电触点；位于第二导电触点顶面的第四阻挡层；位于所述第一介质层和所述第二介质层之间的键合结合层；其中，所述第一导电触点和所述第二导电触点通过所述第二阻挡层和所述第四阻挡层的接触导电连接
方法结构

[发明专利]键合系统和键合方法-CN202111594258.5有效
发明人：田应超;刘天建;曹瑞霞;汪松 -专利权人：湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司;湖北江城实验室
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本公开实施例公开了一种键合装置和键合方法。所述键合装置包括：键合组件、晶圆承载台、第一对准组件和第二对准组件；晶圆承载台，用于根据第一对准组件确定的第一偏差值和第二对准组件确定的第二偏差值，驱动承载的晶圆移动，以使第二管芯对准第一管芯；键合组件，用于键合第一管芯和第二管芯；该键合装置还包括第三对准组件，位于晶圆承载台相对远离键合组件的一侧，用于确定已完成键合的第一管芯的位置与第二管芯的位置之间的第三偏差值；键合组件，还用于在第三偏差值大于预设阈值时，解键合第一管芯与第二管芯。
系统方法

[发明专利]键合装置和键合方法-CN202111595678.5有效
发明人：田应超;刘天建;曹瑞霞;程曲 -专利权人：湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司;湖北江城实验室
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本公开实施例公开了一种键合系统和键合方法。所述键合系统包括：键合组件，包括：用于拾取第一待键合管芯的键合头，以及贯穿所述键合头的第一光通路；其中，所述第一光通路的第一端位于所述键合头拾取所述第一待键合管芯的拾取面；第一对准组件，用于在所述键合组件位于第一位置时，通过所述第一光通路的第二端向所述第一端发射检测光信号；所述第一对准组件，还用于接收所述检测光信号经所述第一待键合管芯反射的反射光信号，并根据接收的所述反射光信号确定所述第一待键合管芯的当前位置与第一目标位置之间的第一偏差值；第二对准组件，用于确定所述晶圆上第二待键合管芯的当前位置与第二目标位置的第二偏差值。
装置方法

[发明专利]键合装置和键合方法-CN202111594630.2有效
发明人：田应超;刘天建;曹瑞霞;张伟 -专利权人：湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司;湖北江城实验室
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本公开实施例公开了一种键合系统和键合方法。键合系统包括：键合组件，包括：键合头以及贯穿键合头的第一光通路；第一对准组件，用于在键合头位于第一位置时，确定拾取面相较于水平面的偏移量；键合组件，还用于根据偏移量，驱动键合头移动至平行于水平面的第二位置；第一对准组件，还用于在键合头位于第二位置时，通过第一光通路的第二端向第一端发射检测光信号；第一对准组件，还用于接收检测光信号经第一待键合管芯反射的反射光信号，并根据接收的反射光信号确定第一待键合管芯的当前位置与第一目标位置之间的第一偏差值；第二对准组件，用于确定晶圆上第二待键合管芯的当前位置与第二目标位置的第二偏差值。
装置方法

[发明专利]键合装置及键合方法-CN201911051463.X有效
发明人：金度延;李恒林;李忠现;金光燮;金旼永;金度宪;高定奭 -专利权人：细美事有限公司
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L21/607 文献下载
摘要：本发明公开一种能够在将接合对象(芯片或基板)接合到基板上的过程中提高贯通电极(TSV孔)的对准准确度的键合装置及键合方法。根据本发明的实施例的键合方法为用于将接合对象的第二贯通电极对准并接合到基板上的第一贯通电极的键合方法，包括以下步骤：在所述基板上布置所述接合对象；以及通过将具有已设定的共振频率的振动施加到所述接合对象并使所述第一贯通电极和所述第二贯通电极共振
装置方法

[发明专利]键合方法及键合结构-CN202310642479.8有效
发明人：张越;刘天建;田应超 -专利权人：湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司
申请日： 2023-06-01 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种键合方法及键合结构。该键合方法包括：提供第一基底、第二基底；在所述第一基底上沉积第一键合层，并在所述第二基底上沉积第二键合层；采用激光扫描的方式激活所述第一键合层，并通过所述第一键合层、所述第二键合层将所述第一基底与所述第二基底键合本发明可以在对键合区域进行界面激活的同时，无需激活键合区域外的界面，极大的提高了键合的效率。
方法结构

[发明专利]键合装置以及键合方法-CN202010135241.2有效
发明人：高定奭;李恒林;金旼永;金度延;朴志焄;张秀逸;金光燮 -专利权人：细美事有限公司
申请日： 2020-03-02 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明公开一种键合装置以及键合方法，其能够将基板与键合对象(管芯或基板)键合时，避免基板与键合对象之间的键合界面的气体捕集现象的同时，通过阳极键合有效使得基板与键合对象键合。根据本发明实施例的键合方法，其在第一基板上键合包括管芯或第二基板的键合对象，包括：通过从一个或多个等离子体装置的各个等离子体尖端，在要键合所述键合对象的所述第一基板上的键合区域中产生等离子体来对所述键合区域进行亲水化；在所述第一基板上的已被亲水化的键合区域上配置所述键合对象，并使所述等离子体尖端接触于所述键合对象的上部面；以及通过在与所述第一基板的下部面接触的第一电极与设置于所述等离子体尖端的第二电极之间施加电压的阳极键合热处理，在所述第一基板上键合所述键合对象。
装置以及方法

[实用新型]键合夹具和键合机器-CN201420422435.0有效
发明人：梁德志;赵滨;朱鸷 -专利权人：上海微电子装备有限公司
申请日： 2014-07-29 - 公布日： 2015-06-17 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种键合夹具，键合夹具为可拆卸式，键合夹具可自动对准并完成对两片基片的夹紧功能。本实用新型还公开了一种键合机器，包括对准系统和可拆卸式键合夹具，可拆卸式键合夹具包括上下盖板，上下盖板各吸附一片基片，对准系统完成两片基片的对准工作，可拆卸式键合夹具自动完成插入间隔片和夹紧两片预键合基片的工作本实用新型所提供的键合机器可以自动完成对准工作，由于设置了可拆卸式键合夹具，能够自动完成插入间隔片和夹紧两片预键合的基片的工作，降低了劳动强度，提高了工作效率。并且先将两片预键合的基片对准，然后再插入间隔片，提高了两片预键合的基片对准的精度。
夹具机器

[发明专利]减少IGBT功率模块封装中GE短路的在线气相清洁装置及方法-CN201510673315.7在审
发明人：冯会雨;徐凝华;曾雄;贺新强;李寒;程崛;李亮星;严璠;周铮;韩星尧 -专利权人：株洲南车时代电气股份有限公司
申请日： 2015-10-16 - 公布日： 2016-01-27 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种减少IGBT功率模块封装中GE短路的在线气相清洁装置及方法，所述装置包括：清洁腔体，清洁腔体设于键合点胶的上料轨道上，上料轨道用于传送芯片，清洁腔体内设置有吹气管道以及吸气管道，吹气管道的出风口设于芯片的至少其中一侧的斜上方本发明所提供的装置及方法能够在引线键合之后，键合点胶之前，进行针对芯片表面残留焊球及铝屑的清洁，从而防止金属残留物被键合胶固定在门极总线位置导致芯片GE失效的情况，减少GE短路的概率。
减少 igbt 功率模块封装 ge 短路在线清洁装置方法

[发明专利]半导体失效定位测试单元及其失效定位方法-CN201811580999.6有效
发明人：李金 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2018-12-24 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体失效定位测试单元，所述测试单元是位于金属层中的梳折状结构，所述测试单元的键合线划分为第一类键合线和第二类键合线，相邻的第一类键合线之间通过第二类键合线连接，所述第一类键合线的长度大于第二类键合线，其中，所述第一类键合线设置在金属层一中，所述第二类键合线设置在金属层二中，所述金属层一和金属层二是不同的金属层。本发明的半导体失效定位测试单元及其失效定位方法使用现有失效定位分析仪器能快速、准确抓取故障点(热点/Hot Spot)位置的半导体失效定位测试单元。
半导体失效定位测试单元及其方法

[发明专利]隐埋引线式芯片封装-CN96107199.0无效
发明人：金善东;薛秉洙 -专利权人： LG半导体株式会社
申请日： 1996-07-26 - 公布日： 2001-07-11 - 主分类号： H01L23/28 文献下载
摘要：多条引线隐埋在主体中且暴露于主体的上下表面，其上形成有键合点的半导体芯片安装在主体的上表面上。金属键合线电连接主体的引线和芯片的键合点，环氧树脂模制化合物密封包括芯片、引线和金属线的主体的预定部分。
引线芯片封装

[发明专利]一种提高单层电容器键合强度的制造工艺-CN202010972975.6在审
发明人：关秋云;吴继伟;杨国兴 -专利权人：大连达利凯普科技股份公司
申请日： 2020-09-16 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明属于电子元器件生产技术领域，公开了一种提高单层电容器键合强度的制造工艺。通过调整陶瓷基片粗糙度、基片清洗方式，调整溅射工艺，并在溅射金属电极后增加一次退火，即采用两次退火工艺。将单层电容器的键合强度提高至12.98gf，解决了键合点脱落问题。
一种提高单层电容器强度制造工艺

[发明专利]一种甲酸气氛下纳米结构凸点键合方法-CN202310093245.2在审
发明人：何思亮;凌云志;崔银花;郑伟;胡川;陈志涛 -专利权人：广东省科学院半导体研究所
申请日： 2023-02-01 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种甲酸气氛下的键合方法和增强凸点互连结构键合方法，涉及芯片封装技术领域。在第一器件的第一管脚的生长位点内部填充铜柱，并在铜柱顶端制备低熔点焊料帽；在第二器件的第二管脚的生长位点内部填充低熔点焊料，形成低熔点焊料层，随后将纳米金属颗粒填入第二管脚的生长位点；导入甲酸气氛实施预烧结；将第一管脚与第二管脚对准后，在保护气氛下实施温度在低熔点焊料的熔点以上的热压键合。
一种甲酸气氛纳米结构凸点键合方法

[发明专利]一种提高碳纳米管键合能力并修复电子传输通路的方法-CN202310889462.2在审
发明人：汪刘应;黄洁;王滨;刘顾;葛超群;王龙;王伟超 -专利权人：中国人民解放军火箭军工程大学
申请日： 2023-07-19 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C01B32/168 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高碳纳米管键合能力并修复电子传输通路的方法：将具有丰富表面态的碳点引入氧化碳纳米管表面形成碳点‑碳纳米管复合材料，其中，碳点表面的氨基基团与氧化碳纳米管表面的羧基基团键合，形成酰胺键，修复氧化碳纳米管表面羧基引起的电子流失现象；并通过酰胺键的桥接，导通整个碳纳米管体系的电子传输通路；碳点丰富的表面态内的其它官能团随酰胺键的桥接也被引入至氧化碳纳米管的表面，以提高碳纳米管的表面键合能力本发明通过将碳点引入氧化碳纳米管表面，不仅提高了碳纳米管的键合能力且恢复了碳纳米管体系的电子传输通路，提高了复合材料的介电损耗和极化损耗，进而提升体系的电磁参数使其在X波段表现出优异的吸波性能。
一种提高纳米管键合能力修复电子传输通路方法