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[发明专利]一种硅片与玻璃片的低温超声阳极键合方法-CN201310100553.X无效
发明人：刘曰涛;肖春雷;王伟;杨明坤;魏修亭 -专利权人：山东理工大学
申请日： 2013-03-27 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： B81C3/00 文献下载
摘要：一种硅片与玻璃片的低温超声阳极键合方法，该方法包括以下具体步骤：将玻璃片夹持在一固定工作台上，将硅片夹持在超声换能器上，超声换能器固定在一可动工作台上，设定工作台的加热温度，设置超声参数，设置阳极键合参数，可动工作台带动硅片移动，并按设定的键合压力使硅片与玻璃片相互接触，使硅片与玻璃相互摩擦，活化键合界面；去掉超声的同时，施加键合电压进行阳极键合；键合完成后拆下被键合件。相对于传统高温阳极键合方法，本发明的低温超声阳极键合方法在同样键合强度下，键合温度，键合电压及键合时间均能大大缩减，提高了MEMS器件的键合性能。
一种硅片玻璃片低温超声阳极方法

[发明专利]声波滤波器装置、制造声波滤波器装置的封装件和方法-CN201610920628.2有效
发明人：康崙盛;姜珌中;金光洙;南智惠;梁正承;李桢日;宋钟亨 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2016-10-21 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：声波滤波器装置包括：基体，具有设置在基体上的声波滤波器部件和键合件，键合件围绕声波滤波器部件；盖，具有设置在盖上的键合对应件，键合对应件键合到基体的键合件，键合件包括包含金的第一键合层，键合对应件包括键合到第一键合层并且包含锡的第二键合层
声波滤波器装置制造封装方法

[发明专利]一种半导体结构的制作方法-CN201910213178.7在审
发明人：王海宽;沈新林;吴龙江;林宗贤 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-03-20 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构的制作方法，包括以下步骤：提供一待键合片，所述待键合片中设有键合焊盘，所述键合焊盘自所述待键合片的上表面起始，并往所述待键合片的下表面方向延伸；形成一硬掩膜层于所述键合焊盘的顶面；以所述硬掩膜层为掩膜对所述待键合片进行刻蚀，使所述键合焊盘的至少一部分凸出于所述待键合片的上表面；去除所述硬掩膜层；对所述键合焊盘的顶面进行研磨。本发明在常规的化学机械抛光之后，对待键合片进行刻蚀，使得键合焊盘的至少一部分凸出于待键合片的上表面，然后对键合焊盘的顶面进行研磨，使得键合焊盘顶面的碟形缺陷厚度减小，形貌更为平坦，从而提升键合强度，使得键合焊盘之间的接触更加完全，有利于提升键合良率。
键合焊盘键合片硬掩膜层上表面顶面键合半导体结构研磨刻蚀化学机械抛光形貌碟形缺陷方向延伸厚度减小常规的下表面良率去除掩膜制作平坦

[发明专利]IGBT芯片键合方法-CN201210087098.X无效
发明人：梁杰 -专利权人：西安永电电气有限责任公司
申请日： 2012-03-28 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01L21/603 文献下载
摘要：本发明提供一种IGBT芯片键合方法，采用键合机将IBGT芯片与300μm铝导线键合，键合时所述键合机的输出键合力在2.94-3.92N、输出的键合功率在35-45W。上述方案中，选用了低于现有键合过程中采用的键合力及键合功率参数，减小了在键合机下落过程中或键合过程对IGBT芯片造成物理性伤害，降低了IGBT芯片出现软特性甚至造成IGBT芯片损坏的概率，同时，提高了键合质量
igbt 芯片方法

[发明专利]一种深腔键合方法-CN202110215120.3在审
发明人：李金月;木瑞强;戴晨毅;冯小成;郝贵争;蔺建龙;李静微 -专利权人：北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所
申请日： 2021-02-25 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明涉及一种深腔键合方法，属于微电子封装技术领域；步骤一、制作键合工具；步骤二、制作固定夹具；步骤三、对待键合器件表面进行等离子清洗；步骤四、将待键合器件水平放在器件固定板上，进行抽真空处理，实现对待键合器件的固定；步骤五、设置键合压力、键合功率和键合时间，进行键合；本发明同时开发了针对深腔键合工具适用的键合方法，解决了深腔功率器件键合可靠性问题，适用于深腔键合应用场景，大大拓宽了深腔功率器件封装能力。
一种深腔键合方法

[发明专利]键合材料的熔断电流测试板、系统、方法及装置-CN202210733328.9在审
发明人：朱刚;张坤;黄凯;刘子莲;左新浪 -专利权人：中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室））
申请日： 2022-06-27 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： G01R31/58 文献下载
摘要：本申请涉及一种键合材料的熔断电流测试板、系统、方法及装置，熔断电流测试板上设置有m个第一键合点和n个第二键合点，键合材料的第一端与一个第一键合点键合，键合材料的第二端与一个第二键合点键合，与第一端连接的第一键合点与供电模块的第一输出端连接，与第二端连接的第二键合点与供电模块的第二输出端连接，用于根据供电模块输出的供电电压，测试键合材料的熔断电流。本申请提供的一种键合材料的熔断电流测试板，由于采用键合方式将键合材料键合于熔断电流测试板上，可以解决夹持测试方法对键合材料的夹持损伤、夹持变型问题，测试结果准确且更接近键合材料上装使用状态下实际的熔断电流
材料熔断电流测试系统方法装置

[发明专利]一种基于阵列式点压的晶圆键合方法-CN201610751120.4有效
发明人：许维;刘洪刚;王盛凯;徐杨;王英辉;陈大鹏 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2016-08-29 - 公布日： 2019-05-17 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于阵列式点压的晶圆键合方法，包括：基于传统的晶圆键合方法，采用了创造性的点压设备，将传统晶圆键合方法的平面各点同时的键合方式改为平面各点非同时异步的键合方式。本发明所陈述的点压键合方法包括：使用热压键合方式准备好待键合的晶圆片，选择好点压设备的单次键合点的大小，将待键合的区域按照单次键合大小划分为等大的阵列点，实际键合过程中，使用点压设备按照这些阵列点，在一定温度一定压力下实施键合与传统晶圆键合方法所使用的晶圆键合机价格昂贵、操作复杂相比，本发明所使用的点压键合设备制作成本低、操作简单。此外点压键合法具有键合区域的可选择性等特性，能够满足某些特定应用领域下的需要。
一种基于阵列式点压晶圆键合方法

[外观设计]键盘（88键排列图）-CN202130235177.0有效
发明人：郑央伟 -专利权人：深圳市望迦南实业有限公司
申请日： 2021-04-23 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： 14-02 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：键盘（88键排列图）。2.本外观设计产品的用途：用于键盘。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状与图案的结合。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
键盘 88 排列

[发明专利]包含有远程图像识别系统的楔形键合方法-CN201110398068.6有效
发明人：郑志华;梅文杰;吴汉淦;郑希岚 -专利权人：先进自动器材有限公司
申请日： 2011-12-05 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明公开了一种使用旋转键合头将导线键合到目标表面上的方法，包括：在目标表面上方定位键合头的楔形键合工具；使用照相机系统完成目标表面上的键合点的图案识别，该照相机系统相对于键合头的布置以斜角的方式斜置；确定从图案识别步骤中所获得的键合点的实际位置，以及第一键合点和第二键合点的实际位置之间的方位；移动键合头至第一键合点的实际位置，并将键合头旋转至所确定的方位上；其后使用键合头在第一键合点处将导线键合到目标表面上
含有远程图像识别系统楔形方法

[发明专利]封装键合程序自动生成方法、装置、存储介质及电子设备-CN202010307381.3有效
发明人：刘丰收;钱胜杰;武纪宏 -专利权人：上海望友信息科技有限公司
申请日： 2020-04-17 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：本发明公开了一种封装键合程序自动生成方法、装置、存储介质及电子设备，所述方法包括：分别获取待键合的芯片与封装框架的键合点坐标数据；根据所述键合点坐标数据获取所有对键合点的相关约束条件，所述相关约束条件包括每对键合点的垂直约束高度差、水平约束距离、框架约束高度差；根据所述相关约束条件获取所有对键合点的键合数据，所述键合数据包括键合线的实际键合高度和拐点坐标；根据所述键合数据生成键合生产程序。本发明能够自动生成封装键合数据，并结合不同键合装置自动生成封装键合程序，从而提升了工作效率，降低了生产成本。
封装程序自动生成方法装置存储介质电子设备

[发明专利]运动传感器及其制造方法-CN202211440551.0在审
发明人：赵波 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2022-11-17 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本发明提供一种运动传感器及其制造方法，由于在MEMS晶圆上的第一键合层上又形成第二键合层，并使形成第二键合层的材料与形成在CMOS上的第三键合层的材料相同，如此以使通过执行光刻和刻蚀工艺形成第一键合层和第二键合层时，第二键合层能够保护第一键合层以避免第一键合层在光刻或刻蚀工艺中出现厚度损失的问题，从而保证了相互键合的第二键合层和第三键合层的总厚度与第一键合层的厚度的比值保持稳定，进而提升键合效果，避免器件失效。
运动传感器及其制造方法

[发明专利]晶圆界面键合能的测试方法-CN201910413139.1有效
发明人：徐齐;黄翔;周阳;锁志勇;丁滔滔 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-05-17 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： G01N19/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶圆界面键合能的测试方法，包括如下步骤：提供一键合样品，所述键合样品包括相互键合的第一键合部和第二键合部；从所述键合样品的一端将所述第一键合部和所述第二键合部拉开至设定的远离距离，并实时记录在拉开过程中随拉开距离变化的拉力；根据所述拉开距离与所述拉力的变化关系计算出界面键合能。本发明通过在晶圆特定位置截取键合样品，对所述键合样品进行多次拉力测试，通过拉力与拉开距离的关系，得到所述键合样品的界面键合能。
界面键合能测试方法

[发明专利]低温晶圆直接键合机台和晶圆键合方法-CN201910405744.4有效
发明人：周华 -专利权人：芯盟科技有限公司
申请日： 2019-05-16 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种低温晶圆键合机台和晶圆键合方法，其中所述低温晶圆键合机台包括表面处理单元，用于对待键合晶圆的表面进行活化处理；预键合单元，用于将经过活化处理后的一片待键合晶圆与经过活化处理后的另外至少一片待键合晶圆或者与未经过活化处理的另外至少一片待键合晶圆贴合，形成预键合晶圆对；缺失检测单元，用于检测所述预键合晶圆对是否存在缺失；解键合单元，用于将所述存在缺失的预键合晶圆对分离。本发明的低温晶圆键合机台的解键合的成功率提升。
低温直接机台晶圆键合方法

[发明专利]Mini LED/Micro LED灯珠的键合工艺和装置-CN202211152326.7在审
发明人：黄良斌;耿婷;黄良辉;王文磊 -专利权人：领先光学技术（江苏）有限公司
申请日： 2022-09-21 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： G01N21/88 文献下载
摘要：本发明公开了一种Mini LED/Micro LED灯珠的键合工艺和装置，属于显示器制造领域，所述工艺包括：检测第一键合层的完整性；在第一键合层和第二键合层连接处制造物理黏附层，并对第二键合层进行固定；分别以第一键合层和第二键合层相对应的一个基准位置作为原点建立两个平面坐标系；获取第一键合层的区域特征值和第二键合层的区域特征值；判断所述第一键合层的区域特征值是否匀称的覆盖在第二键合层的区域特征值上；利用压合模具对所述第一键合层和第二键合层进行物理键合本发明通过获取第一键合层和第二键合层的进行数学模型化，预先进行模拟键合，保证了第一键合层和第二键合层之间的位置准确性，降低了因为尺寸原因或错位安装，而导致的返工。
mini led micro 工艺装置

[发明专利]工件键合系统-CN201310203708.2在审
发明人：唐亮;郎平;周启舟;郝术壮;么文静 -专利权人：北京中电科电子装备有限公司
申请日： 2013-05-28 - 公布日： 2014-12-03 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明提供一种工件键合系统，涉及半导体加工制造技术领域。该工件键合系统，用于完成半导体工件的键合加工工作。所述工件键合系统，包括工件提供装置、工件传输装置和工件处理装置。并将待加工工件传送给所述工件传输装置；所述工件传输装置，用于连接工件提供装置和工件处理装置，从所述工件提供装置获取待加工工件，并将待加工工件传送给工件处理装置；所述工件处理装置，用于从工件传输装置获取待加工工件，并完成工件的键合工作本发明的技术方案能够减少工件传递和预处理的时间消耗，提高工件键合整体效率。
工件系统